Приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды и приборы с эффектом овшинского и способы и устройства, предназначенные специально для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (H01L45)
H Электричество(232322)
H01L45 Приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом овшинского; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L27; приборы с использованием сверхпроводимости H01L39; пьезоэлектрические элементы H01L41; приборы с эффектом отрицательного объемного сопротивления H01L47)(23)
H01L45/02 - Приборы с бегущей волной(2)
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности при создании элементов постоянной памяти на основе ферроэлектрических материалов и в системах нейроморфных вычислений, для записи и хранения долговременной информации.
Способ получения активного слоя для бесформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти // 2779436
Изобретение относится к изготовлению мемристора. В способе формируют на предварительно подготовленной подложке диэлектрический слой нестехиометрического оксида гафния HfOx с составом х<2, обеспечивающим резистивное переключение.
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения электрофизических параметров филаментов (проводящих нитей) в мемристивных структурах, и может быть использовано для оценки флуктуаций электронного тока в указанных филаментах.
Устройство для переключения мемристора // 2744246
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Изобретение относится к области техники измерений параметров магнитного поля на основе феррозондового преобразователя. Частотометрическое устройство на базе феррозондового преобразователя, предназначенное для измерения напряженности магнитного поля, состоит из феррозонда, запитываемого генератором, при этом запитка феррозонда осуществляется генератором модулированных прямоугольных импульсов напряжения, причем частота модуляции соответствует паспортной частоте феррозонда, а частота заполнения, формируемая генератором, в цепь обратной связи которого включена выходная обмотка феррозонда, зависит от величины измеряемой напряженности магнитного поля, при этом измеренные цифровым частотомером показания частоты генератора тарируются в единицах напряженности магнитного поля.
Использование: для оценки энергий активации диффузии ионов кислорода внутри указанных филаментов. Сущность изобретения заключается в том, что способ оценки энергий активации диффузии ионов кислорода в филаменте мемристора путем определения вероятностного распределения указанных энергий активации, задающих режим работы мемристора, характеризуется тем, что измеряют спектральную плотность мощности (СПМ) SI(f) низкочастотного (НЧ) шума тока мемристора в низком резистивном состоянии (НРС) с помощью измерителя тока, обеспечивающего локальное измерение на участке выхода филамента на поверхность одного из электродов мемристора, и анализатора спектра при фиксированной температуре, в указанной СПМ выделяют фликкерную компоненту SFit(f)~1/fγ, характеризующуюся параметром формы спектра γ, и на основе указанного параметра формы спектра γ определяют искомое вероятностное распределение энергий активации диффузии ионов кислорода Еа, выражаемое плотностью вероятности (ПВ) указанных энергий WE(Ea), рассчитываемой по определенной формуле.
Активный слой мемристора // 2711580
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, и может быть использовано при создании устройств памяти, например, вычислительных машин, микропроцессоров электронных паспортов, электронных карточек.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, который обладает адаптивными (нейроморфными) свойствами.
Трёхэлектродный полупроводниковый прибор // 2654352
Использование: для создания СВЧ и КВЧ монолитных интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что трехэлектродный полупроводниковый прибор содержит размещенные на нем два контакта Шоттки высокочастотного тракта и один управляющий электрод, образующий омический контакт и расположенный вне пространства между контактами в высокочастотном тракте, контакты Шоттки высокочастотного тракта выполнены в виде встречно-штыревой системы металлизации и сформированы к верхнему, активному, слою полупроводниковой структуры, а управляющий электрод формируется к высоколегированному слою полупроводниковой структуры, который располагается за активным слоем полупроводниковой структуры.
Мемристорный материал // 2582232
Использование: для создания компьютерных систем на основе мемристорных устройств со стабильными и повторяемыми характеристиками. Сущность изобретения заключается в том, что мемристорный материал включает наноразмерный слой фтористого лития, содержащего нанокластеры металла, причем наноразмерный слой выполнен в виде пленки на диэлектрической подложке, а в качестве материала для нанокластеров использована медь.
Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей.
Способ формирования спиновых волн // 2477907
Изобретение относится к способам формирования квантовых коллективных возбуждений спиновой плотности и плотности намагниченности в графеновых пленках и может быть использовано в квантовой наноэлектронике, спинтронике, системах обработки и хранения информации терагерцового диапазона.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в качестве переключающего элемента (ключа) или управляемого конденсатора в интегральных микросхемах, работающих, в том числе, на частотах выше 10 ГГц.
Электрически стираемая память // 2130217
Изобретение относится к приборам для измерения токов или напряжений, в которых предусмотрена возможность индикации их наличия или направления с использованием преобразования напряжения или тока в частоту электрических колебаний и измерением этой частоты.
Токопроводящий материал для элементов памяти // 1160907
Полупроводниковый переключающий элемент // 1140190
Полупроводниковое запоминающее устройство // 1005223
Тонкопленочный переключательный элемент // 963123
Изобретение относится к полупроводниковым материалам и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике.
Изобретение относится к полупроводниковым материалам, применяемым для изготовления переключающих элементов и критических терморезисторов, которые могут быть использованы в средствах связи, автоматике и телемеханике.
Полупроводниковый переключающий элемент // 692443
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи и устройствах автоматики и телемеханики. .
Бистабильный переключатель с памятью // 659034
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств, переключателей. .
Бистабильный переключатель с памятью // 640618
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к полупроводниковым приборам, обладающим эффектом памяти при выключенном питании. .
Бистабильный переключатель // 578802
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и используется при построении запоминающих устройств, переключателей. .
Полупроводниковый прибор // 213194
