Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения и способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей и конструктивные элементы приборов (H01L51 имеет преимущество и приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L27 и кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D13/18 и получение тепловой энергии с (H01L31)
H Электричество(232322)
H01L31 Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L51 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L27; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D13/18; получение тепловой энергии с(1085)
H01L31/02 - Конструктивные элементы(122)
H01L31/0203 - Корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов(5)
H01L31/0216 - Покрытия(11)
H01L31/0224 - Электроды(17)
H01L31/0232 - Оптические элементы или приспособления, связанные с прибором(10)
H01L31/0236 - Специальные поверхностные рельефы(4)
H01L31/024 - Приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации(18)
H01L31/0248 - Отличающиеся полупроводниковой подложкой(6)
H01L31/0256 - Отличающиеся материалом кристалла(4)
H01L31/0264 - Неорганическим материалом(2)
H01L31/0272 - Использованием селена или теллура(1)
H01L31/028 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы периодической системы(4)
H01L31/0288 - Отличающимся легирующим веществом(3)
H01L31/0296 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiibvi, например cds, zns, hgcdte(12)
H01L31/0304 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiiibv(4)
H01L31/0312 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aivbiv, например sic(2)
H01L31/032 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L31/0272-H01L31/0312(3)
H01L31/0328 - Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L31/0272- H01L31/032(2)
H01L31/0352 - Отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей(10)
H01L31/036 - Отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей(8)
H01L31/0376 - Содержащие аморфные полупроводники ( H01L31/0392 имеет преимущество)(3)
H01L31/04 - Предназначенные для работы в качестве преобразователей(279)
H01L31/042 - Содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов(120)
H01L31/045 - Складные(7)
H01L31/048 - Герметизированные бескорпусные или с корпусом(17)
H01L31/05 - Отличающиеся специальными межсоединениями(61)
H01L31/07 - С потенциальными барьерами только типа шотки(11)
H01L31/072 - С потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода(6)
H01L31/075 - С потенциальными барьерами только p-i-n-типа(2)
H01L31/078 - Содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик H01L31/062-H01L31/075(1)
H01L31/08 - В которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы(55)
H01L31/09 - Приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению ( H01L31/101 имеет преимущество)(19)
H01L31/103 - С потенциальным барьером в виде p-n-перехода(2)
H01L31/105 - С потенциальным барьером p-i-n-типа(1)
H01L31/108 - С потенциальным барьером шотки(4)
H01L31/109 - С потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода(1)
H01L31/11 - Отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы(54)
H01L31/112 - Отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы(3)
H01L31/113 - Со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник(6)
H01L31/115 - Приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению(31)
H01L31/119 - Отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник(2)
H01L31/16 - С полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света(14)
H01L31/173 - Сформированные на общей подложке или внутри нее(3)
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, в частности одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия (InSb), и может быть использовано при изготовлении линейных и матричных фотодиодов.
Изобретение относится к технике измерения дальности, в частности к приему оптических сигналов с помощью лавинных фотодиодов, и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах.
Солнечный фотоэлектрогенератор // 2791962
Солнечный фотоэлектрогенератор содержит солнечную батарею (2), установленную на верхней части платформы колесного транспортного средства (1), и устройство развертывания солнечной батареи из исходного компактного транспортного положения.
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии в потоке очищенного водорода на подложке n-InP базового слоя n-InGaAsP, слоя р+-InGaAsP, формирование диффузионного р-n-перехода, утончение подложки InP, формирование фронтального и тыльного омических контактов, травление разделительной мезы.
Способ и устройство стабилизации температурного режима фотоэлектрических преобразователей // 2791856
Изобретение относится к области солнечной энергетики. Способ стабилизации температурного режима фотоэлектрических преобразователей включает охлаждение тыльной стороны фотоэлектрических преобразователей, при этом теплоотвод от тыльной стороны фотоэлектрических преобразователей осуществляют испарением теплоносителя в испарителе регулируемой тепловой трубы, состоящей из испарителя, конденсатора и транспортной зоны.
Изобретение относится к области космической навигации и предназначено для обеспечения космических аппаратов информацией об их ориентации относительно Солнца. Сущность заявленного изобретения состоит в следующем.
Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки // 2790944
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления.
Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления фотоэлементов с радиационно-стойким защитным стеклом. Способ изготовления стеклянных пластин для фотопреобразователей космического назначения включает создание слоя поверхностного сжатия на стеклянной пластине, кислотное травление в растворе плавиковой кислоты на глубину, равную или большую глубины сжатого слоя стекла, защиту травленной поверхности стекла химической закалкой, кислотное травление выполняют при вертикальном поступательно-возвратном перемещении стеклянных пластин в растворе, а после химической закалки выполняют одностороннее капельное нанесение на стеклянные пластины защитного слоя силиконового каучука, причем в качестве растворителя силиконового каучука используют смесь Сольвента и бензина Нефрас.
Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации ti/au // 2790272
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в кремниевых приборах, например, приборов, к которым относятся фоточувствительные элементы, работающие в фотовольтаическом режиме, ограничительные диоды, выпрямители, солнечные элементы и др.
Солнечная фотоэлектростанция // 2789285
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к солнечным энергетическим системам, предназначенным для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии на поверхности Луны.
Солнечная фотоэлектрическая энергоустановка // 2789205
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к солнечным энергетическим устройствам, предназначенным для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии на лунной поверхности.
Изобретение относится к области солнечной энергетики, а именно к фотоэлектрическим преобразователям на основе полупроводниковых материалов перовскитного типа. В общем случае, изобретение относится к фотовольтаическим устройствам - солнечным батареям и фотодетекторам.
Способ формирования солнечной батареи // 2788611
Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к сборке стационарных солнечных батарей. Способ формирования солнечной батареи включает размещение фотоэлементов на основании с помощью направляющих, причем основание изготавливают из двух продольных и двух поперечных перекладин из уголка, скрепленных друг с другом сварным соединением, направляющие изготавливают в виде двух прямоугольных рам из швеллера со сварными соединениями сторон, на поперечных перекладинах основания, в местах крепления основания с направляющими выполняют сквозные пазы длиной на 10-12 мм больше ширины нижней горизонтальной плоскости швеллера, на нижней плоскости швеллера, в местах крепления направляющих к основанию, выполняют отверстия на расстоянии от краев, равном 1/4 общей длины направляющей, фотоэлементы закрепляют на верхних горизонтальных плоскостях направляющих клеевым соединением, устанавливают направляющие на основание таким образом, чтобы сквозные пазы в основании совмещались с отверстиями на нижних горизонтальных плоскостях направляющих, вставляют в отверстие болт с внешней стороны нижних горизонтальных плоскостей направляющих, на начало резьбы которого накручивают П-образный зажим с резьбовым отверстием по центру, выступом со стороны пазов и укороченной на толщину швеллера направляющих другой стороной, прижимают зажим к пазу и к внутренней плоскости швеллера направляющих, после чего болт полностью затягивают.
Изобретение относится к области изготовления фотоприемных полупроводниковых приборов, работающих в широком диапазоне длин волн. Пластина для изготовления по меньшей мере одного полупроводникового фотоприемного прибора, выполненного с возможностью освещения его с обратной стороны, содержит кремниевую подложку, содержащую основную кремниевую часть и эпитаксиальный слой кремния, выполненный на основной кремниевой части, также содержит кварцевый слой, сформированный на лицевой поверхности эпитаксиального слоя, а обратная сторона эпитаксиального слоя кремния выполнена с возможностью формирования на ней по меньшей мере одного полупроводникового фотоприемного прибора после механического и химического утонения пластины со стороны основной кремниевой части.
Изобретение относится с солнечной энергетике, в частности, к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей на германиевой подложке. Cпособ изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке включает создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и диода, вытравливание мезы, нанесение защитного покрытия, химико-динамическое травление германиевой подложки, удаление защитного покрытия, напыление тыльной металлизации, отжиг контактов, химико-динамическое травление подложки выполняют до израсходования плавиковой кислоты, лимитирующей количество стравливаемого германия, в растворе продуктов травления, причем раствор продуктов травления используют многократно, вновь добавляя плавиковую кислоту и перекись водорода в соотношении объемных частей, при этом плавиковой кислоты (46%) 8÷17 объемных частей, перекиси водорода (30%) 8÷19 объемных частей, раствора продуктов травления 84÷64 объемных частей, а затем выполняют химико-динамическую обработку германиевой подложки в растворе ортофосфорной кислоты, перекиси водорода и воды.
Изобретение относится к испытаниям космической техники, а именно к установкам для имитации тепловых режимов работы элементов космических аппаратов (КА), и может быть использовано для испытаний фотоэлектрических батарей на термостойкость.
Композитно-проволочный электрод для системы контактирования фотоэлектрических преобразователей // 2787467
Изобретение относится к области электротехники и солнечной энергетики, а именно к технологии контактирования фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), конструкционным элементам для коммутации ФЭП и технологии сборки солнечных модулей.
Изобретение относится к полупроводниковому материалу, инфракрасному светоприемному элементу и способам производства полупроводникового материала. Предложен полупроводниковый материал, характеризующийся улучшенной противоокислительной стойкостью.
Изобретение относится к технологии изготовления фоточувствительных элементов на основе полупроводниковых гетероструктур и может использоваться для создания ИК фотоприемников для спектрального диапазона 1.5-3.8 мкм.
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано в изделиях оптоэлектроники, работающих в ближней инфракрасной области спектра, лазерной и сенсорной технике.
Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприёмника // 2783220
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения, в том числе гибридных. Способ получения распределения чувствительности по площади пикселя матричного фотоприемника (МФП) с помощью сканирующей маски при температуре жидкого азота включает то, что измерения осуществляют неразрушающим способом при помощи пластины, прозрачной в области спектральной чувствительности МФП с частично закрытыми металлическим слоем непрозрачными областями, которая контактируется металлической поверхностью непосредственно с МФП под тяжестью собственного веса в зондовой установке открытого типа и выравнивается по углу поворота в горизонтальной плоскости при поднятии зондового манипулятора с фиксированным расположением контактов относительно БИС считывания до уровня верхнего края пластины, порезанной по линиям, параллельным направлению расположения окошек в маске, и сдвигом ее по оси перпендикулярно линии выравнивания фиксированных зондов, а перед размещением пластины с маской МФП калибруется с проведением двухточечной коррекции для выравнивания чувствительности.
Изобретение относится к области материаловедения, в частности к области формирования диэлектрических покрытий на поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) n-типа проводимости, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.
Терагерцевый болометр на горячих электронах // 2782707
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для детектирования излучения терагерцевого (ТГц) диапазона частот, а именно к прямым детекторам ТГц излучения болометрического типа. Болометр на горячих электронах для детектирования излучения терагерцевого (ТГц) диапазона частот включает в себя полупроводниковую структуру с нанесенными на ее поверхность стандартной топологии полевого транзистора, при этом в качестве фотопоглощающего элемента используется эпитаксиальная структура, состоящая из системы проводящих одномерных нанонитей из атомов олова, встроенных в объем кристалла GaAs, зонная структура которой представляет собой множество потенциальных ям с локализованными в них электронами, а металлические контакты на поверхности структуры ориентированы таким образом, чтобы ток в канале транзистора тек в направлении перпендикулярно нанонитям, при этом между контактами истока и стока приложено слабое тянущее поле, а запирающее напряжение на затворе выставляется таким образом, чтобы проводимость в поперечном направлении отсутствовала.
Настоящее изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники. Способ изготовления AlGaN-гетероструктур для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона включает отжиг подложки из сапфира при температуре (800-850)°С, нитридизацию поверхности подложки из сапфира в потоке активированного азота при температуре TS=(780-820)°С, последовательное выращивание методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии зародышевого слоя AIN в режиме эпитаксии с повышенной миграцией атомов при температуре TS=(780-820)°C толщиной (60-130) нм, буферного слоя AIN в режиме металл-модулированной эпитаксии в слабых металл-обогащенных условиях при соотношении потоков алюминия и азота FN FAl/FN=1.05 толщиной 1-2 мкм и активного слоя AlGaN, легированного Mg, в металл-обогащенном режиме с непрерывным изменением содержания алюминия в слое от 80 до 37% толщиной (90-160) нм при температуре (680-700)°С путем уменьшения потока алюминия в процессе роста при неизменном соотношении (FAl + FGa)/FN потоков металлов (FAl, FGa) и азота.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей. Способ включает формирование гетероструктуры GaInP/Ga(In)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами.
Способ изготовления фотоприемника // 2781461
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой освещенности в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра.
Высокотемпературный ик фоторезистор // 2781043
Способ получения инфракрасного фоторезистора на основе кристалла CdSxSe1-x, отличающийся тем, что на кристалл CdSxSe1-x методом электролиза одновременно наносятся легирующие примесями Cu, Се и Sb, который затем подвергается термоотжигу при t=800±50°С, чем достигается более высокая вольт-ваттная чувствительность (порядка 105 В/Ват) к свету из ближней спектральной области инфракрасного излучения.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементах (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Задачей настоящего изобретения является способ определения достаточности глубины ионно-лучевого травления сложных полупроводниковых структур с отличающимися по скоростям травления составляющих структуру слоев, с наклонными боковыми поверхностями меза-элементов матрицы, с обеспечением необходимой достаточности глубины травления структуры до нижнего контактного слоя n+, не допуская нарушения связности (целостности) нижнего контактного слоя, что обеспечивает разделение сплошной ГЭС структуры на множество меза-элементов матрицы, соединенных нижним контактным слоем, открытым для соединения со схемой считывания.
Гелиотермоэлектростанция // 2780579
Изобретение относится к теплоэлектроэнергетике и может быть использовано для утилизации тепловой энергии природных источников, а именно для прямой трансформации солнечной энергии в электрическую в различных условиях.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно, к технологии получения плёнок кристаллических материалов на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, которые могут быть использованы для производства полупроводниковых (солнечные элементы) и оптоэлектронных (светоизлучающих) устройств.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к способу получения плёнки органо-неорганического комплексного галогенида с перовскитоподобной структурой. Указанная пленка может быть использована для производства полупроводниковых устройств.
Изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов, и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах. Сущность: способ приема оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания.
Изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов, и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах. Сущность: способ порогового обнаружения оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания.
Способ приема импульсных оптических сигналов // 2778048
Изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов. Способ приема импульсных оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода, включающий пороговую обработку сигналов с помощью порогового устройства и формирование выходных импульсов, предварительно определяют неумножаемую составляющую квадрата шумового тока, приведенного к выходу фотодиода, устанавливают порог приведенный к выходу фотодиода, в пределах где - квадрат неумножаемого шумового тока, приведенного к выходу фотодиода, устанавливают напряжение смещения фотодиода на уровне, при котором коэффициент лавинного умножения где α - коэффициент шума фотодиода, - квадрат умножаемой составляющей первичного шумового тока, приведенного к выходу фотодиода; е - заряд электрона; I1 - первичный умножаемый темновой ток фотодиода; Δf - полоса пропускания приемного тракта, после этого уменьшают напряжение смещения до тех пор, пока частота fшМ превышений порога шумовыми выбросами не упадет до предельно допустимого уровня, при этом фиксируют напряжение смещения и начинают уменьшать порог до уровня, при котором частота шумовых превышений порога не достигнет номинального промежуточного значения затем увеличивают порог в раз, где f0 - частота пересечения шумом нулевого уровня, a fp - предельно допустимая частота ложных срабатываний в рабочем режиме, после чего фиксируют порог и приступают к приему сигналов.
Способ приема оптических сигналов // 2778047
Изобретение относится к приему оптических сигналов, в частности, к технике приема сигналов с помощью лавинных фотодиодов. Способ приема оптических сигналов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, при этом напряжение смещения фотодиода увеличивают от начального уровня Uсм1 до рабочего уровня UсмМ со скоростью где ΔUсм - ступень регулирования напряжения смещения за один цикл контроля; ΔT=KΔt - длительность цикла контроля наличия микроплазм; - количество тактов контроля в одном цикле; рв - доверительная граница оценки вероятности генерации микроплазмы; t - надежность определения рв; Δt - длительность такта проверки наличия микроплазмы; при этом в процессе регулирования порог срабатывания непрерывно корректируют в режиме шумовой автоматической регулировки порога, поддерживая заданное отношение порог/шум, и проверяют наличие импульсов, превышающих уровень, соответствующий амплитуде микроплазм, при регистрации первого такого импульса в момент tM устанавливают достигнутый к этому моменту коэффициент лавинного умножения М путем фиксации напряжения смещения фотодиода UсмМ(tM), одновременно фиксируют уровень порога, после чего приступают к приему оптических сигналов.
Способ приема оптических импульсов // 2778046
Изобретение относится к приему оптических сигналов с помощью лавинных фотодиодов и может быть использовано в локации, связи и других фотоэлектронных системах. Способ приема оптических импульсов с помощью лавинного фотодиода включает пороговую обработку сигналов и формирование выходных импульсов с помощью порогового устройства при превышении сигналом с выхода фотодиода заданного порога срабатывания, настройку лавинного режима производят в температурной точке Т=Т0, наиболее критичной к заданным условиям эксплуатации, а ход температурной зависимости напряжения смещения образуют так, чтобы коэффициент лавинного умножения фотодиода удовлетворял заданным требованиям по коэффициенту усиления приемного тракта с учетом допустимой частоты микроплазменных пробоев во всем рабочем температурном диапазоне, включая точку Т=Т0, при этом коэффициент лавинного умножения М в температурной точке Т=Т0 должен быть как можно ближе к оптимальному значению где Q - постоянный коэффициент, не зависящий от температуры и устанавливаемый при регулировке.
Изобретение относится к способу формирования модулей батареи фотоэлектрических преобразователей, устанавливаемых на плоских поверхностях. Модуль батарей включает массив ячеек фотоэлектрических преобразователей, объединенных в отдельные модули по одинаковой энергоотдаче.
Настоящее изобретение относится к области электротехники, в частности к конвертеру для преобразования электромагнитной волны в постоянный электрический ток. Технический результат заключается в упрощении конструкции конвертера.
Изобретение относится к оптике. Оптический экран для фотовольтаической (ФВ) ячейки, содержащий по меньшей мере один несущий элемент, снабженный серией заглубленных в него оптических функциональных полостей, образующих по меньшей мере один заданный оптический рельефный паттерн.
Фотоприемник // 2775590
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается фотоприемника. Фотоприемник включает фоточувствительный элемент и связанный с ним воедино МДП транзистор.
Изобретение относится к областям электротехники и гелиотехники, в частности к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения для получения электроэнергии и тепла. Технический результат заключается в повышении КПД и достигается тем, что в солнечной энергетической установке с концентратором, выполненной в виде ламелей, содержащих концентратор, приемник излучения и устройство слежения за солнцем, на рабочей стороне каждой ламели по всей площади рабочей поверхности закреплен концентратор, выполненный в виде линейной линзы Френеля из прозрачного материала, по всей площади поверхности приемника излучения в тепловом контакте закреплена герметичная камера, соединенная с концентратором и насосом через теплоизолированный трубопровод к системе теплоснабжения здания для прокачки прозрачного для солнечного излучения теплоносителя, при этом угол высоты солнца h, угол наклона ламелей α, ширина ламелей l, минимальное расстояние между ламелями d связаны соотношением:h=2α+arctg(sinα/(d/l-cosα))-180°,где l – ширина ламелей; d – минимальное расстояние между ламелями; h – угол высоты солнца; α – угол наклона ламелей относительно поверхности входа.
Некоторые примеры осуществления относятся к электрическим потенциалоуправляемым затемняющим экранам, используемым со стеклопакетами, к стеклопакетам, включающим в себя такие затемняющие экраны, и/или связанным с ними способам.
Концентраторная солнечная батарея // 2773805
Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в космических концентраторных солнечных энергоустановках при базировании на космическом летательном аппарате. Концентраторная солнечная батарея включает основание, параболоцилиндрические концентраторы с зеркальной внутренней поверхностью отражения, установленные на основании, цилиндрические направляющие которых параллельны основанию и друг другу, линейные цепочки фотоэлектрических преобразователей, установленные на верхней кромке тыльной стороны каждого последующего концентратора в фокальной линии каждого предыдущего концентратора.
Концентраторный фотоэлектрический модуль с планарными элементами включает по меньшей мере один планарный неконцентраторный кремниевый фотоэлектрический преобразователь (3) с двухсторонней чувствительностью, множество концентраторных А3В5 фотоэлектрических преобразователей (5), смонтированных на теплоотводящие основания (6), и расположенных на поверхности неконцентраторного фотоэлектрического преобразователя (3), закрытого защитной светопрозрачной панелью (4), концентрирующую оптическую систему (7), состоящую из множества собирающих линз (8).
Фотовольтаическая 3d-ячейка // 2773627
Изобретение относится к области техники фотоэлектрических систем преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано для изготовления солнечных активных элементов. Фотовольтаическая 3D-ячейка состоит из подложки, выполненной в виде цилиндра, сечение которого в плоскости, перпендикулярной образующей, является прямоугольником, окружностью или овалом с нанесенной на его внешнюю поверхность пленочной слоистой структурой, состоящей из активного слоя, преобразующего световую энергию в электрическую, выполненного между двух пленочных электродов, выведенных на торцы цилиндра: первого (от подложки) из оптически прозрачного материала с коэффициентом поглощения большим, чем у подложки и меньшим, чем у активного слоя; второго электрода, выполненного из металла, не прозрачного и отражающего для света.
Стеклопакет с электрическим потенциалоуправляемым затемняющим экраном (202a, 202b) и связанные с ним способы. В таком стеклопакете между двумя подложками (102, 104), образующими стеклопакет, размещен динамически управляемый затемняющий экран (202a, 202b), выполненный с возможностью перемещения между отведенным и выдвинутым положениями.
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты оптико-электронных устройств от мощного лазерного комплекса (МЛК). Способ включает в себя прием оптических излучений оптико-электронным средством (ОЭС) матричного типа, измерение параметров лазерного локационного излучения (ЛЛИ) и пространственных параметров его изображения на фоточувствительной матрице ОЭС.
Изобретение относится к дистанционирующим элементам (спейсерам), подходящим для применения с фотоэлектрическими устройствами. Предлагается дстанционирующий элемент для изолирующих стеклопакетов с тремя или более панелями остекления, ограничивающими по меньшей мере одно герметично закрытое внутреннее пространство между по меньшей мере двумя панелями остекления, содержащий: корпус (2) дистанционирующего элемента, изготовленный из первого материала и проходящий в продольном направлении (Z), с двумя внешними поверхностями (АР) в поперечном направлении (X), перпендикулярном продольному направлению (Z), для прикрепления к внешним панелям (3, 4) остекления изолирующего стеклопакета, и газонепроницаемый барьер (40), выполненный из второго материала, причем корпус дистанционирующего элемента имеет поперечное сечение (X-Y), перпендикулярное продольному направлению (Z), с первой камерой (10) для размещения осушающего материала, расположенной рядом с первой (АР, 13) из двух внешних поверхностей, со второй камерой (20) для размещения осушающего материала, расположенной рядом со второй (АР, 23) из двух внешних поверхностей, и с пазом (30), расположенным между первой и второй камерами (10, 20) в поперечном направлении (X) и открытым на первой стороне дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y), перпендикулярном продольному и поперечному направлениям (Z, X), газонепроницаемый барьер (40) расположен на и/или в корпусе дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y) на второй его стороне, которая находится напротив первой стороны дистанционирующего элемента, и паз (30) ограничен в поперечном направлении двумя боковыми сторонами (14, 24) и в вертикальном направлении на второй стороне нижней стенкой (31), паз (30) приспособлен для введения в него внутренней панели (5) остекления, причем дистанционирующий элемент содержит по меньшей мере две электропроводные части (51, 52, 44, 53, 54), электрически изолированные друг от друга и расположенные в одной или в обеих боковых стенках (14, 24) и/или в нижней стенке (31) паза (30).
Микропиксельный лавинный фотодиод // 2770147
Микропиксельный лавинный фотодиод может быть использован для регистрации слабых потоков световых и гамма-квантов, а также заряженных частиц в составе устройств медицинской гамма-томографии, радиационного мониторинга и ядерно-физических экспериментов.
