Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)

Отслеживание патентов класса H01L21
H01L21              Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](4072)
H01L21/263 - С высокой энергией ( H01L21/261 имеет преимущество)(72)
H01L21/308 - С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)
H01L21/311 - Травление(9)
H01L21/314 - Из неорганических веществ ( H01L21/3105, H01L21/32 имеют преимущество)(8)
H01L21/318 - Из нитридов(18)
H01L21/331 - Транзисторов(37)
H01L21/332 - Тиристоров(6)
H01L21/761 - P-n переходов(3)

Способ лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки с использованием разделенных лазерных лучей // 2677574
Изобретение относится к способу лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки и может использоваться для эффективного и быстрого разделения полупроводниковых устройств, выполненных на твердых и сплошных подложках (6).

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2677500
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек.

Способ изготовления микроигл и массива микроигл // 2677491
Использование: для формирования микроигл. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления микроигл и массива микроигл заключается в нанесении на верхней поверхности монокристаллической кремниевой подложки с ориентацией (100) защитной пленки, формировании в ней маски и последующем локальном анизотропном травлении кремния, при этом заодно с формированием маски между маской и периферийной областью защитной пленки, образующей при травлении внешнюю рамку, а также между соседними масками при изготовлении массива микроигл формируют поддерживающие элементы - подвесы, например, в форме полос или пилообразных зубцов, причем поддерживающие элементы - подвесы формируются так, что направление продольной оси поддерживающих элементов - подвесов совпадает с кристаллографическим направлением <111>.

Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца // 2677266
Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV.

Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида марганца электрохимическим методом // 2677095
Использование: для изготовления газовых сенсоров хеморезистивного типа. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида марганца в рамках электрохимического метода включает емкость, оборудованную электродом сравнения и вспомогательным электродом, заполненную электролитом, содержащим нитрат-анионы и катионы марганца, наноструктуры оксида марганца осаждают на диэлектрическую подложку, оборудованную полосковыми электродами, выполняющими роль рабочего электрода, путем приложения к рабочему электроду постоянного электрического потенциала от -0,5 В до -1,1 В относительно электрода сравнения в течение 5-20 минут и при температуре электролита в диапазоне 20-40°С, после чего подложку с осажденным слоем наноструктур оксида марганца промывают дистиллированной водой и высушивают при комнатной температуре.

Способ выявления дислокаций различного типа в структурах теллурида кадмия-ртути с кристаллографической ориентацией (310) // 2676626
Изобретение относится к материаловедению полупроводников и предназначено для контроля качества выращиваемых гетероэпитаксиальных слоев теллурида кадмия-ртути CdHgTe кристаллографической ориентации (310) при отработке процесса молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для выявления различных типов дислокаций в слоях структур CdHgTe.

Комплексное устройство исследования состояния поверхности металла // 2674518
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля технологического процесса поверхностной отделочно-упрочняющей обработки, а также при проведении научных исследований и лабораторных работ в учебном процессе.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2674413
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов.

Способ изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов // 2674409
Изобретение относится к области конструирования и производства силовых полупроводниковых приборов и, преимущественно, кремниевых ограничителей напряжения.

Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и snox // 2674406
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров.

Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом // 2674405
Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины, осветитель, микроскоп для визуального контроля совмещения, фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха, дополнительно введены фотошаблоны верхнего и нижнего уровней, а столик выполнен в виде опорной плиты, в которой расположено отверстие для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины, при этом посадочное гнездо состоит из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой, снабженного отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, которые расположены в углублениях фотошаблона верхнего уровня, кроме того, введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня.

Селективный травитель для титаната бария // 2674118
Изобретение относится к составам для жидкостного травления сегнетоэлектрических пленок, в частности пленки титаната бария, над пленкой платины на кремниевой подложке.

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке // 2672034
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении микромеханических датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, чувствительные элементы которых выполнены из диэлектрического материала.

Способ формирования областей кремния в объеме кремниевой пластины // 2672033
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении кремниевых кристаллов микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости.

Матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения // 2671935
Изобретение относится к гибким устройствам отображения. Заявлены матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения.

Способ создания двустороннего топологического рисунка в металлизации на подложках со сквозными металлизированными микроотверстиями // 2671543
Способ создания двустороннего топологического рисунка металлизации позволит повысить технологичность и воспроизводимость при формировании двустороннего топологического рисунка в металлизации на подложках со сквозными металлизированными микроотверстиями.

Способ формирования шариковых выводов на алюминиевой металлизации контактных площадок кристалла // 2671383
Использование: для изготовления интегральных схем (ИС), гибридных интегральных схем (ГИС), микросборок и модулей.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2671294
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

Способ изготовления воздушных мостов // 2671287
Изобретение относится к технологии формирования воздушных мостов, предназначенных для электрического соединения контактных площадок полупроводниковых структур с большим перепадом рельефа поверхности.

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2670249
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур относится к области технологических устройств для травления технологических материалов в области производства изделий электронной техники и может быть использован, например, для проведения высокоаспектных процессов травления кремния в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) или для создания щелевой изоляции при реализации технологии трехмерной интеграции кристаллов.

Способ формирования локальной захороненной диэлектрической области изоляции активной части транзисторов с трехмерной структурой затвора (finfet) // 2670248
Изобретение относится к области твердотельной электроники, в частности способам формирования изоляции активной части полевых транзисторов с трехмерной структурой затвора (FinFET).

Способ измерения механических напряжений в мэмс структурах // 2670240
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов.

Пиксельный блок с тонкопленочным транзистором из низкотемпературного поликристаллического кремния и способ его изготовления // 2670219
Использование: для изготовления пиксельного блока с тонкопленочным транзистором из низкотемпературного поликристаллического кремния.

Композиция для химико-механической полировки (cmp), содержащая бензотриазольные производные в качестве ингибиторов коррозии // 2669598
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки. Описана композиция для химико-механичекой полировки, содержащая(А) одно или более соединений формулы (1)где пары пунктирных линий в формуле (1) либо каждая обозначает двойную связь, либо обозначает одинарную связь, где (i) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает двойную связь, один из R1 и R2 представляет собой водород и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(CH2-CH2-O)n-CH3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, и (ii) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает одинарную связь, R1 и R2 представляют собой водород, или один из R1 и R2 представляет собой водород, и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(СН2-СН2-O)n-СН3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, причем общее количество одного или нескольких соединений формулы (1) лежит в диапазоне от 0,0001 до 1 мас.% на основе общей массы соответствующей композиции для химико-механической полировки,(В) неорганические частицы, органические частицы, или их композит, или смесь, которые находятся в форме кокона, где общее количество катионов, выбранных из группы, включающей магний и кальций, составляет менее 1 части на миллион на основе общей массы соответствующей композиции.

Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света // 2669549
Изобретение относится к области нагревательных устройств и может быть использовано для регулирования температуры обработки полупроводниковой пластины в процессе выращивания полупроводникового слоя.

Способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов // 2669546
Предлагаются способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления после формирования затвора и изолирующего слоя затвора тонкопленочного транзистора последовательно наносятся полупроводниковый слой и первый защитный слой.

Способ изготовления омических контактов // 2669339
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона.

Способ увеличения управляющего напряжения на затворе gan транзистора // 2669265
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия, работающих в режиме обогащения.

Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия // 2669159
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкофазной эпитаксии // 2668661
Изобретение относится к технологии получения многослойных полупроводниковых структур из соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур в системе GaAs-GaAlAs для силовой электронной техники.

Способ изготовления мощного нитрид-галлиевого полевого транзистора // 2668635
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием полевых HEMT транзисторов.

Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок // 2667345
Использование: для изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона.

Способ создания электропроводящих сетчатых оптически прозрачных и оптически непрозрачных структур // 2667341
Использование: для создания структур с помощью электрических полей. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит получение сетчатой электропроводящей микро- и наноструктуры, оптически прозрачной благодаря наличию стремящихся к приблизительно среднему значению сквозных окон, разделяющих металлические микро- и наноразмерные проволоки, получаемой путем переноса металлизированного полимерного шаблона на подложку с последующим удалением полимера, при этом для формирования полимерного шаблона для последующей металлизации используется электростатическое вытяжение нити из капли раствора полимера и ее ускорение в сторону электропроводящей рамки (процесс электроспиннинга), являющейся однооконной или многооконной ячеистой конструкцией, с последующим формированием на ней полимерного шаблона, его дальнейшей металлизацией путем напыления металлического или металлоксидного слоя, переносом на подложку с опциональным удалением полимерного шаблона и рамки и получением в результате электропроводящего покрытия на подложке.

Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении // 2667327
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических чувствительных элементов датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, датчики давления.

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей // 2666815
Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных.

Способ очистки твердой поверхности от микрочастиц // 2666416
Изобретение относится к способам очистки твердых поверхностей от микрочастиц и может быть использовано для удаления микрочастиц с поверхности полупроводниковых пластин, а также в космической оптике, оптике высокого разрешения, фотонике.

Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения.

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки // 2666175
Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста.

Способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины для минимизации механических напряжений // 2666173
Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок.

Переключающий элемент и способ изготовления переключающего элемента // 2665798
Переключающий элемент включает в себя полупроводниковую подложку, которая включает в себя первый слой полупроводника n-типа, базовый слой р-типа, образованный эпитаксиальным слоем, и второй слой полупроводника n-типа, отделенный от первого слоя полупроводника n-типа базовым слоем, изолирующую пленку затвора, которая покрывает зону, перекрывающую поверхность первого слоя полупроводника n-типа, поверхность базового слоя и поверхность второго слоя полупроводника n-типа, а также электрод затвора, который расположен напротив базового слоя в пределах изолирующей пленки затвора.

Способ изготовления кмоп-структур // 2665584
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах.

Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия // 2665368
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия.

Датчик, фильтрующий элемент с датчиком и применение такого фильтрующего элемента // 2665341
Использование: для создания фильтрующего элемента с датчиком измерения перепадов давления. Сущность изобретения заключается в том, что фильтрующий элемент содержит основное тело, причем на основном теле размещен датчик для измерения перепадов давления, причем указанный датчик содержит электронный чип и сенсорный чип, расположенные внутри функционального объема, который имеет длину максимум 4-5 мм, ширину максимум 2-3 мм и высоту максимум 0,5-0,8 мм.

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля // 2665263
Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.

Способ соединения многоуровневых полупроводниковых устройств // 2664894
Изобретение относится к многоуровневым полупроводниковым приборам. Полупроводниковый узел содержит первый блок кристалла и второй блок кристалла.

Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы // 2664882
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии.

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент и излучающее ультрафиолетовый свет нитридное полупроводниковое устройство // 2664755
Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света.

Устройство для термической обработки подложки, носитель и элемент для поддержки подложки для этого устройства // 2664559
Изобретение относится к устройству для термической обработки подложки, причем устройство имеет нагревательный узел и носитель, снабженный опорной поверхностью для поддержания подложки.

Корпусированная интегральная схема, содержащая соединенный проволочными перемычками многокристальный пакет // 2663688
Варианты настоящего изобретения направлены на создание корпусированной интегральной схемы (IC), содержащей первый кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный в первый герметизирующий слой, и второй кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный во второй герметизирующий слой.

Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
 
.
Наверх