Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)

Отслеживание патентов класса H01L21
H01L21              Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](4072)
H01L21/263 - С высокой энергией ( H01L21/261 имеет преимущество)(72)
H01L21/308 - С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)
H01L21/311 - Травление(9)
H01L21/314 - Из неорганических веществ ( H01L21/3105, H01L21/32 имеют преимущество)(8)
H01L21/318 - Из нитридов(18)
H01L21/331 - Транзисторов(37)
H01L21/332 - Тиристоров(6)
H01L21/761 - P-n переходов(3)

Способ изготовления омических контактов // 2669339
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона.

Способ увеличения управляющего напряжения на затворе gan транзистора // 2669265
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия, работающих в режиме обогащения.

Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия // 2669159
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкофазной эпитаксии // 2668661
Изобретение относится к технологии получения многослойных полупроводниковых структур из соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур в системе GaAs-GaAlAs для силовой электронной техники.

Способ изготовления мощного нитрид-галлиевого полевого транзистора // 2668635
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием полевых HEMT транзисторов.

Способ изготовления матрицы детекторов тгц излучения на основе углеродных нанотрубок // 2667345
Использование: для изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона.

Способ создания электропроводящих сетчатых оптически прозрачных и оптически непрозрачных структур // 2667341
Использование: для создания структур с помощью электрических полей. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит получение сетчатой электропроводящей микро- и наноструктуры, оптически прозрачной благодаря наличию стремящихся к приблизительно среднему значению сквозных окон, разделяющих металлические микро- и наноразмерные проволоки, получаемой путем переноса металлизированного полимерного шаблона на подложку с последующим удалением полимера, при этом для формирования полимерного шаблона для последующей металлизации используется электростатическое вытяжение нити из капли раствора полимера и ее ускорение в сторону электропроводящей рамки (процесс электроспиннинга), являющейся однооконной или многооконной ячеистой конструкцией, с последующим формированием на ней полимерного шаблона, его дальнейшей металлизацией путем напыления металлического или металлоксидного слоя, переносом на подложку с опциональным удалением полимерного шаблона и рамки и получением в результате электропроводящего покрытия на подложке.

Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении // 2667327
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических чувствительных элементов датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, датчики давления.

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей // 2666815
Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных.

Способ очистки твердой поверхности от микрочастиц // 2666416
Изобретение относится к способам очистки твердых поверхностей от микрочастиц и может быть использовано для удаления микрочастиц с поверхности полупроводниковых пластин, а также в космической оптике, оптике высокого разрешения, фотонике.

Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения.

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки // 2666175
Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста.

Способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины для минимизации механических напряжений // 2666173
Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок.

Переключающий элемент и способ изготовления переключающего элемента // 2665798
Переключающий элемент включает в себя полупроводниковую подложку, которая включает в себя первый слой полупроводника n-типа, базовый слой р-типа, образованный эпитаксиальным слоем, и второй слой полупроводника n-типа, отделенный от первого слоя полупроводника n-типа базовым слоем, изолирующую пленку затвора, которая покрывает зону, перекрывающую поверхность первого слоя полупроводника n-типа, поверхность базового слоя и поверхность второго слоя полупроводника n-типа, а также электрод затвора, который расположен напротив базового слоя в пределах изолирующей пленки затвора.

Способ изготовления кмоп-структур // 2665584
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах.

Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия // 2665368
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия.

Датчик, фильтрующий элемент с датчиком и применение такого фильтрующего элемента // 2665341
Использование: для создания фильтрующего элемента с датчиком измерения перепадов давления. Сущность изобретения заключается в том, что фильтрующий элемент содержит основное тело, причем на основном теле размещен датчик для измерения перепадов давления, причем указанный датчик содержит электронный чип и сенсорный чип, расположенные внутри функционального объема, который имеет длину максимум 4-5 мм, ширину максимум 2-3 мм и высоту максимум 0,5-0,8 мм.

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля // 2665263
Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.

Способ соединения многоуровневых полупроводниковых устройств // 2664894
Изобретение относится к многоуровневым полупроводниковым приборам. Полупроводниковый узел содержит первый блок кристалла и второй блок кристалла.

Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы // 2664882
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии.

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент и излучающее ультрафиолетовый свет нитридное полупроводниковое устройство // 2664755
Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света.

Устройство для термической обработки подложки, носитель и элемент для поддержки подложки для этого устройства // 2664559
Изобретение относится к устройству для термической обработки подложки, причем устройство имеет нагревательный узел и носитель, снабженный опорной поверхностью для поддержания подложки.

Корпусированная интегральная схема, содержащая соединенный проволочными перемычками многокристальный пакет // 2663688
Варианты настоящего изобретения направлены на создание корпусированной интегральной схемы (IC), содержащей первый кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный в первый герметизирующий слой, и второй кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный во второй герметизирующий слой.

Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.

Тонкопленочный транзистор с низким контактным сопротивлением // 2662945
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Способ изготовления микромеханических элементов из пластин монокристаллического кремния // 2662499
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления микромеханических элементов, используемых, в частности, для подвеса чувствительных масс микромеханических измерительных устройств, например кремниевых гироскопов и акселерометров, микроигл и т.д.

Стабилизированные металлические наночастицы для 3d-печати // 2662044
Использование: для применения в 3D-принтере. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит множество металлических микрочастиц, имеющих среднюю поперечную длину, от примерно 1 мкм до 250 мкм, при этом металлические микрочастицы содержат: множество металлических наночастиц, имеющих среднюю поперечную длину, меньшую или равную примерно 50 нм, и стабилизирующий материал на внешних поверхностях указанных наночастиц, при этом стабилизирующий материал содержит органический амин, карбоновую кислоту, тиол и его производные, ксантогеновую кислоту, полиэтиленгликоли, поливинилпиридин, поливинилпирролидон или их комбинацию.

Технология создания соединений сквозь матрицу ячеек памяти в энергонезависимом запоминающем устройстве // 2661992
Предложены технологии создания линий доступа в энергонезависимом запоминающем устройстве. Варианты технологий содержат создание одного или нескольких проходящих через матрицу сквозных отверстий в части матрицы ячеек памяти в составе энергонезависимого запоминающего устройства, такой как область собственно матрицы ячеек памяти или периферийная область, так что через эти сквозные отверстия могут быть проложены одна или несколько линий выборки вместо того, чтобы прокладывать эти линии над или под областью собственно матрицы ячеек памяти или периферийной областью в матрице ячеек памяти.

Слой посадки из окиси алюминия для проводящих каналов для устройства трехмерной цепи // 2661979
Предложена многоуровневая укладка элементов памяти, имеющих слой из оксида алюминия (AlOx) в качестве благородного слоя HiK для обеспечения избирательности остановки вытравливания.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2661546
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью.

Способ монтажа микросборок в корпус модуля // 2661337
Изобретение относится к способам монтажа микросборок в корпусах электронных модулей и может быть использовано при осуществлении сборки сверхвысокочастотных (СВЧ) модулей активных фазированных антенных решеток (АФАР).

Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения // 2661219
Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки.

Пленка двуокиси кремния на кремнии и способ ее получения // 2660622
Использование: для функциональных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что пленка двуокиси кремния на кремнии представляет собой двухслойную структуру, состоящую последовательно из слоя пористой двуокиси кремния и слоя монолитной двуокиси кремния, расположенную на кремниевой подложке, при этом слои имеют единый химический состав, соответствующий стехиометрии SiO2, различную геометрию структурной сетки, которая сохраняет однородность в пределах слоя, но изменяется на границе раздела слоев.

Оксидный полупроводник р-типа, композиция для получения оксидного полупроводника р-типа, способ получения оксидного полупроводника р-типа, полупроводниковый компонент, отображающий элемент, устройство отображения изображений и система // 2660407
Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2660296
Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями // 2660220
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния.

Способ изготовления диэлектрической изоляции // 2660212
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек.

Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем // 2660121
Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом и наземном приборостроении.

Способ оперативного контроля качества стыковки // 2660020
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) методом перевернутого монтажа.

Способ формирования структуры сенсора газообразных токсичных веществ на основе пленок графена // 2659903
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения заключается в формировании структуры сенсора газообразных токсичных веществ на основе пленок графена.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2659328
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления.

Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение // 2659030
Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов.

Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы д.и. менделеева // 2658503
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов.
Способ предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки к технологическим процессам // 2658105
Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых приборов или их частей и может быть использовано для предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки к технологическим процессам.

Устройство для формовки и обрезки выводов микросхем // 2657519
Изобретение относится к производству радиоаппаратуры с использованием микросхем. Устройство для формовки и обрубки выводов микросхем содержит основание, на котором смонтирована часть привода, обеспечивающая перемещение по направляющей в вертикальном направлении пуансона, несущего элемент для изгибания выводов микросхемы и элемент для обрезки концов выводов микросхемы, а также закрепленную на основании матрицу, несущую гнездо для установки микросхемы с размещением ее выводов поперек направления перемещения пуансона, имеющее элемент, повторяющий контур изгиба выводов микросхемы, а также пружины для регулирования усилий, реализуемых на пуансоне для изгибания и обрезки выводов микросхемы.

Вакуумный туннельный диод (втд) // 2657315
Изобретение относится к области вакуумных туннельных диодов (ВТД). Одним из основных применений изобретения является создание высокоэффективных преобразователей тепловой энергии в электроэнергию или электрической энергии в холод или тепло.

Способ формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости // 2657096
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний.

Устройство и способ крепления заготовок плат при напылении тонких пленок // 2656328
Изобретение относится к области вакуумного напыления на заготовки печатных плат пленочных элементов и схем из различных материалов.

Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов // 2656126
Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.

Способ изготовления чувствительного элемента акселерометра // 2656109
Изобретение может быть использовано при создании и изготовлении микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы методом химического травления с использованием масок.
 
.
Наверх