Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)

Отслеживание патентов класса H01L21
H01L21              Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](4072)
H01L21/263 - С высокой энергией ( H01L21/261 имеет преимущество)(72)
H01L21/308 - С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)
H01L21/311 - Травление(9)
H01L21/314 - Из неорганических веществ ( H01L21/3105, H01L21/32 имеют преимущество)(8)
H01L21/318 - Из нитридов(18)
H01L21/331 - Транзисторов(37)
H01L21/332 - Тиристоров(6)
H01L21/761 - P-n переходов(3)

Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния // 2653398
Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу получения полупроводниковой гетероструктуры карбида кремния на кремниевой подложке.

Магниторезистивное запоминающее устройство // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление.

Шаблон для эпитаксиального выращивания, способ его получения и нитридное полупроводниковое устройство // 2653118
Настоящее изобретение предусматривает способ получения шаблона для эпитаксиального выращивания. Способ содержит стадию поверхностной обработки, включающий диспергирование Ga-атомов на поверхности сапфировой подложки, и стадию эпитаксиального выращивания AlN-слоя на сапфировой подложке, где при распределении концентрации Ga в направлении глубины перпендикулярно поверхности сапфировой подложки во внутренней области AlN-слоя, исключая зону вблизи поверхности до глубины 100 нм от поверхности AlN-слоя, полученной вторичной ионно-массовой спектрометрией, положение в направлении глубины, где Ga - концентрация имеет максимальное значение, находится в области вблизи границы раздела, расположенной между границей раздела сапфировой подложки и положением, на 400 нм отстоящим от границы раздела к стороне AlN-слоя, и максимальное значение Ga-концентрации составляет 3×1017 атом/см3 или более и 2×1020 атом/см3 или менее.

Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния // 2653026
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.

Альтернативные линии заземления для заземления между отверстиями // 2652527
Использование: для создания структуры заземления. Сущность изобретения заключается в том, что структура заземления включает в себя проходящую по периметру линию заземления, расположенную вдоль периметра матрицы печатающей головки и имеющую северный, южный, восточный и западный сегменты, линию заземления между отверстиями, проходящую от северного сегмента к южному сегменту между двумя отверстиями для текучей среды, и альтернативную линию заземления, проходящую от восточного сегмента к западному сегменту и пересекающую линию заземления между отверстиями в области соединения рядом с концами отверстий для текучей среды.

Способ локального травления двуокиси кремния // 2651639
Изобретение относится к микроэлектронике, способам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам жидкостного травления.

Способ изготовления ограничителей напряжения // 2651624
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода.

Способ получения пленок сульфида кадмия на монокристаллическом кремнии // 2651212
Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Способ определения температурной зависимости двумерного распределения потенциала в двухзатворных симметричных полностью обедненных полевых транзисторах со структурой "кремний на изоляторе" с гауссовым вертикальным профилем легирования рабочей области // 2650831
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к определению физических параметров полупроводниковых приборов, в частности к определению температурной зависимости распределения потенциала в двухзатворных симметричных полностью обедненных полевых транзисторах со структурой «кремний на изоляторе» с гауссовым вертикальным профилем легирования рабочей области, и может быть использовано при моделировании и разработке интегральных схем в специализированных программах.

Способ изготовления чувствительных элементов газовых датчиков // 2650793
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с диэлектрическими мембранами.

Устройство выравнивания подложки для высокопроизводительной установки совмещения фотошаблонов // 2650724
Заявленные изобретения относятся к области фотолитографии и предназначены для выравнивания подложки высокопроизводительной установки совмещения фотошаблонов.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2650350
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением.

Способ очистки подложек из ситалла в струе высокочастотной плазмы пониженного давления // 2649695
Изобретение относится к способу очистки подложек из ситалла. Способ включает химическую очистку и промывку в деионизованной воде.

Способ лазерной обработки неметаллических пластин // 2649238
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Способ получения наномодифицированной структуры на поверхности кремния // 2649223
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ).

Способ определения параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике // 2649065
Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний.

Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного эталона и ступенчатый высотный калибровочный эталон // 2649058
Использование: для измерения высоты ступенчатых особенностей на гладких поверхностях. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает проведение в вакууме термоэлектрического отжига подложки твердотельного материала пропусканием электрического тока с резистивным нагревом до температуры активируемой сублимации атомов, отжиг сочетают с подачей потока осаждаемого на поверхность материала подложки, перед отжигом на рабочей поверхности подложки формируют рельеф с геометрией и поперечным размером, определяемыми в оптический микроскоп, в составе рельефа выполняют углубление, в котором боковая часть расположена под углом ±45° относительно нормали к кристаллографической плоскости рабочей поверхности подложки, отжигом в дне углубления и вокруг углубления с примыканием к краю формируют две опорные поверхности, в боковой части углубления получают, сочетая отжиг с подачей потока материала подложки, калибровочную ступень и средство для определения калибровочной высоты калибровочной ступени, из счетного количества моноатомных ступеней, ступенчатый высотный калибровочный эталон содержит на подложке пару опорных поверхностей, расположенных друг относительно друга с образованием калибровочной ступени калибровочной высоты из счетного количества моноатомных ступеней, одна опорная поверхность - в дне углубления, другая - примыкает к краю углубления, в боковой части углубления сформированы калибровочная ступень калибровочной высоты из счетного количества высокой плотности моноатомных ступеней и средство, обеспечивающее определение калибровочной высоты калибровочной ступени, из того же счетного количества моноатомных ступеней, но меньшей плотности, при этом для опорных поверхностей характерна субангстремная шероховатость и достаточные для оптических измерений размеры.

Способ лазерной обработки неметаллических пластин // 2649054
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Способ получения ферромагнитного композита alsb-mnsb // 2649047
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита.
Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния // 2648329
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.

Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем // 2648295
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью.

Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков // 2648287
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении упругих элементов, используемых в конструкциях кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков - акселерометров, гироскопов, датчиков угловой скорости.

Способ предварительной очистки и способ получения тонкой пленки низкотемпературного поликремния, жидкокристаллическое устройство отображения и система для ее изготовления // 2647561
Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний.

Способ лазерной пробивки сквозного отверстия в неметаллической пластине // 2647387
Изобретение относится к способу лазерной пробивки сквозного отверстия в неметаллической пластине, например, из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии // 2647209
Использование: для изготовления полупроводниковых p-i-n структур на основе системы GaAs-GaAlAs методами жидкостной эпитаксии.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2646942
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Полировальная композиция // 2646938
Представлена полировальная композиция, с помощью которой можно полировать сапфировую подложку, имеющую неполярную плоскость или полуполярную плоскость, с высокой скоростью полирования.

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния // 2646644
Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2646422
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью.

Способ получения кремния с изотопическим составом 28si, 30si // 2646411
Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния.

Способ изготовления круглых кристаллов с фаской, устройство и лезвийный инструмент для осуществления способа // 2646301
Изобретение относится к области изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения полупроводниковых пластин на круглые кристаллы.

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике // 2646070
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.

Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора // 2645920
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на улучшение электрических характеристик высоковольтных приборов, снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности высоковольтных планарных р-п-переходов.

Способ и устройство электролитического легирования полупроводниковых соединений индием и галлием // 2645902
Изобретение относится к способам и устройствам для легирования полупроводниковых соединений и может найти применение в приборостроении и микроэлектронике.

Способ изготовления композитной структуры // 2645895
Изобретение относится к способу изготовления композитной структуры, включающему следующие этапы: а) получение подложки-донора (50) и несущей подложки (10); б) формирование диэлектрического слоя (30); в) формирование покровного слоя (20); г) формирование ослабленной зоны (60) в подложке-доноре (50); д) соединение несущей подложки (10) и подложки-донора (50) посредством контактной поверхности (70), имеющей контур (Cs); е) разлом подложки-донора (50) по ослабленной зоне (60); причем этапы б) и д) выполняют так, что контур (Cz) вписывается в контур (Cs), а этап в) выполняют так, что покровный слой (20) покрывает периферийную поверхность диэлектрического слоя (30).

Устройство и способ автоматизированной очистки солнечной панели // 2645444
Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов.

Способ изготовления микроэлектронного узла // 2645151
Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами.
Способ определения направления дислокаций в монокристаллах с помощью асм // 2645041
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2644627
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Способ изготовления распыляемой композитной мишени из сплава гейслера co2fesi // 2644223
Изобретение относится к изготовлению распыляемой композитной мишени из сплава Гейслера Co2FeSi. Способ включает механическое смешивание порошков компонентов сплава Гейслера Co2FeSi с получением однородной порошковой смеси и ее спекание.

Способ изготовления чувствительного элемента микросистемы контроля параметров движения // 2644029
Использование: для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов. Сущнось изобретения заключается в том, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировании слоя кремния обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины, приводящую к увеличению электрической длины от 9 до 11 раз по сравнению с формой балки в виде сплошного прямоугольника той же заданной длины и ширины, снижению влияния вертикальной собственной частоты колебаний, возникновению продольной горизонтальной собственной частоты колебаний и возникновению изгиба при вращательном движении, после окончания структурирования слоя кремния с получением конструктивных элементов активного элемента - тела плоской меандрообразной пружины, площадок на концах - из-под тела плоской меандрообразной пружины удаляют полностью материал диэлектрического слоя, получая структуру КНИ мостикообразной формы, подготавливают несущую подложку с диэлектрической рабочей поверхностью, на которой сначала выполняют пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод из электропроводящего материала, затем на контактных площадках посредством ФИП осаждают соединяющие активный элемент контактные площадки, активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку и жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам.

Устройство для формовки выводов микросхемы и узел центровки микросхем для этого устройства // 2644020
Изобретение относится к производству радиоаппаратуры с использованием микросхем. Устройство для формовки выводов микросхемы содержит размещенные на общем основании узел центровки положения корпуса микросхемы, манипулятор для захвата пространственно сориентированного в узле центровки корпуса микросхемы, узел перемещения пространственно сориентированной в узле центровки микросхемы для подачи ее в узел для формовки и обрезки выводов.

Способ изготовления высокотемпературных кмоп кни интегральных схем // 2643938
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С.

Устройства, основанные на избирательно эпитаксиально выращенных материалах iii-v групп // 2643931
Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп.

Способ измерения пороговой разности температур ик мфпу // 2643695
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа измерения пороговой разности температур инфракрасного матричного фотоприемного устройства.

Способ удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол // 2643172
Изобретение относится к технологии изготовления изделий оптической техники, конкретно к способу удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, служащих в качестве основной маски при формировании микроэлементов на их поверхности.

Поворотное устройство позиционирования // 2642907
Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Способ увеличения порогового напряжения отпирания gan транзистора // 2642495
Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния, способ изготовления такой тонкой пленки и транзистор, изготовленный из такой тонкой пленки // 2642140
Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
 
.
Наверх