Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей и конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество и способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21 и конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23 и приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27 и резисторы (H01L29)

H01L29              Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27; резисторы(725)
H01L29/40 - Электроды(2)
H01L29/861 - Диоды(28)
H01L29/866 - Диоды зеннера(4)
H01L29/868 - P-i-n диоды(3)
H01L29/872 - Диоды шотки(5)

Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики // 2792816
Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики относится к приборам с отрицательным объёмным сопротивлением (приборам на основе эффекта Ганна), применяемым в качестве новых типов активных электронных структур, основанных на проявляемых объёмных нелинейных эффектах основных носителей заряда в полупроводниках типа AIIIBV, работающих в условиях сильных внешних воздействий напряжённостей электрических и магнитных полей.

Мощная вч- и свч-транзисторная структура // 2791863
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и многослойный балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.

Кристалл униполярно-биполярного силового высоковольтного гиперскоростного арсенид-галлиевого диода с гетеропереходами с фотонными и фотовольтаидными свойствами // 2791861
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Кристалл униполярно-биполярного силового высоковольтного гиперскоростного арсенид-галлиевого диода с гетеропереходами, с фотонными и фотовольтаидными свойствами включает монокристаллическую GaAs подложку n+-типа проводимости с последовательно выполненными на ней эпитаксиальным слоями: буферным GaAs слоем n+-типа проводимости, слоем AlхGa1-хAs n+-типа проводимости с х = 0,25 ÷ 0,6, слоем GaAs р-типа проводимости, слоем AlхGa1-хAs р+-типа проводимости с х = 0,25 ÷ 0,6, слоем GaAs p+-типа проводимости, и омическими контактами на поверхности эпитаксиального слоя GaAs p+-типа проводимости и на тыльной поверхности монокристаллической GaAs подложки n+-типа проводимости.

Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения // 2790304
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения.

Способ изготовления двухспектрального фоточувствительного элемента на основе барьера шоттки // 2790061
Способ используется для изготовления двухспектральных фоточувствительных устройств, предназначенных для независимой регистрации излучений в ближнем ультрафиолетовом (УФ) и среднем инфракрасном (ИК) диапазонах спектра.

Наноразмерный сенсор электрического потенциала на полевом эффекте // 2790004
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к полупроводниковым сенсорам электрического потенциала, позволяющим проводить измерения с высоким пространственным разрешением на поверхности твердых тел и жидкостей, а также в объеме жидкостей, в том числе содержащихся внутри живых организмов и других биологических структур.

Мощная вч- и свч-транзисторная структура // 2789511
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура согласно изобретению содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода, при этом балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщина верхнего слоя увеличивается в продольном направлении от эмиттерной металлизации.

Диод с отрицательной дифференциальной проводимостью на структуре "кремний на изоляторе" // 2788587
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП) и может быть использовано при создании СВЧ интегральных схем.

Мощный полевой транзистор свч // 2787552
Заявлен мощный полевой транзистор СВЧ, содержащий полуизолирующую полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой выполнена заданная структура полупроводниковых слоев на основе арсенида галлия, на лицевой стороне которой - по меньшей мере одна заданная топология пассивной и активной областей полевого транзистора, последняя представляет собой последовательность элементов - единичных электродов истока, затвора, стока, каждый с соответствующими контактными площадками, токопроводящего канала с канавкой между каждой парой единичных электродов исток - сток под каждый единичный электрод затвора, при этом одноименные единичные электроды - истока, затвора, стока соединены электрически.

Способ изготовления мощного полевого транзистора свч на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия // 2787550
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложки полупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида галлия в виде последовательности слоев, формирование заданной топологии элементов активной области полевого транзистора на слоях полупроводниковой гетероструктуры, предусматривающей формирование канала в виде двумерного электронного газа вблизи гетерограницы слоев узкозонного и широкозонного материалов полупроводниковой гетероструктуры, омических контактов электродов истока и стока, щели под электрод затвора, самого электрода затвора типа барьера Шоттки, формирование пассивирующего покрытия из диэлектрического материала, при этом формирование полупроводниковой гетероструктуры на подложке и последовательности технологических операций технологического процесса изготовления в целом осуществляют в два этапа, на первом этапе осуществляют формирование прямой последовательности слоев полупроводниковой гетероструктуры – буферного слоя GaN толщиной (2,0-3,0)×10-6 м, слоя AlN толщиной (0,5-0,7)×10-9 м, барьерного слоя AlxGa1-xN, где х равно 0,24-0,26, толщиной менее 25,0×10-9 м, дополнительного пассивирующего покрытия Si3N4 на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN толщиной (5,0-10,0)×10-9 м, при этом вышеупомянутые слои формируют в едином технологическом процессе, формирование топологии элементов активной области полевого транзистора на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN, при одновременном определении расположения активной области щели под электрод затвора, посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, на втором этапе осуществляют формирование контактного слоя полупроводниковой гетероструктуры, в виде GaN, в области расположения электродов истока и стока соответственно на глубине, равной сумме толщин упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры, сформированных на первом этапе, от лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN и до (1,9-2,9)×10-6 м от обратной поверхности буферного слоя GaN, при одновременном легировании контактного слоя GaN донорной примесью кремния Si с концентрацией легирующей примеси 1019-1020 см-3, формирование меза-изоляции активной области полевого транзистора посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, омических контактов электродов истока и стока на лицевой поверхности упомянутого контактного слоя в виде GaN, щели под электрод затвора согласно иной топологии элементов активной области полевого транзистора и самого электрода затвора, пассивирующего покрытия одновременно на всей лицевой поверхности активной области полевого транзистора толщиной (50-100)×10-9 м, с обеспечением защиты электродов истока, стока, канала и электрода затвора.

Элемент постоянной памяти на основе проводящего ферроэлектрика gete // 2785593
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности при создании элементов постоянной памяти на основе ферроэлектрических материалов и в системах нейроморфных вычислений, для записи и хранения долговременной информации.

Полевой транзистор свч с барьером шоттки // 2784754
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов устройств СВЧ. Полевой транзистор СВЧ с барьером Шоттки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным и контактным слоями, гребенку из чередующейся последовательности единичных электродов исток-затвор-сток, при этом между электродами исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия шириной не менее 4,0 мкм, в парах электродов исток-сток расположены каналы с канавками, в последних расположены электроды затвора, при этом - асимметрично в сторону электродов истока, в канале каждой из пар электродов исток-сток, со стороны электрода истока расположен диэлектрический слой из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, каждый из электродов затвора относительно его боковой поверхности со стороны электрода стока выполнен по высоте с разным размером поперечного сечения в сторону электрода истока, при этом нижняя часть - с меньшим, верхняя часть - с большим, одноименные электроды исток-затвор-сток соединены электрически, при этом канавка канала выполнена глубиной не более 0,3 мкм, диэлектрический слой в канале каждой из пар электродов исток-сток выполнен и со стороны электрода стока, при этом оба диэлектрических слоя выполнены из одного материала, с относительной диэлектрической проницаемостью менее 8,0, одинаковой толщины 0,1-0,25 мкм, расстояние между упомянутыми обоими диэлектрическими слоями соответствует ширине канавки канала и равно 0,3-1,0 мкм, нижняя часть электрода затвора выполнена по длине с размером поперечного сечения 0,03-0,5 мкм, по высоте - равной сумме значений глубины канавки канала и толщины диэлектрического слоя и расположена непосредственно на верхней поверхности канавки канала, её боковая поверхность со стороны электрода стока - по всей глубине боковой поверхности канавки канала и по всей толщине боковой поверхности диэлектрического слоя, верхняя часть электрода затвора выполнена с размером поперечного сечения по длине, превышающим размер поперечного сечения по длине нижней части на 0,3-0,6 мкм, при этом превышающая ее часть расположена непосредственно на верхней поверхности диэлектрического слоя, длина электрода затвора соответствует размеру поперечного сечения по длине его нижней части и соответственно равна 0,03-0,5 мкм.

Способ изготовления моп-транзистора на структуре "кремний на изоляторе" // 2784405
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к изготовлению полупроводниковых приборов с повышенным значением напряжения пробоя подзатворного диэлектрика и меньшим значением туннельного тока через этот диэлектрик.

Стабилитрон на структуре "кремний на изоляторе" // 2783629
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких интегральных схем с управляемым напряжением стабилизации. Технический результат предлагаемого стабилитрона заключается в возможности управления напряжением стабилизации, повышении рационной стойкости и расширении области применения.

Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия // 2782307
Изобретение относится к полупровдниковой электронике на основе нитрида галлия, в котором полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде следующей прямой последовательности упомянутых слоев узкозонного и широкозонного материалов полупроводниковой гетероструктуры: буферный слой GaN толщиной 1,0-3,0 мкм, при этом непосредственно на упомянутой подложке слой AlN толщиной 0,5-0,7 нм, барьерный слой AlGaN толщиной менее 25 нм, часть полупроводниковой гетероструктуры вне области расположения электрода затвора на глубину от верхней, наружной, поверхности барьерного слоя и до 0,9-2,9 мкм от нижней его поверхности легирована донорной примесью с концентрацией легирующей примеси 1018-1019 см-3, при этом электроды истока и стока выполнены на верхней, наружной, поверхности упомянутых областей полупроводниковой гетероструктуры, легированных донорной примесью, соответственно электрод затвора выполнен на верхней, наружной, поверхности барьерного слоя либо заглублен в упомянутый слой на заданную глубину, при этом электрод затвора выполнен заданной длины, ширины и геометрической формы.

Функциональный элемент квантового излучателя // 2781531
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в квантовой криптографии, в системах передачи информации, квантовых вычислений или обработки данных, а также в качестве метрологического стандарта светового потока и для энергетики.

Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре // 2781044
Изобретение предназначено для разработки и производства широкого класса устройств электронной техники СВЧ, в том числе радиолокационных устройств. Полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре содержит полупроводниковую подложку и последовательность, по меньшей мере, одного слоя широкозонного и одного слоя узкозонного материалов с заданными характеристиками полупроводниковой гетероструктуры типа AlGaAs-InGaAs-GaAs, электроды истока, затвора, стока, расположенные на лицевой стороне полупроводниковой гетероструктуры.

Кс-транзистор // 2780958
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено для создания мощных, сверхмощных и высоковольтных высокочастотных КС-транзисторов (КС-транзистор - транзистор с каскадным суммированием мощностей).

Способ изготовления проводящей наноячейки с квантовыми точками // 2777199
Изобретение относится к наноэлектронике, а именно к способам изготовления элементов и структур приборов с квантовыми эффектами. Предлагается способ изготовления проводящей наноячейки с квантовыми точками, включающий нанесение на непроводящую подложку нанопленки металла ванадия, активированного алюминием в объемной доле 1-5%, в виде полоски-проводника наноразмерной ширины; поверх нее – защитной маски с нанощелью поперек полоски-проводника; плазмохимическое травление через нанощель маски тетрафторидом углерода в проточной среде очищенного аргона при охлаждении реактивной зоны в интервале температур не ниже точки росы в камере-реакторе; при этом скорость травления регулируется и подбирается экспериментально для обеспечения высокого аспектного числа наноячейки; адресное осаждение квантовых точек проводится электрофоретически из матрицы, выполненной в виде мономолекулярной пленки, нанесенной методом Ленгмюра-Блоджетт; при этом адресность расположения квантовых точек в нанозазоре между наноэлектродами наноячейки обеспечивается поочередной подачей постоянного или переменного напряжения между одним из наноэлектродов и электродом электрофоретического устройства.

Конвертор спинового тока в зарядовый ток на основе гетероструктуры из перовскитов переходных металлов // 2774958
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.

Латеральный биполярный транзистор на структурах "кремний на изоляторе" и способ его изготовления // 2767597
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких микросхем радиочастотного диапазона длин волн. Способ изготовления латерального биполярного транзистора на структурах «кремний на изоляторе» согласно изобретению включает формирование размещенных в эпитаксиальном слое кремния областей эмиттера, базы и коллектора, ограниченных по краям боковой диэлектрической изоляцией и двуокиси кремния, с электрической разводкой по металлу с подслоем силицида титана и пассивирующим слоем диэлектрика, при этом легирование области активной базы n-р-n биполярного транзистора выполняют двойной имплантацией ионов бора и BF2+, легирование области n+ коллектора двойной имплантацией ионов фосфора, областей n+ эмиттера и коллектора двойной имплантацией ионов фосфора с большей дозой легирования, легирование области пассивной базы имплантацией ионов бора, через буферные слои двуокиси кремния, с последующим быстрым термическим отжигом радиационных дефектов, при режиме имплантации ионов бора, BF2+ и фосфора выбирают исходя из требования получения после термической активации примеси близкое к равномерному распределение примеси на всю глубину эпитаксиального слоя до границы раздела с «захороненным» диэлектриком в областях эмиттера, базы и коллектора, при этом p-n-р латеральные биполярные транзисторы изготавливают по аналогичной технологии со сменой типа примеси для областей эмиттера, базы и коллектора.

Мощный свч транзистор // 2763387
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов, и может быть использовано для создания на их основе приемо-передающей радиоэлектронной аппаратуры.

Выпрямитель переменного тока с неколлинеарной намагниченностью // 2762383
Изобретение относится к области спинтроники, а именно, к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Техническим результатом заявленного изобретения является упрощение изготовления выпрямителя.

Выпрямитель переменного тока на базе неоднородной гетероструктуры // 2762381
Изобретение относится к области спинтроники, а именно: к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Технический результат заявленного изобретения заключается в расширении частотной полосы выпрямления переменного тока.

Электронное устройство на основе одноэлектронного транзистора, реализующее отрицательное дифференциальное сопротивление // 2759243
Изобретение относится к нанотехнологиям, а конкретно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов, которые могут быть использованы для конструирования новых вычислительных, коммуникационных и сенсорных устройств.

Способ изготовления транзистора с зависимым контактом к подложке // 2758413
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов на пластине кремний на изоляторе (КНИ) с широкой областью применения. Техническим результатом предлагаемого решения является расширение области применения транзистора с двумя слоями поликремния и с зависимым контактом к подложке.

Диод для вращающегося выпрямителя синхронной электрической машины // 2757166
Изобретение относится к области бесщеточных синхронных электрических машин, содержащих вращающиеся выпрямители, а более точно, к используемым во вращающихся выпрямителях полупроводниковым диодам, в которых полупроводниковый элемент заключен в герметичный корпус.

Способ производства подложки на основе карбида кремния и подложка карбида кремния // 2756815
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2755774
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния с ориентацией (100), (111) формируют гетероструктуру GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10-5 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующим электроннолучевым отжигом при 0,8 Дж/см2 в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С.

Металл-диэлектрик-металл-диэлектрик-металл фотодетектор // 2749575
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн.

Способ изготовления тонкопленочного транзистора // 2749493
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке.

Способ производства структуры единичной ячейки силиконово-карбидного моп-транзистора // 2749386
Изобретение относится к способам изготовления одноячеечной структуры карбидокремниевого полевого МОП-транзистора. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры карбидокремниевого полевлшл МОП транзистора, в котором область проводящего канала имеет изогнутую форму и состоит из трех областей, при этом между первыми смежными областями расположены четвертые области, благодаря чему общая длина области вертикального проводящего канала может существенно увеличиваться, снижая, таким образом, отношение сопротивления канала к сопротивлению во включенном состоянии.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2748455
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки.

Способ записи и считывания информации для элементов постоянной памяти нейроморфных систем // 2744440
Изобретение относится к области структур памяти с использованием биологической модели, в частности к способу записи и считывания информации для элементов постоянной памяти нейроморфных систем. Технический результат заключается в обеспечении записи информации для системы долговременной резистивной памяти с единым каналом записи и считывания без необходимости использования внешних электрических полей затвора транзистора для записи информации.

Мощная вч- и свч-транзисторная структура // 2743675
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.

Мощная вч- и свч-транзисторная структура // 2743674
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем - с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.

Мощная вч- и свч-транзисторная структура // 2743673
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода.

Преобразователь магнитного поля с функционально интегрированной структурой // 2743625
Изобретение относится к высокоточным сенсорам магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла, создание таких приборов расширит область их применения особенно в медицине. Конструкция преобразователя магнитного поля содержит горизонтальный биполярный транзистор n-p-n (p-n-p), расположенный на поверхности подложки, содержащий диэлектрик, область коллектора и область эмиттера n (р) типа проводимости, область базы р (n) типа проводимости, на области эмиттера размещен электрод общей шины, на области базы - электрод управляющей шины, на области коллектора - электрод выходной шины, на поверхности подложки также размещены электрод шины питания, нагрузочный резистор, соединенный соответственно первым выводом с электродом коллектора, вторым выводом с электродом шины питания, отличающаяся тем, что диэлектрик расположен на поверхности области базы, на поверхности диэлектрика расположен дополнительный электрод управляющей шины, образующий с диэлектриком и областью базы функционально интегрированную структуру МОП конденсатора, при этом сопротивление подложки образует резистор базы, а на поверхности подложки расположена область дополнительного коллектора n (р) типа проводимости, на поверхности которого расположен электрод шины питания.

Полевой транзистор с барьером шотки // 2743225
Заявлен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть - на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между упомянутой первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя.

Короткозамкнутый полупроводниковый элемент и способ его эксплуатации // 2742343
В современных видах применения передачи энергии и электрических приводах большой мощности также требуются закорачиваемые индивидуальные последовательно соединенные субмодули в случаях повреждения, для того чтобы обеспечивать дальнейшее функционирование систем.

Мощный концентраторный фотоэлектрический модуль // 2740738
Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит монолитную фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), по меньшей мере один первичный оптический концентратор (4), по меньшей мере один вторичный оптический концентратор в форме фокона (9), меньшим основанием обращенным к фотоэлектрическому элементу (10) с теплоотводящим элементом (11), размещенным на фронтальной поверхности тыльной панели (2).

Карбидокремниевое переключающее устройство и способ его производства // 2740124
В изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и метод его изготовления; устройство используется для уменьшения отношения сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии.

Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке // 2739861
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов на пластине кремний на изоляторе (КНИ) с широкой областью применения. Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке включает формирование на пластине кремний на изоляторе областей стока, истока, затвора, состоящего из двух слоев поликремния, при этом согласно изобретению независимый контакт к подложке выполняют путем создания сильнолегированной области кремния вне активной области транзистора, которую соединяют с транзистором посредством дополнительной легированной области кремния.

Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания // 2737136
Изобретения могут быть использованы в электронных устройствах на подложке, например в транзисторах, интегральных схемах и т.д. Ребра электронного устройства могут быть сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI).

Коммутатор мощных двуполярных импульсов тока // 2733920
Изобретение относится к высоковольтным твердотельным коммутаторам, используемым в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и пучковых технологиях.

Полупроводниковый преобразователь давления с повышенной точностью и чувствительностью // 2732839
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к полупроводниковым преобразователям давления, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных датчиков малых давлений.
Вихревой спиновый диод, а также приемник и детектор на его основе // 2731531
Настоящее изобретение относится к области беспроводной передачи энергии и информации, а также детектирования переменного сигнала и представляет собой приемник или детектор на основе вихревого спинового диода (являющегося выпрямляющим элементом), работающего за счет эффекта переноса спина и туннельного/гигантского магнетосопротивления и представляющего из себя магнитную многослойную гетероструктуру.

Датчик давления с интегральным преобразователем температуры пониженного энергопотребления // 2730890
Изобретение относится к области измерительной техники и автоматики, представляет собой датчик давления с интегральным преобразователем температуры и может быть использовано в малогабаритных преобразователях давления и температуры в электрический сигнал.

Способ изготовления составной подложки из sic // 2728484
Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.

Усовершенствованная меандровая линия задержки с лицевой связью, защищающая от сверхкоротких импульсов // 2724983
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. Техническим результатом является увеличенное ослабление СКИ, за счет его разложения на последовательность из четырех импульсов меньшей амплитуды: перекрестную наводку, импульс четной моды, дополнительный импульс и импульс нечетной моды.
 
.
Наверх