Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)

Отслеживание патентов класса H01L21
H01L21              Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](4072)
H01L21/263 - С высокой энергией ( H01L21/261 имеет преимущество)(72)
H01L21/308 - С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)
H01L21/311 - Травление(9)
H01L21/314 - Из неорганических веществ ( H01L21/3105, H01L21/32 имеют преимущество)(8)
H01L21/318 - Из нитридов(18)
H01L21/331 - Транзисторов(37)
H01L21/332 - Тиристоров(6)
H01L21/761 - P-n переходов(3)
Способ изготовления микроэлектронного узла // 2645151
Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами.
Способ определения направления дислокаций в монокристаллах с помощью асм // 2645041
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2644627
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.
Способ изготовления распыляемой композитной мишени из сплава гейслера co2fesi // 2644223
Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени из сплава Гейслера Co2FeSi. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава Гейслера Co2FeSi с получением однородной порошковой смеси и ее спекание.

Способ изготовления чувствительного элемента микросистемы контроля параметров движения // 2644029
Использование: для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов. Сущнось изобретения заключается в том, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировании слоя кремния обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины, приводящую к увеличению электрической длины от 9 до 11 раз по сравнению с формой балки в виде сплошного прямоугольника той же заданной длины и ширины, снижению влияния вертикальной собственной частоты колебаний, возникновению продольной горизонтальной собственной частоты колебаний и возникновению изгиба при вращательном движении, после окончания структурирования слоя кремния с получением конструктивных элементов активного элемента - тела плоской меандрообразной пружины, площадок на концах - из-под тела плоской меандрообразной пружины удаляют полностью материал диэлектрического слоя, получая структуру КНИ мостикообразной формы, подготавливают несущую подложку с диэлектрической рабочей поверхностью, на которой сначала выполняют пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод из электропроводящего материала, затем на контактных площадках посредством ФИП осаждают соединяющие активный элемент контактные площадки, активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку и жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам.

Устройство для формовки выводов микросхемы и узел центровки микросхем для этого устройства // 2644020
Изобретение относится к производству радиоаппаратуры с использованием микросхем. Устройство для формовки выводов микросхемы содержит размещенные на общем основании узел центровки положения корпуса микросхемы, манипулятор для захвата пространственно сориентированного в узле центровки корпуса микросхемы, узел перемещения пространственно сориентированной в узле центровки микросхемы для подачи ее в узел для формовки и обрезки выводов.

Способ изготовления высокотемпературных кмоп кни интегральных схем // 2643938
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С.

Устройства, основанные на избирательно эпитаксиально выращенных материалах iii-v групп // 2643931
Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп.

Способ измерения пороговой разности температур ик мфпу // 2643695
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства.

Способ удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол // 2643172
Изобретение относится к технологии изготовления изделий оптической техники, конкретно к способу удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, служащих в качестве основной маски при формировании микроэлементов на их поверхности.

Поворотное устройство позиционирования // 2642907
Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Способ увеличения порогового напряжения отпирания gan транзистора // 2642495
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния, способ изготовления такой тонкой пленки и транзистор, изготовленный из такой тонкой пленки // 2642140
Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2641617
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением.
Способ пайки силовых полупроводниковых приборов // 2641601
Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде.
Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения // 2640237
Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.
Печатная плата с внутренним монтажом элементов и способ ее изготовления // 2639720
Изобретение относится к области изготовления электронной аппаратуры с применением многослойных печатных плат (МПП).

Способ изготовления подложки "кремний на изоляторе" и подложка "кремний на изоляторе" // 2639612
Способ изготовления КНИ-подложки и КНИ-подложка, где способ включает формирование структурированного слоя остановки травителя в слое оксида первой кремниевой подложки, сращивание поверхности, имеющей структурированный слой остановки травителя первой кремниевой подложки, с поверхностью второй кремниевой подложки и удаление части первой кремниевой подложки для формирования структурированной КНИ подложки.

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек // 2639579
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании.
Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии // 2639263
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ).

Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев // 2638575
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур.

Устройство формирования изображения, система формирования изображения и способ изготовления устройства формирования изображения // 2638108
Изобретение относится к устройству формирования изображения, системе формирования изображения и способу изготовления устройства формирования изображения.

Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) // 2638107
Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 109 см-2 до 1015 см-2 и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры, при этом уточняемые величины флюенса и энергии ионов, обеспечивающие эквивалентность, определяют расчетом, путем компьютерного моделирования концентрации и распределения смещенных атомов при облучении ионами в чувствительных областях приборной структуры и сравнения с результатами такого же компьютерного моделирования при облучении быстрыми нейтронами, причем для установления правильности расчета эквивалентного флюенса выбирают флюенс ионного облучения, при котором изменение критериальных параметров превышает порог чувствительности средства контроля критериальных параметров, определяют соответствующий эквивалентный флюенс облучения быстрыми нейтронами, проводят разовое натурное испытание облучением приборной структуры быстрыми нейтронами при эквивалентном флюенсе, сравнивают полученное отклонение критериальных параметров с отклонением при выбранном флюенсе ионного облучения и судят по результату сравнения о правильности расчета эквивалентного флюенса.

Способ изготовления распыляемой композитной мишени, содержащей фазу сплава гейслера co2fesi // 2637845
Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени, содержащей фазу сплава Гейслера Co2FeSi, которая может быть использована при производстве микроэлектроники.
Способ получения легированных халькогенидов цинка // 2636091
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается разработки способа получения легированных халькогенидов цинка для перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии.
Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу // 2636034
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов.
Способ изготовления диода с вискером терагерцового диапазона // 2635853
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Способ изготовления диода с вискером "Меза-подложка" терагерцового диапазона включает нанесение на поверхность гетероэпитаксиальной структуры диэлектрической пленки, в которой по маске фоторезиста травлением до высоколегированного катодного слоя создается окно катодного контакта U-, или О-образной формы, формирование в нем металлизации низкоомного омического катодного контакта с последующим удалением резиста, отжигом и гальваническим утолщением, формирование с использованием тонких резистивных масок на поверхности активных слоев окна анодного контакта микронного или субмикронного диаметра между U-выступами катода, или в центре О-образного катода, удаление в окне анодного контакта слоя диэлектрика, проведение финишных обработок, формирование металлизации анодного контакта, удаление резиста, формирование резистивной маски или маски диэлектрика для травления мезы вокруг площадки с расположенными на ней анодом и катодом, травление мезы как минимум до полуизолирующего слоя подложки, формирование анодной и катодной контактных площадок на полуизолирующем слое у основания мезы, соединение анода со своей контактной площадкой металлическим воздушным мостом, место соединения которого с анодом представляет собой расширенный контакт, выступы поля которого опираются на слой диэлектрика, соединение катода со своей контактной площадкой осуществляется либо металлическим воздушным мостом, либо металлической шиной, лежащей на боковой поверхности мезы или на слое диэлектрика, утонение подложки и разделение на отдельные кристаллы.

Способ соединения кремниевых пластин // 2635822
Изобретение относится к измерительным устройствам и может быть использовано в микроэлектромеханических системах при производстве интегральных датчиков первичных параметров.
Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки al2o3 на поверхности пористого кремния // 2634326
Использование: для роста наноразмерных пленок диэлектриков на поверхности монокристаллических полупроводников.

Переключающий тпт и способ его изготовления // 2634088
Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

Тонкопленочный транзистор из низкотемпературного поликристаллического кремния и способ его изготовления // 2634087
Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора.
Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов // 2633894
Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию поверхностных зарядовых состояний.
Способ изготовления полупроводникового прибора // 2633799
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
Способ изготовления свч полевого мощного псевдоморфного транзистора // 2633724
Изобретение относится к технологии изготовления полевых транзисторов. Способ изготовления СВЧ мощного полевого псевдоморфного транзистора на гетероэпитаксиальной структуре AlGaAs/InGaAs/GaAs заключается в том, что формируют субмикронный Т-затвор с применением оптической литографии.

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее изготовления // 2633437
Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением.

Позиционирующее устройство, управляющее устройство и способ управления // 2633302
Группа изобретений относится к позиционирующему устройству, например, для использования в качестве платформы для заготовки для интегральных схем.

Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности inp // 2632261
Изобретение относится к области синтеза тонких пленок на поверхности InP и может быть применено в технологии создания твердотельных элементов газовых сенсоров на такие газы, как аммиак и угарный газ.

Диод на гетеропереходах металл-полупроводник-металл (мпм) // 2632256
Изобретение относится к быстродействующим диодам. Диод содержит полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителей заряда, эмитированного в полупроводниковый слой.

Устройство для полировки изделий // 2632045
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для полирования изделий, например подложек.

Сохранение перераспределяющих токопроводящих дорожек, имеющих мелкий шаг // 2631911
Один вариант воплощения изобретения включает в себя полупроводниковый аппарат, содержащий перераспределяющий слой (RDL-слой), включающий в себя рельефную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя, имеющую две боковые стенки перераспределяющего слоя, причем перераспределяющий слой, содержащий материал, выбранный из группы, содержащей Cu (медь) и Au (золото), защитные боковые стенки, непосредственно контактирующие с этими двумя боковыми стенками перераспределяющего слоя, затравочный слой, включающий в себя этот материал, и барьерный слой, при этом (а) токопроводящая дорожка перераспределяющего слоя имеет ширину токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя, ортогональную по отношению к этим двум боковым стенками перераспределяющего слоя и простирающуюся между ними, и (b) затравочный и барьерный слои каждый включают в себя ширину, параллельную ширине токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя и более широкую, чем эта ширина.
Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок // 2631875
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности.
Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту // 2631870
Очищающая композиция после химико-механического полирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное, (В) эритрит, (С) водную среду и (Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, и ее применение для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения), т.е.
Кремнийорганическая композиция для защиты изделий электронной техники // 2631820
Изобретение относится к термостойким электроизоляционным кремнийорганическим композициям на основе линейно-лестничных блок-сополимеров, содержащих линейные полидиметилсилоксановые и лестничные фенилсилсесквиоксановые звенья, и может быть использовано в микроэлектронике, радиоэлектронике и электронном приборостроении для получения термостойких эластичных и прочных электроизоляционных коррозиопассивных покрытий, предназначенных для защиты активных элементов изделий микроэлектроники от воздействия жестких климатических факторов.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405
Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.
Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти // 2631071
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации.

Многоярусные микроэлектронные кристаллы, встроенные в микроэлектронную подложку // 2630706
Изобретение относится к микроэлектронным устройствам, которые включают в себя многоярусные микроэлектронные кристаллы, встроенные в микроэлектронную подложку.

Способ и устройство для удаления покрытия с подложки // 2630520
Изобретение относится к устройству и способу удаления покрытия с подложки. Устройство, предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, содержит сопло для подачи струи растворителя, приемный элемент для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки, поворотный силовой привод для обеспечения поворота приемного элемента и линейный силовой привод и/или линейную направляющую для обеспечения скольжения приемного элемента относительно сопла.
Способ лазерного отжига неметаллических пластин // 2630197
Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения и возвращении назад в пластину при помощи диэлектрического зеркала излучения, вышедшего через ее тыльную поверхность, предварительно рассчитывают условие термопрочности пластины и, при его невыполнении, перед воздействием лазерного импульса нагревают пластину до температуры, зависящей от толщины пластины, механических, теплофизических и оптических свойств материала пластины.
 
2548812.
Наверх