Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного и специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей и конструктивные элементы таких приборов (H01L33)
H01L33 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B6/42; полупроводниковые лазеры H01S5; электролюминесцентные источники H05B33)(414)
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую. Cпособ изготовления инфракрасного светоизлучающего диода включает последовательное формирование многослойной светоизлучающей AlGaAs/GaAs гетероструктуры на подложке GaAs, первого электрода, металлического отражателя и подложки-носителя путем электрохимического наращивания хрома или иридия на поверхности металлического отражателя, удаление ростовой подложки GaAs, формирование световыводящей поверхности и второго электрода на открытой поверхности гетероструктуры.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую.
Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода, согласно которому через светодиод пропускают электрический ток и при заданном значении постоянного тока из диапазона токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, измеряют мощность оптического излучения светодиода, при этом мощность оптического излучения светодиода измеряют при нескольких произвольно выбранных значениях электрического тока Ik, находящихся в диапазоне токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, полученную экспериментальную ватт-амперную характеристику Pk(Ik) аппроксимируют методом наименьших квадратов функцией вида по результатам аппроксимации определяют параметры m и q аппроксимирующей функции, и значение внутреннего квантового выхода η светодиода при произвольном значении тока в заданном диапазоне рассчитывают по формуле Способ направлен на уменьшение аппаратных затрат, трудоемкости и времени измерения, а также обеспечивает расширение функциональных возможностей способа.
Изобретение относится к оптонаноэлектронике, в частности к устройствам на основе квантовых молекул. Преобразователь лазерного излучения на основе квантовой молекулы в электрическом поле, содержащий базовый элемент, представляющий собой систему двух туннельно-связанных квантовых точек - квантовую молекулу, легированную D–– и A+–центрами, с квантовыми точками на основе GaAs радиусами 20 нм и 200 нм, с амплитудой потенциала конфайнмента 0,2 эВ и 0,35 эВ соответственно и длиной волны двухфотонной накачки λ=80 мкм, отличающийся тем, что квантовая молекула находится во внешнем электрическом поле ~2,5×106 В/м, посредством которого осуществляется управление интенсивностью лазерного излучения в диапазоне видимого света.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в квантовой криптографии, в системах передачи информации, квантовых вычислений или обработки данных, а также в качестве метрологического стандарта светового потока и для энергетики.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к светодиоду с эмиссией белого света, и может быть использовано при изготовлении светодиодов в устройствах бытового и промышленного назначения.
Изобретение относится к способу коллоидного синтеза квантовых точек бинарных полупроводников состава элементов М (металл) и Н (неметалл), включающему смешивание в стеклянной колбе-реакторе заранее приготовленных нагретых до определённой температуры растворов прекурсоров-элементов с такими концентрациями, чтобы в растворе в колбе-реакторе они были: первого прекурсора ММ и второго – МН, характеризующемуся тем, что используется общий для всех случаев несольватирующий для второго прекурсора растворитель, нагретый до температуры на 5-15 градусов ниже точки его кипения; концентрации прекурсоров выбраны в соотношении МН:ММ в пределах 0.01-0.1, подбираемом экспериментально из условия максимальной скорости, оцениваемой минимальным временем t, образования квантовых точек; исходный выдержанный нагретый раствор содержит первый прекурсор, а второй добавляется капельными порциями в нулевой точке отсчёта времени процесса; при этом смешивание проводится за время не более 0.1t.
Изобретение относится к электрооптическому конструктивному узлу и способу изготовления электрооптического конструктивного узла. Предложен конструктивный узел (1), состоящий по меньшей мере из одной базовой пластины (2), соединенной с ней обратной пластины (3) и электрооптического элемента (4).
Изобретение относится к электротехнике, а именно к источникам света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД). За счет применения данной комбинированной технологии вырастает мощность излучения в диапазоне длин волн 490-510 нанометров (синий пик), поэтому при равных мощностных характеристиках светодиодного светильника одновременно снижается мощность излучения в диапазоне длин волн 400-470 нанометров.
Светоизлучающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую главную поверхность, которая служит в качестве световыделяющей поверхности, вторую главную поверхность, которая противоположна первой главной поверхности, и монтажную поверхность, которая является смежной по меньшей мере второй главной поверхности и которая обеспечена изолирующим материалом-основой, парой расположенных на второй главной поверхности соединительных выводов и теплоотводящим выводом, расположенным на второй главной поверхности и между парой соединительных выводов; светоизлучающий элемент, который смонтирован на первой главной поверхности подложки, и герметизирующий элемент, который герметизирует светоизлучающий элемент и образован по существу в той же плоскости, что и подложка на монтажной поверхности.
Изобретение относится к безцокольной габаритной светодиодной лампе и может использоваться в автомобильной технике для габаритных огней, подсветки номера, освещения салона. Техническим результатом является увеличение площади расположения светодиодов большой мощности при эффективном теплоотводе с помощью радиатора, чем обеспечивается больший срок службы лампы и возможность повышения светимости для габаритной светодиодной лампы.
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам. Светоизлучающий диод содержит подложку из кремния с нанесенным на нее слоем карбида кремния, на котором сформированы слои светоизлучающей структуры, и снабжен токоподводящими контактами.
Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя GaAs, травление световыводящей поверхности AlGaAs/GaAs по маске фронтального омического контакта и текстурирование по маске фронтального омического контакта световыводящей поверхности светоизлучающего диода жидкостным химическим селективным стравливанием контактного слоя GaAs гетероструктуры в травителе, содержащем гидроксид аммония (NH4OH), перекись водорода (H2O2) и деионизованную воду, и последующим травлением слоя AlGaAs гетероструктуры на глубину (0,8-1,1) мкм в травителе, содержащем фторид аммония (NH4F), фтороводород (HF), перекись водорода и деионизованную воду.
Изобретение относится к полупроводниковым материалам группы А3В5, используемым для изготовления фотопроводящих антенн для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона. Способ формирования материала для фотопроводящей антенны заключается в формировании многослойной структуры, состоящей из чередующихся слоев InGaAs/InAlAs, эпитаксиально выращенных при температуре 300-500°С на подложке GaAs или InP с ориентацией (100).
Изобретение относится к технологии функциональных материалов, конкретно к технологии оптически прозрачных оксидных полупроводников, применяемых в оптоэлектронике, фотовольтаике и плазмонике. Согласно изобретению предложен способ получения нанодисперсного оксида кадмия, допированного литием, включающий получение исходной смеси путем растворения карбоната кадмия и карбоната лития, взятых в стехиометрическом соотношении, в 10%-ной муравьиной кислоте, взятой в количестве 5,6 мл раствора кислоты на 1 г суммарного количества карбоната кадмия и карбоната лития, упаривание полученной смеси при температуре 50-60 °С до получения сухого остатка и отжиг при температуре 300-320 °С в течение 0,5 часа на первой стадии и при фиксированном значении температуры, находящейся в интервале 500-900 °С, в течение 1 часа на второй стадии.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, касается магниторезистивного спинового светодиода, в котором с помощью магнитного поля можно независимо управлять интенсивностью излучения и степенью циркулярной поляризации.
Изобретение может быть использовано в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости.
Изобретение относится к области оптических систем связи, а именно, к истинно однофотонным источникам оптического излучения и может быть использовано для создания высокозащищенных систем передачи информации на основе принципа квантовой криптографии и реализации протокола квантового распределения ключа (КРК, QKD) через существующие оптоволоконные сети.
Настоящее изобретение относится к способам изготовления магниторезистивного спинового светодиода, в котором с помощью магнитного поля можно независимо управлять интенсивностью излучения и степенью циркулярной поляризации.
Изобретение относится к композиции краски для впечатывания, пригодной для впечатывания в структурированную поверхность эластомерного штампа. Композиция краски для впечатывания содержит наночастицы оксида переходного металла.
Светоизлучающее устройство включает в себя подложку, светоизлучающий элемент и уплотнительный полимерный элемент. Подложка включает в себя гибкую основу, множество проводных участков и желобковый участок.
Светоизлучающее устройство включает основание; лазерный элемент, расположенный на верхней поверхности основания и выполненный с возможностью излучения лазерного пучка продольно; люминесцентный элемент, расположенный на верхней поверхности основания; первый оптический элемент, расположенный на верхней поверхности основания и имеющий входную боковую поверхность, через которую входит лазерный пучок во время эксплуатации, и выходную боковую поверхность, через которую выходит лазерный пучок во время эксплуатации, и предназначенный для изменения направления распространения лазерного пучка таким образом, чтобы лазерный пучок, прошедший через первый оптический элемент, облучал верхнюю поверхность люминесцентного элемента; и крышку, содержащую: светозащитный элемент и светопропускающий элемент, расположенный над сквозным отверстием, лазерным элементом, люминесцентным элементом и первым оптическим элементом, при этом светозащитный элемент имеет выступающий участок, продолжающийся вниз в положение, которое ниже верхнего края первого оптического элемента, так, чтобы быть обращенным к выходной боковой поверхности первого оптического элемента.
Настоящее изобретение раскрывает водонепроницаемую конструкцию LED-дисплея, включающую нижний корпус дисплея, первое уплотнительное кольцо и водонепроницаемую крышку. На боковой поверхности нижнего корпуса дисплея находится первая U-образная кольцевая канавка, а на боковой поверхности первого уплотнительного кольца, обращенной к водонепроницаемой крышке, находится вторая U-образная кольцевая канавка, на первой поверхности водонепроницаемой крышки находится кольцевой выступ, соответствующий второй U-образной кольцевой канавке, водонепроницаемая крышка устанавливается на первую U-образную кольцевую канавку посредством первого уплотнительного кольца, кольцевой выступ соединяется со второй U-образной кольцевой канавкой посредством прессовой посадки, а вторая U-образная кольцевая канавка соединяется с первой U-образной кольцевой канавкой посредством прессовой посадки.
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к источникам излучения инфракрасного и терагерцевого диапазонов длин волн, предназначенным, в основном, для использования в оптоэлектронике, в измерительной технике, в медицине, в системах безопасности, а также в качестве элементной базы квантовых компьютеров.
Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ.
Светоизлучающее устройство содержит подложку, светоизлучающий элемент, расположенный на подложке и имеющий верхнюю поверхность и боковую поверхность; отражающий слой, расположенный на верхней поверхности светоизлучающего элемента; первый светопропускающий элемент, имеющий первую поверхность, контактирующую с указанной боковой поверхностью светоизлучающего элемента, и вторую поверхность, которая наклонена к подложке в направлении от светоизлучающего элемента; второй светопропускающий элемент, контактирующий с указанной второй поверхностью и закрывающий светоизлучающий элемент; отражающий элемент, выполненный с возможностью отражать свет из светоизлучающего элемента, при этом отражающий элемент расположен в области, снаружи второго светопропускающего элемента, при этом коэффициент преломления первого светопропускающего элемента меньше коэффициента преломления второго светопропускающего элемента.
Настоящее изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее к импульсным инжекционным источникам лазерного излучения. Лазер-тиристор, включающий подложку n-типа проводимости и имеющуюся на ней гетероструктуру, содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2) и по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа проводимости (5) и по меньшей мере один широкозонный слой р-типа проводимости (6), по меньшей мере один из которых одновременно является слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою (3) катодной области (1), включающую по меньшей мере один слой р-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую по меньшей мере активную область (13), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный первой естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и второй естественно сколотой гранью (15) с нанесенным отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа проводимости (5), и, формирующий область инжекции через активную область (13), второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа проводимости, область инжекции (21) под первым омическим контактом (16) заключена между первой (22) и второй (23) пассивными областями.
Настоящее изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер-тиристор на основе гетероструктуры содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа (2), широкозонный слой n-типа (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа (5), широкозонный слой р-типа (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою катодной области (1), включающую первый слой р-типа (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую квантоворазмерную активную область (13), резонатор, образованный сколотой гранью (14) с просветляющим покрытием и сколотой гранью (15) с отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа (5), и формирующий область инжекции через активную область (13) второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа, мезаканавку (11), вытравленную до второй базовой области (9), расположенную вдоль первого омического контакта (16), третий омический контакт (20) ко второй базовой области (9), расположенный на дне (17) мезаканавки (11).
Изобретение относится к области получения микро- и наноструктур поверхности карбида кремния. Cпособ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния включает установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния.
Изобретение относится к полупроводниковым источникам оптического излучения на основе светодиодных нитей - филаментов, изготавливаемых из светодиодных гетероструктур. Заявленный светодиодный источник излучения содержит колбу, заполненную газом, имеющим низкий коэффициент вязкости и высокий коэффициент теплопроводности, в которой размещен держатель со штенгелем и стойкой сердечника, на которой закреплена объемная излучающая свет конструкция из светодиодных нитей, цоколь и устройство питания, электрически соединенное по переменному току с цоколем, а положительным и отрицательным электродами со светодиодными нитями.
Изобретение относится к области оптоэлектроники. Устройство для получения поляризованного света со степенью линейной поляризации света ~(50-60):1 включает в себя источник (1) импульсного или постоянного неполяризованного света, в качестве которого используется, например, коммерческий светодиод на основе III-нитридов сине-зеленого, синего или ультрафиолетового диапазона (с длиной волны излучения в диапазоне 380-550 нм), и внешний поляризующий элемент (2), выполненный в виде подложки (3) из GaAs с ориентацией (001), на которой сформирован слой толщиной ~150-250 нм, состоящий из нанопластинок (4) двумерного кристалла GaSe, ориентированных вдоль выделенных направлений <111> подложки GaAs.
Группа изобретений относится к светодиодным отображающим и осветительным устройствам, выполненным в виде гибкой тонкопленочной конструкции. Экранное устройство содержит по меньшей мере один модуль.
Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости.
Изобретение относится к области изготовления и сборки интегральных схем (ИС), и в частности к изготовлению светоизлучающего устройства (СИД). Способ изготовления светоизлучающего устройства, причем упомянутый способ содержит этапы, на которых: обеспечивают выводную рамку, которая включает в себя по меньшей мере один несущий элемент, причем несущий элемент содержит множество токопроводящих областей, которые электрически изолированы друг от друга; присоединяют контакты по меньшей мере одного кристалла светоизлучающего устройства (СИД) непосредственно к токопроводящим областям; отделяют несущий элемент от выводной рамки, при этом только кристалл СИД поддерживает пространственное отношение между боковыми областями токопроводящих областей; и размещают диэлектрический материал между токопроводящими областями после отделения несущего элемента от выводной рамки.
Изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в противодействии снижения качества изображения вследствие изменения характеристик каждого элемента СИД и способа коррекции его яркости.
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InxGa1-xN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с нанесенными на ней последовательно буферным слоем, выполненным из нелегированного GaN, n-эмиттерным слоем, выполненным в виде слоя GaN, легированного кремнием, и р-эмиттерным слоем GaN, легированным магнием, активная область, расположенная между n-эмиттерным и р-эмиттерным слоями, состоит из нескольких квантовых ям с комбинированным профилем, полученным наложением двух и более квантовых ям прямоугольного профиля, геометрические центры которых совмещены и находятся на осевой линии квантовой ямы комбинированного профиля.
Группа изобретений относится к системам освещения транспортного средства. Устройство подсветки для транспортного средства содержит теплопоглотитель из электропроводящего материала, выполненный с возможностью функционирования в качестве первого электрода, защитный слой, образованный на узле, множество СИД в полупроводниковой пасте, второй электрод, связанный с множеством СИД, и фотолюминесцентный слой вблизи одного из электродов.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к нагрузочным устройствам для использования в устройствах электрического питания. Технический результат заключается в обеспечении надежной работы устройства при наиболее неблагоприятных окружающих условиях с малыми или даже с нулевыми потерями рабочих характеристик и без вероятности повреждения.
Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, имеющего пиковую длину волны излучения 285 нм или более короткую, содержит первый этап, на котором формируют слой полупроводника n-типа, состоящий из полупроводника n-типа на основе AlXGa1-XN (1≥X≥0,5), на верхней поверхности нижележащей части, включающей сапфировую подложку, второй этап, на котором над слоем полупроводника n-типа формируют активный слой, который включает в себя светоизлучающий слой, состоящий из полупроводника на основе AlYGa1-YN (X>Y>0), и который в целом состоит из полупроводника на основе AlGaN, и третий этап, на котором формируют слой полупроводника p-типа, состоящего из полупроводника p-типа на основе AlZGa1-ZN (1≥Z>Y), над активным слоем.
Светоизлучающее устройство включает в себя: основание, содержащее токопроводящие дорожки; светоизлучающий элемент, установленный на основании и выполненный с возможностью испускания светового излучения; светоотражающую пленку, расположенную на верхней поверхности светоизлучающего элемента; и оболочку, покрывающую светоизлучающий элемент и светоотражающую пленку.
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающую структуру, слой обработки и оптическую структуру.
Изобретение относится к области осветительной техники и касается осветительного модуля. Осветительный модуль содержит первый светоизлучающий элемент, второй источник света и элемент отражения.
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для светодиодных систем освещения с регулируемым световым потоком. Заявлен способ прогнозирования срока службы светодиодного источника света в процессе эксплуатации.
Изобретение может быть использовано в системах очистки воды/воздуха/продуктов, системах химического анализа, медицине, УФ спектрометрии, системах скрытой помехоустойчивой оптической связи и др. Источник спонтанного ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 250 нм включает подложку (1) из с-Al2O3, на которой последовательно сформированы буферный слой (2) из AlN, активная область (3), содержащая по меньшей мере 200 пар слоев в виде нижнего барьерного слоя (5) AlN толщиной (5,5-7,5) нм и слоя (4) квантовой ямы GaN толщиной (0,26-0,78) нм, и верхний барьерный слой (5) из AlN толщиной (5,5-7,5) нм.
Основание нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, содержащее сапфировую подложку с одной из плоскости (0001) и плоскости, наклоненной на заданный угол относительно плоскости (0001), в качестве главной поверхности и слой AlN, сформированный непосредственно на главной поверхности сапфировой подложки и составленный из кристаллов AlN, имеющих ориентационную взаимосвязь эпитаксиальных кристаллов с главной поверхностью, причем средний диаметр частиц кристаллов AlN слоя AlN толщиной 20 нм от главной поверхности составляет 100 нм или менее.
Изобретение относится к области осветительной техники и касается осветительного устройства. Устройство содержит источник света и светопреобразующий элемент, включающий в себя светопропускающую матрицу.
Изобретение относится к технологии получения ориентированных кристаллов слоистых гидроксисолей на основе гадолиния, которые могут быть использованы в производстве катализаторов, адсорбентов и анионно-обменных материалов, а также для формирования функциональных покрытий при создании различных гетероструктур и приборов для конверсии электромагнитного излучения, сенсоров и многоцветных светоизлучающих диодов (LEDs).
Изобретение относится к электротехнике и электронной технике, более конкретно к источникам света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), еще более конкретно к источникам белого света на основе СИД с конверсионными фотолюминофорами.
Изобретение относится к области осветительной техники и касается осветительного узла. Осветительный узел включает в себя источник света, содержащий твердотельный излучатель, люминесцентный элемент и оптический элемент.