Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного и специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей и конструктивные элементы таких приборов (H01L33)

Отслеживание патентов класса H01L33
H01L33              Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B6/42; полупроводниковые лазеры H01S5; электролюминесцентные источники H05B33)(414)

Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами // 2673987
Изобретение относится к активным электронным компонентам. Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами выполнен в виде полупроводникового прибора.

Устройство отображения на основе светодиодов и способ коррекции яркости для него // 2673007
Изобретение относится к технологиям для отображения на устройствах со светодиодной подсветкой (LED). Технический результат заключается в обеспечении коррекции яркости каждого элемента LED путем уменьшения объема вычислений.

Светоизлучающие полупроводниковые устройства с геттерным слоем // 2672776
Изобретение относится к светоизлучающему полупроводниковому устройству (100), содержащему подложку (120), светоизлучающую слоистую структуру (155) и геттерный слой (190) из AlGaAs для снижения содержания примесей в светоизлучающей слоистой структуре (155), причем светоизлучающая слоистая структура (155) содержит активный слой (140) и слои с различным содержанием алюминия, причем условия роста слоев светоизлучающей слоистой структуры (155), содержащей алюминий, различаются по сравнению с условиями роста геттерного слоя (190) AlGaAs.

Цианированные нафталинбензимидазольные соединения // 2670218
Изобретение относится к новым цианированным нафталинбензимидазольным соединениям формулы Iили их смесям, где R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 и R10 - водород, циано или фенил, который является незамещенным или замещенным RAr, где RAr выбран из циано, галогена, C1-С30-алкила, С2-С30-алкенила, С2-С30-алкинила, С3-С8-циклоалкила, фенила, при условии что соединения формулы I содержат по меньшей мере одну циано группу.

Светоизлучающий диод // 2666578
Изобретение относится к структурам светоизлучающих диодов. Светоизлучающий диод состоит из n слоев, где n больше одного, и включает как минимум один светоизлучающий слой и один люминофорный слой, выполненный в виде тонкой керамической люминофорной пластины, при этом керамическая люминофорная пластина выполнена с низким содержанием неосновных нелюминисцирующих фаз менее 3% по массе, при этом профиль нижней поверхности керамической люминофорной пластины, обращенной к светоизлучающему слою, сформирован в виде вогнутых микролинз с характерным диаметром от 0,1 до 0,8 мкм.

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент и излучающее ультрафиолетовый свет нитридное полупроводниковое устройство // 2664755
Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света.

Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства // 2663684
Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подложки.

Светоизлучающая структура с адаптированным выходным спектром // 2662240
Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение эффективности передачи и насыщенности красного или зеленого цвета.

Источник излучения с управляемым спектром // 2661441
Изобретение относится к оптоэлектронике, светотехнике, приборам, излучающим в видимом, инфракрасном и терагерцовом диапазонах, может быть использовано для разработок и производства х источников с управляемым спектром излучения в медицине, технике, на транспорте, в быту.

Светоизлучающее устройство, выращенное на кремниевой подложке // 2657335
Использование: для создания светоизлучающего устройства. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя выращивание полупроводниковой структуры на подложке, которая включает в себя алюминийсодержащий слой в непосредственном контакте с подложкой и III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа.

Материал на основе ingaas на подложках inp для фотопроводящих антенн // 2657306
Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием); выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы (галлия и индия) такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости.

Установочный слой для охлаждающей структуры // 2655017
Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств.

Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника // 2654829
Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн.

Гетероструктура gapasn светодиода и фотоприемника на подложке si и способ ее изготовления // 2650606
Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.
Материал для эффективной генерации терагерцового излучения // 2650575
Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения.

Испускающий свет узел, лампа и осветительный прибор // 2648980
Изобретение относится к области светотехники. Узел 100, испускающий свет, содержит первый источник 112 света, второй источник 118 света, первый люминесцентный материал 106, второй люминесцентный материал 116 и окно 102 выхода света.

Сид-модуль с преобразованием люминофором с улучшенными передачей белого цвета и эффективностью преобразования // 2648080
Изобретение может быть использовано для получения белого света в осветительных устройствах. Осветительное устройство (100) содержит первый твердотельный источник (10) света, выполненный с возможностью подачи УФ-излучения (11) с длиной волны 380-420 нм; второй твердотельный источник (20) света, выполненный с возможностью подачи синего света (21) с длиной волны 440-470 нм; преобразующий длину волны элемент (200), содержащий первый люминесцентный материал (210) и второй люминесцентный материал (220).

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски // 2643694
Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы.

Неполярная светодиодная эпитаксиальная пластина синего свечения на подложке из lao и способ ее получения // 2643176
Изобретение относится к светодиодной эпитаксиальной пластине и способу ее получения. Предложена неполярная светодиодная эпитаксиальная пластина синего свечения на подложке из алюмината лантана (LAO), содержащая последовательно нанесенные на подложку из LAO слои: буферный слой, выполненный из GaN с неполярной гранью m; первый нелегированный слой, представляющий собой неполярный нелегированный слой из u-GaN; первый легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN типа n; слой квантовой ямы, представляющий собой неполярный слой квантовой ямы из InGaN/GaN; электронный инверсионный слой, представляющий собой электронный инверсионный слой из AlGaN с неполярной гранью m; и второй легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN p типа.

Светодиодный чип // 2641545
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах.

Новые люминофоры, такие как новые узкополосные люминофоры красного свечения, для твердотельного источника света // 2641282
Изобретение может быть использовано в осветительных устройствах, блоках фоновой подсветки и средствах отображения информации.

Осветительное устройство с полимером, содержащим люминесцирующие фрагменты // 2640780
Изобретение относится к осветительному устройству, включающему источник света для генерирования излучения источника света и конвертер света.

Устройство с широкой цветовой палитрой на основе сид // 2639733
Изобретение относится к области осветительной техники и касается осветительного блока. Осветительный блок включает в себя источник синего света, источник зеленого света и два источника красного света.

Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп // 2639605
Согласно изобретению предложен светоизлучающий полупроводниковый прибор, содержащий пакет слоев, причем пакет слоев включает катод, полупроводниковый слой, содержащий эмиссионный материал с излучением в диапазоне 300-900 нм, изолирующий слой и анод, катод находится в электрическом контакте с полупроводниковым слоем, анод находится в электрическом контакте с изолирующим слоем, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне до 50 нм, а полупроводниковый слой содержит слой легированного алюминием оксида цинка-магния с 1-350 млн-1 Al.

Светоизлучающий прибор с преобразующим длину волны боковым покрытием // 2639565
Полупроводниковый светоизлучающий прибор содержит первый преобразующий длину волны элемент, расположенный на верхней светоизлучающей поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит первый преобразующий длину волны материал, который не шире, чем эта верхняя светоизлучающая поверхность; и второй преобразующий длину волны элемент, расположенный на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит второй преобразующий длину волны материал, который не простирается на верхнюю светоизлучающую поверхность, при этом первый и второй преобразующие длину волны материалы являются разными преобразующими длину волны материалами.

Светоизлучающее устройство // 2638585
Светоизлучающее устройство согласно изобретению включает в себя подложку, простирающуюся в первом направлении, уплотнительный полимерный элемент и светоизлучающий элемент.

Светоизлучающий прибор // 2636410
Изобретение относится к области светотехники и касается светоизлучающего прибора. Светоизлучающий прибор включает в себя источник света, излучающий свет с первым спектральным распределением, световод, изготовленный из люминесцентного материала и содержащий поверхности входа и выхода света, простирающиеся под отличным от нуля углом друг к другу.

Устройство охлаждения одиночного мощного светодиода с интенсифицированной конденсационной системой // 2636385
Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к охлаждению тепловыделяющих элементов электронной аппаратуры.

Силоксановое соединение и способ его получения // 2635104
Изобретение относится к силоксановым соединениям, применимым в качестве герметизирующего материала для электронных устройств.

Светоизлучающий диод // 2635095
Изобретение относится к светоизлучающим диодам. Предложен светоизлучающий диод, содержащий полупроводниковый кристалл, электрически соединенные с различными областями кристалла анод и катод и герметизирующий материал, полученный отверждением силоксанового соединения, содержащего множество циклосилоксановых повторяющихся звеньев определенной структуры, с помощью катализатора раскрытия кольца.

Светоизлучающий модуль, лампа, светильник и способ освещения объекта // 2634699
Изобретение относится к области светотехники. Предложены светоизлучающий модуль (100), лампа и светильник.

Пакет слоев, содержащий люминесцентный материал, лампа, светильник и способ изготовления пакета слоев // 2633765
Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение долговечности источника света с органическими люминесцентными материалами.

Лист люминофора // 2633551
Изобретение может быть использовано в устройствах подсветки и жидкокристаллических устройствах отображения.

Силиконовое изделие, осветительный прибор, содержащий силиконовое изделие, и способ производства силиконового изделия // 2632840
Изобретение относится к светопреобразующему силиконовому изделию для осветительного прибора, содержащему его осветительному прибору и к способу производства указанного изделия.

Светопреобразующий блок, лампа и светильник // 2632263
Представлены светопреобразующий блок 100, лампа и светильник. Светопреобразующий блок 100 содержит первый слой 108 и второй слой 106.

Светодиодный светильник // 2630439
Светодиодный светильник может быть использован для внутреннего и наружного основного и декоративного освещения.

Силоксановое соединение и способ его получения // 2630223
Изобретение относится к силоксановым соединениям и способам их получения. Предложено силоксановое соединение, содержащее множество силоксановых повторяющихся звеньев, причем 10 мол.% или более силоксановых повторяющихся звеньев представляют собой циклотрисилоксановые повторяющиеся звенья, а также соединение содержит дополнительно сегменты, соответствующие определенной структуре.

Фосфор, люминесцентная смесь и люминесцентный материал // 2626856
Изобретения могут быть использованы при изготовлении светодиодов. Фосфор, люминесцентный материал и люминесцентная смесь для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов включают люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В в массовом отношении (10-70):(30-90).

Способ рециркуляции света и светодиодный модуль рециркуляции // 2626059
Изобретение относится к осветительной технике, в частности к источникам света, в которых в качестве элементов, генерирующих свет, используются мощные светодиоды, а для формирования светового потока применяют рефлекторы с сочетанием различной кривизны, которые могут быть использованы для проектирования экономичных осветителей различного назначения.

Фотолюминофор нейтрально-белого цвета свечения со структурой граната и светодиод на его основе // 2619318
Изобретение относится к области технической светотехники и может быть использовано при изготовлении осветительных приборов.

Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления // 2618999
Изобретение относится к устройствам с выходным оптическим излучением, в частности с использованием дискретных источников оптического излучения, связанных со структурой с прозрачной подложкой.

Полноспектровое светоизлучающее устройство // 2618749
Светоизлучающее устройство содержит твердотельный источник (101) света, выполненный с возможностью излучения первичного света (L1); преобразующий длину волны элемент (102), включающий множество преобразующих длину волны областей (102a, 102b, 102c и т.д.) для преобразования первичного света во вторичный свет (L2), при этом каждая преобразующая длину волны область посредством этого обеспечивает поддиапазон полного спектра светового выхода, причем по меньшей мере некоторые из упомянутых преобразующих длину волны областей расположены в виде массива и содержат квантовые точки, при этом разные преобразующие длину волны области содержат квантовые точки, имеющие разные диапазоны излучения вторичного света, обеспечивающие разные поддиапазоны полного спектра светового выхода, и при этом поддиапазон, обеспечиваемый каждой преобразующей длину волны областью перекрывается или является смежным с по меньшей мере одним другим поддиапазоном, обеспечиваемым другой преобразующей длину волны областью, при этом упомянутые преобразующие длину волны области вместе обеспечивают вторичный свет, включающий в себя все длины волн диапазона от 400 нм до 800 нм.

Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство // 2617917
Настоящее раскрытие относится к устройствам отображения, использующим полупроводниковые светоизлучающие устройства.

Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления // 2617880
Согласно изобретению предложен способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество полупроводниковых слоев и по меньшей мере один металлический электрод, сформированный на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов для электрического контакта с по меньшей мере одним из полупроводниковых слоев, при этом каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности; при этом по меньшей мере один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности; верхняя поверхность по меньшей мере одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла, устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру; отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует по меньшей мере верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность по меньшей мере одного металлического электрода и имеет основание, которое проходит вниз к временной поддерживающей структуре и к нижней поверхности LED-кристаллов, выполняют отверждение цельного материала, для соединения LED-кристаллов вместе, удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей структуры и разделяют цельный материал так, что по меньшей мере один металлический электрод остается открытым для присоединения с другим электродом после формирования линзы.

Источник света с квантовыми точками // 2616080
Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе люминесцентных наночастиц и к осветительному устройству на их основе для преобразования света от источника света.

Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока // 2615215
Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки.

Имеющие покрытие фторсиликаты, излучающие красный узкополосный свет, для полупроводниковых светоизлучающих устройств // 2613963
Изобретение относится к красному люминесцентному материалу и содержащему его осветительному устройству. Осветительное устройство включает световой источник, выполненный с возможностью генерировать свет светового источника, и люминесцентный материал в форме частиц, выполненный с возможностью преобразовывать по меньшей мере часть света светового источника в свет люминесцентного материала.

Светодиодная матрица // 2612736
Светодиодная матрица относится к области информационной техники и может быть использована при построении крупногабаритных матричных экранов и иных средств отображения визуальной информации.

n-активированные гексафторсиликаты для применения в светоизлучающих диодах // 2610273
Изобретение относится к люминофору, содержащему М2АХ6, легированному четырехвалентным марганцем. При этом М включает одновалентные катионы, по меньшей мере включая калий и рубидий, причем А включает четырехвалентный катион, по меньшей мере включая кремний, причем Х включает одновалентный анион, по меньшей мере включая фтор, и причем М2АХ6 имеет гексагональную фазу.

Новый преобразователь цвета // 2608411
Изобретение относится к осветительному устройству, содержащему преобразователь цвета. Осветительное устройство содержит по меньшей мере один светодиод и по меньшей мере один преобразователь цвета.
 
.
Наверх