Использование: для модуляции интенсивности поверхностных акустических волн (ПАВ). Сущность изобретения заключается в том, что модулятор интенсивности поверхностных акустических волн содержит базовый элемент на основе слоистой структуры LiNbO3 – SiOx – InSb – SiOx, при этом физическую основу модуляции интенсивности поверхностных акустических волн составляет прыжковый механизм проводимости на переменном токе в тонкой пленке InSb, которая представляет собой полупроводниковую квантовую яму с примесной зоной.