Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле (H01L23)
H01L23 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле (H01L25 имеет преимущество)(662)
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим геометрическим, электро- и теплофизическим характеристикам, а также обеспечение максимального холодильного коэффициента, максимальной холодопроизводительности при работе термоэлектрической батареи (ТЭБ).
Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в системах охлаждения электронного оборудования. В частности, оно относится к микромасштабным охлаждающим устройствам.
Изобретение относится к силовой электронике и может быть использовано в мощных низковольтных и высоковольтных полупроводниковых приборах, таких как мощные полевые транзисторы, диоды Шоттки и т.п. Техническим результатом изобретения является расширение эксплуатационных возможностей металлостеклянных корпусов за счёт существенного снижения температуры выводов при пропускании через них тока.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к технологии изготовления высоковольтных гермовводов, содержащих металлостеклянное и стеклокерамическое соединения, предназначенных для организации высоковольтных линий в герметичные зоны, в частности, для подачи высокого напряжения во внутреннее пространство взрывозащитной камеры.
Изобретение относится к способу изготовления теплопроводящей прокладки. Техническим результатом является улучшение кондуктивного теплоотвода от электронных компонентов печатных плат, для поддержания теплового режима работы бортового прибора преимущественно в условиях космического вакуума.
Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в системах охлаждения электронного оборудования. В способе охлаждения электронного оборудования с использованием комбинированных потоков газа и микрокапель, основанном на движении тонкой пленки жидкости за счет потока газа в канале, области электронного компонента орошают потоками микрокапель жидкости с помощью спреера, расположенного на одной из поверхностей канала, причем истечение микрокапель жидкости осуществляется под углом от 10 до 90 градусов в направлении потока газа или рабочей жидкости в канале, который отсчитывается от оси направления потока газа, при этом спреер представляет собой сопло или линейку сопел.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для автоматизированного монтажа новых шариковых выводов микросхемы при реболлинге. Технический результат - повышение эффективности использования оборудования поверхностного монтажа за счет обеспечения возможности проведения монтажа шариковых выводов на любую микросхему или сразу на несколько микросхем без приспособлений и трафаретов под каждый тип микросхемы, автоматизация процесса, снижение доли ручного труда.
Изобретение относится к теплорассеивающим диэлектрическим полимерным композиционным материалам для различных отраслей электроники (микроэлектроника, вакуумные приборы, плазменные и лазерные технологии).
Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в системах охлаждения электронного оборудования. Двухфазная, гибридная, однокомпонентная система охлаждения электронного оборудования включает плоский мини- или микроканал прямоугольного сечения, одна из стенок которого (нижняя) является подложкой расположенного на ней электронного тепловыделяющего компонента.
Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от электронных компонентов. Радиатор для охлаждения электронного компонента, содержащий несколько отдельных гофрированных пластин, скрепленных с одной или с двумя теплопоглощающими поверхностями, которые контактируют с выделяющими тепло поверхностями электронного компонента.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления.
Изобретение относится к области бесщеточных синхронных электрических машин, содержащих вращающиеся выпрямители, а более точно, к используемым во вращающихся выпрямителях полупроводниковым диодам, в которых полупроводниковый элемент заключен в герметичный корпус.
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К.
Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в системах охлаждения электронного оборудования. Сущность: способ охлаждения электронного оборудования, основанный на движении микроручейков под действием потока газа вдоль канала на поверхности подложки, образующей нижнюю стенку канала с одним или несколькими электронными тепловыделяющими элементами за счет периодических продольных микроканавок или полос гидрофобного нанопокрытия.
Изобретение относится к области электронной техники. Конструкция гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы с топологическим рисунком проводников металлизации на одной из сторон каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, коаксиальным диэлектрическим резонатором.
Способ изготовления электронного силового модуля посредством аддитивной технологии и связанные подложка и модуль. Способ изготовления электронного силового модуля (20) посредством аддитивной технологии, электронного модуля (20), содержащего подложку (21), имеющую электроизолирующую пластину (24), имеющую противоположные первую и вторую лицевые поверхности (24a, 24b), с первым металлическим слоем (25a), расположенным непосредственно на первой лицевой поверхности (24a) изолирующей пластины (24), и вторым металлическим слоем (25b), расположенным непосредственно на второй лицевой поверхности (24b) изолирующей пластины (24).
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к корпусу для поверхностного монтажа изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ. Заявлен корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ, содержащий основание и крышку, которые герметично соединены металлическим ободком, в основании выполнено, по меньшей мере, три сквозных металлизированных отверстия, в центральной части внешней и внутренней сторон основания выполнены, по меньшей мере, одна внешняя и соответствующая ей, по меньшей мере, одна внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, попарно соединенные между собой электрически, для расположения и последующего соединения кристалла либо кристаллов изделия СВЧ, по периферии внешней и внутренней сторон основания вне внешней и соответствующей ей внутренней «земляных» металлизированных контактных площадок выполнены, по меньшей мере, три внешних и соответствующих им, по меньшей мере, три внутренних вывода, каждые три упомянутых вывода формируют, по меньшей мере, два отрезка копланарной линии соответственно, попарно соединенные между собой электрически, заземленные проводники каждого отрезка копланарной линии соединены с внешней и соответствующей ей внутренней земляными металлизированными контактными площадками и металлическим ободком, в котором основание и крышка выполнены из материала алмаз, при этом основание, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы, сквозные металлизированные отверстия выполнены в виде единой монолитной планарной платы, при этом металлический ободок выполнен по периметру единой монолитной планарной платы, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы выполнены в виде многослойного металлизационного покрытия с высокой электропроводностью, крышка выполнена объемной формы, по внутренней поверхности которой выполнено многослойное металлизационное покрытие с высокой электропроводностью, каждая внешняя и соответствующая ей каждая внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, каждые внешние и соответствующие им каждые внутренние выводы попарно соединены между собой посредством сквозных металлизированных отверстий.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к конструкции охлаждения устройства преобразования электроэнергии. Технический результат заключается в минимизации повышения температуры окружающей среды вокруг крепежного болта.
Радиатор для интегральной микросхемы, содержащий пластину основания и множество ребер, соединенных с пластиной основания, при этом пластина основания содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, соединенные последовательно; причем первый сегмент и третий сегмент простираются наклонно вверх относительно второго сегмента, при этом толщина второго сегмента пластины основания больше, чем толщина первого сегмента и третьего сегмента, и радиатор выполнен с возможностью прикрепления лишь к одной интегральной микросхеме посредством второго сегмента.
В современных видах применения передачи энергии и электрических приводах большой мощности также требуются закорачиваемые индивидуальные последовательно соединенные субмодули в случаях повреждения, для того чтобы обеспечивать дальнейшее функционирование систем.
Настоящее изобретение относится к отверждаемой системе, включающей в свой состав бензоксазин и бензотиазол-сульфенамидный катализатор, бензотиазол-сульфенамидный катализатор содержится в отверждаемой системе в количестве от 2 частей по массе до 8 частей по массе на 100 частей по массе бензоксазина.
Изобретение относится к многослойному остеклению и к его применению в транспортных средствах, в строительной промышленности, городском оборудовании или в дизайне интерьера. Многослойное остекление содержит набор диодов и его электронную схему управления, которые нанесены на тонкую гибкую печатную плату (FPC) и соединены с плоским кабелем.
Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат: малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), а также повышенные коэффициент усиления (Ку) по напряжению и коэффициент ослабления входных синфазных сигналов (Кос.сф).
Группа изобретений относится к системе и способу регулирования температуры топлива для питания теплового газотурбинного двигателя, силовой установке, содержащей газотурбинный двигатель. Система содержит контур питания топливом, электронный модуль, источник энергии для электронного модуля, теплообменник.
Изобретение относится к силовой электронике, в частности к преобразователям с пониженными динамическими потерями в силовых полупроводниковых ключах, полумостовым драйверам, автономным инверторам тока и т.п.
Изобретение относится к силовой электронике, в частности к преобразователям с пониженными динамическими потерями в силовых полупроводниковых ключах, полумостовым драйверам, автономным инверторам тока и т.п.
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем, предназначенных для сборки в корпус с использованием эвтектической пайки и может быть использована для широкого круга изделий электронной техники.
Настоящее изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к устройствам и способам для получения эпитаксиальных структур, в том числе гетероэпитаксиальных структур. Представлены устройство и способ для охлаждения эпитаксиальных структур.
Изобретение относится к системе (S) защиты для обнаружения физического проникновения. Техническим результатом является предотвращение несанкционированного доступа к конфиденциальной информации.
Использование: для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона. Суть изобретени заключается в том, что изготовление фотопроводящей антенны для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона заключается в нанесении диэлектрического слоя на поверхность фотопроводящего слоя, нанесении фоторезиста и последующем формировании маски окон в диэлектрике, жидкостном травлении окон по маске, нанесении фоторезиста и формировании маски для металлизации антенны, термическом нанесении металлизации фотопроводящей антенны с последующим удалением остатков металла методом "взрывом", при этом металлизация фотопроводящей антенны наносится на диэлектрический слой, которым покрыта поверхность фотопроводящего слоя, а электрический контакт металлизации с полупроводником осуществляется через предварительно вскрытые окна в диэлектрическом слое.
Использование: для изготовления инерциальных измерительных модулей для регистрации первичной инерциальной и магнитной информации. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления инерциального измерительного модуля включает изготовление несущего основания в форме многогранника, закрепление на нем комбинированных датчиков угловой скорости, линейного ускорения и магнитного поля путем поверхностного монтажа и контроль работоспособности полученного инерциального измерительного модуля, изготовление несущего основания осуществляют из диэлектрической керамики путем формования керамической массы в пресс-форме с последующим обжигом в печи, формированием на боковых гранях несущего основания токопроводящего рисунка с контактными площадками, при этом формирование токопроводящего рисунка на боковых гранях несущего основания обеспечивает возможность непосредственной установки на них комбинированных датчиков угловой скорости, линейного ускорения и магнитного поля.
Изобретение относится к конструктивному устройству кремниевой микросхемы. Конструктивное устройство состоит из первой керамической подложки (1) с верхней (1b) и нижней (1а) сторонами, причем на верхнюю сторону (1b) нанесена металлизация (2), на которой при помощи соединительного средства (3) своей нижней стороной смонтирована Si-микросхема (4).
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов. Композитный корпус полупроводникового прибора состоит из металла, например алюминия, с концентрацией в общей массе в смеси от 15 до 60% и частиц порошка карбида кремния, при этом частицы карбида кремния в смеси двух типов: размером от 70 до 200 мкм и размером от 20 до 40 мкм, в отношении 3:1, где 3 части частиц - частицы размером от 70 до 200 мкм и 1 часть частиц - размером от 20 до 40 мкм, а материал корпуса обладает сходным, с подложкой СВЧ транзистора на основе карбида кремния, коэффициентом термического расширения.
Изобретение относится к электроизоляционным составам на основе отверждаемых полимерных композиций и может быть использовано в микроэлектронике для изготовления герметичных оболочек и/или изоляционных слоев высокоплотных электронных модулей.
Группа изобретений относится к светодиодным отображающим и осветительным устройствам, выполненным в виде гибкой тонкопленочной конструкции. Экранное устройство содержит по меньшей мере один модуль.
Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от твердотельного реле. Технический результат – создание надежного и эффективного способа охлаждения твердотельного реле.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к области СВЧ микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение адгезионной прочности монтажных соединений в коммутационной плате и технологичности коммутационной СВЧ-платы.
Изобретение относится к области выполнения межсоединений при сборке электронных устройств, в том числе многокристальных модулей, микромодулей, печатных схем. Технический результат - повышение точности совмещения при монтаже с увеличением качества, плотности и скорости монтажа, уменьшение минимального расстояния между соседними контактами с увеличением возможной степени интеграции и плотности монтажа, улучшение теплоотвода, повышение механической прочности контактного узла, повышение надежности узла, упрощение автоматизации монтажа.
Использование: для создания теплопроводного изолятора. Сущность изобретения заключается в том, что теплопроводный изолятор имеет первую деталь, имеющую первые пластинки, которые расположены на по меньшей мере одной поверхности первой детали, и вторую деталь, имеющую вторые пластинки, которые расположены на по меньшей мере одной поверхности второй детали, при этом первые пластинки и вторые пластинки расположены, будучи вставленными друг в друга, при этом между первой деталью и второй деталью по меньшей мере в области пластинок расположен изоляционный слой.
Предложен способ изготовления гибкой электронной схемы. Способ включает образование формы из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек, нанесение конформного материального покрытия поверх формы из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки и металлических дорожек, удаление излишка конформного материального покрытия путем выполнения прохода ножевого полотна над формой из позитивного фоторезиста, удаление формы из позитивного фоторезиста для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием, подачу анизотропной проводящей пасты в полость, вставление кристалла в полость и присоединение кристалла к проводящим дорожкам.
Изобретение относится к системам охлаждения электронных устройств. Технический результат заключается в расширении арсенала средств.
Изобретение относится к системам охлаждения электронных устройств. Технический результат заключается в расширении арсенала средств.
Изобретение относится к системам охлаждения. Технический результат заключается в расширении арсенала средств.