Конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера (H01S5/02)
H01S5/02 Конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера(22)
Изобретение относится к двумерной матрице лазерных диодов и способу её сборки. Его использование обеспечивает технический результат, а именно повышение плотности мощности излучения матрицы при обеспечении надежности и срока службы.
Настоящее изобретение относится к способу охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, к устройству для осуществления данного способа, и коннектору, используемому в данном способе. Устройство для охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, включающей в себя две подложки, между которыми установлены параллельно друг другу линейки лазерных диодов с образованием между соседними линейками лазерных диодов параллельных каналов для пропускания теплоносителя, содержит первые и вторые трубопроводы подвода теплоносителя и первые и вторые трубопроводы отвода теплоносителя, причем первые трубопроводы подвода теплоносителя и вторые трубопроводы отвода теплоносителя подсоединены с чередованием к одним концам параллельных каналов, а первые трубопроводы отвода теплоносителя и вторые трубопроводы подвода теплоносителя подсоединены с чередованием к другим концам параллельных каналов, входы всех трубопроводов подвода теплоносителя подключены к выходу подающего насоса, вход которого соединен с резервуаром теплоносителя, снабженного средством термостабилизации, выходы всех трубопроводов отвода теплоносителя соединены с накопителем отработанного теплоносителя.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается двумерной матрицы лазерных диодов. Матрица лазерных диодов содержит линейки лазерных диодов и две прозрачные для излучения лазерных диодов подложки.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается лазерного модуля. Лазерный модуль содержит ступенчатое основание, на котором размещены лазерные диоды, микролинзы, линзы, плоские зеркала и фокусирующие линзы.
Предложено устройство фотодетектирования, в котором на виде сверху первая полупроводниковая область первого типа проводимости перекрывает по меньшей мере часть третьей полупроводниковой области, вторая полупроводниковая область перекрывает по меньшей мере часть четвертой полупроводниковой области второго типа проводимости, значение потенциала третьей полупроводниковой области в отношении электрического заряда первого типа проводимости меньше значения потенциала четвертой полупроводниковой области, а разность между значением потенциала первой полупроводниковой области и значением потенциала третьей полупроводниковой области больше разности между значением потенциала второй полупроводниковой области и значением потенциала четвертой полупроводниковой области.
Изобретение может быть использовано для перестраиваемых диодных лазеров с внешними резонаторами, обеспечивающими генерацию на одной продольной моде. Диодный лазер с внешним резонатором содержит последовательно установленные на оптической оси лазерный диод, коллимирующий объектив, интерференционный фильтр и фокусирующий объектив, глухое отражающее зеркало, а также выходное отражающее зеркало, установленное за коллимирующим объективом и обеспечивающее выход оптического излучения под углом к единой оптической оси в виде аксиально-симметричного светового пучка.
Группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Охлаждающее устройство (100) содержит монтажную площадку для лазерной установки, охлаждающий объем (140), содержащий охлаждающие каналы, выполненные с возможностью охлаждения монтажной площадки (105), впуск (150) хладагента и выпуск (145) хладагента, соединенные с охлаждающими каналами охлаждающего объема (140), первое сквозное отверстие (110) подачи хладагента, соединенное с впуском (150) хладагента, второе сквозное отверстие (111) подачи хладагента, соединенное с выпуском (145) хладагента.
Изобретение относится к оптической системе передачи для аналоговых или цифровых радиочастотных сигналов с использованием твердотельного лазера с внешней модуляцией. Оптический модулятор включает в себя полупроводниковое устройство, имеющее оптический вход для приема когерентного светового пучка непрерывного излучения, волновод для переноса светового пучка, электрод, соединенный с входом радиочастотного сигнала и напряжением смещения для создания электрического поля в волноводе и оптического модулирования светового пучка, когда пучок проходит через волновод, и оптический выход, соединенный с волноводом, для переноса модулированного оптического сигнала.
Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный модуль содержит несколько подмодулей (1), размещенных вдоль первой оси (10) бок о бок на общем носителе, причем каждый из упомянутых подмодулей (1) содержит область (8) лазера, образованную одной или несколькими матрицами полупроводниковых лазеров (5) на поверхности подмодулей (1), и при этом лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), образует распределение интенсивности в рабочей плоскости, обращенной к упомянутой поверхности подмодулей (1).
Использование: для монтажа кристаллов VCSEL на кристаллодержателе. Сущность изобретения заключается в том, что способ монтажа кристаллов VCSEL на кристаллодержателе содержит следующие этапы: формирование мезаструктур р-типа посредством обеспечения электрических р-контактов на верхней части мезаструктур, формирование мезаструктуры n-типа посредством покрытия мезаструктуры электрически изолирующим пассивирующим слоем, перекрывающим по меньшей мере р-n переход мезаструктуры, осаждение несмачиваемого слоя на стороне соединения кристаллов VCSEL, осаждение дополнительного несмачиваемого слоя на стороне соединения кристаллодержателя, причем упомянутые несмачиваемые слои осаждают с рассчитанным рисунком или их рисунки формируют после осаждения для формирования соответствующих областей соединения на кристаллодержателе и кристаллах VCSEL, области соединения которых обеспечивают смачиваемую поверхность для припоя, нанесение припоя на области соединения по меньшей мере одной из двух сторон соединения, размещение кристаллов VCSEL на кристаллодержателе и припаивание кристаллов VCSEL к кристаллодержателю без фиксации кристаллов VCSEL относительно кристаллодержателя, чтобы допустить перемещение кристаллов VCSEL на кристаллодержателе за счет сил поверхностного натяжения расплавленного припоя, причем кристалл VCSEL содержит решетку VCSEL с излучением с нижней стороны, которая припаяна своей мезаструктурой к кристаллодержателю, при этом до осаждения несмачиваемого слоя на сторону соединения кристаллов VCSEL осаждают первый металлический слой, который электрически подключен к n-контактам VCSEL и перекрывает мезаструктуру n-типа, причем упомянутые n-контакты образуют проводящую сеть между мезаструктурами р-типа VCSEL для электрического соединения VCSEL и распределения тока равномерно среди мезаструктур р-типа, при этом второй металлический слой осаждают в то же время, что и первый металлический слой, чтобы перекрыть мезаструктуры р-типа и р-контакты, причем первый металлический слой и второй металлический слой механически стабилизируют кристаллы VCSEL так, что электрическое соединение с n-контактом находится на той же высоте, что и р-контакты.
Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры, подводящие ток электроды и гибкие электрические проводники, при этом подводящие ток электроды расположены параллельно оси резонатора лазерного кристалла, а гибкие электрические проводники соединяют подложку гетероструктуры непосредственно с электродами одной полярности.
Изобретение относится к лазерным модулям, полупроводниковым источникам света. Лазерный модуль включает составной корпус, в котором соосно расположены оптическая система и лазерный диод, плату со схемой управления лазерным диодом, выполняющей функции стабилизации мощности излучения, соединенную с выводами лазерного диода.
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, в частности к лазерным источникам света, и может быть использовано в оптических системах, предназначенных, например, для указания направления или цели.
Изобретение относится к матрицам лазерных диодов, которые могут быть использованы как самостоятельные источники излучения, так и в качестве системы накачки твёрдотельных лазеров. Матрица светодиодов содержит теплопроводящее основание с нанесенной толстопленочной металлизацией, выполненной в виде дискретных контактных элементов, установленных на противоположных сторонах основания, и токоподводящих элементов, расположенных симметрично на противоположных сторонах основания.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ мощных арсенид-галлиевых дискретных приборов и интегральных микросхем, силовых гибридных модулей, компьютерных микросхем и плат, а также может быть использовано в оптоэлектронике для исследования, разработки и производства мощных полупроводниковых лазеров, лазерных полупроводниковых матриц и лазерных систем на их основе.
Изобретение относится к оптическим устройствам, изготовленным с помощью способа индуцированного примесью перемешивания квантовой ямы (КЯ). .
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению, а именно к лазерным источникам света, и может быть использовано в оптических системах, предназначенных, например, для указания направления или цели.
Изобретение относится к оптико-электронному приборостроению. .
Изобретение относится к способу получения поверхностей, лишенных загрязнений, из материалов, выбранных из группы, содержащей GaAs, GaAlAs, InGaAs, InGaAsP и InGaAs на зеркальных фасетках кристалла для резонаторов лазеров на основе GaAs.
Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы.
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может использоваться в системах лазерной космической связи и в системах лазерной атмосферной связи. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике, в частности к оптическим передающим модулям с инжекционным лазером как источником излучения. .
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. .
Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров.
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом и электронным пучком. .