Дифференциальные усилители (H03F3/45)
H03F Усилители (измерения и испытания G01R; оптические параметрические усилители G02F; схемы на лампах с вторичной эмиссией H01J43/30; мазеры, лазеры H01S; регулирование усиления H03G; устройства связи, независимые от типа усилителя, делителя напряжения, H03H; усилители, используемые только для усиления импульсов, H03K; промежуточные усилители для линий связи H04B3/36, H04B3/58; применение усилителей речи в устройствах телефонной связи H04M1/60, H04M3/40)
(3680) H03F3/45 Дифференциальные усилители(668)
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков физических величин. Технический результат: повышение предельных значений скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров операционного усилителя в статическом режиме, а также без использования СВЧ технологических процессов его изготовления, уменьшающих паразитные емкости.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур.
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве входного каскада быстродействующих арсенид-галлиевых операционных усилителей. Технический результат: создание входного дифференциального каскада ОУ, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и биполярных GaAs p-n-p-транзисторах, который обеспечивает по токовым выходам режим класса АВ, когда максимальные выходные токи ДК Iвых.max существенно превышают их статические значения Iвых.0.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в выходные дифференциальные токи устройства, повышение коэффициента усиления по напряжению.
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в структуре различных аналоговых интерфейсов на базе операционных усилителей (ОУ). Техническим результатом изобретения является повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения (SR) ОУ и драйверов АЦП на их основе.
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях (ОУ), компенсационных стабилизаторах напряжения, компараторах и т.п.
Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники. Технический результат: повышение предельных значений SR без ухудшения энергетических параметров ОУ в статическом режиме, а также без использования дорогостоящих СВЧ технологических процессов его изготовления.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в структуре аналого-цифровых интерфейсов и IP-модулей систем связи и телекоммуникаций, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых интерфейсах, например драйверах АЦП на основе быстродействующих операционных усилителей (ОУ).
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание двухтактного буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах, который имеет малый статический ток потребления и обеспечивает стабильность основных параметров в диапазоне внешних воздействий.
Изобретение может быть использовано в качестве выходного каскада операционных усилителей. Технический результат: обеспечение коэффициента передачи по напряжению, близкого к единице, малого статического тока потребления, а также обеспечение в относительно низкоомной нагрузке токов двух направлений.
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание двухтактного буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах, который имеет малый статический ток потребления и обеспечивает в относительно низкоомной нагрузке токи двух направлений.
Предлагаемое изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых устройствах – операционных усилителях, стабилизаторах напряжения, нормирующих преобразователях и т.п.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: увеличение коэффициента усиления по напряжению.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах (активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п.). Техническим результатом изобретения является обеспечение операционным усилителем малого уровня систематической составляющей напряжения смещения нуля в условиях изменения напряжения питания.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных GaAs аналоговых устройств, в том числе быстродействующих операционных усилителей (ОУ), допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение крутизны преобразования входного напряжения в выходной ток устройства, в итоге повышение коэффициента усиления по напряжению.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат - повышение коэффициента усиления по напряжению.
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве источника хаотических электромагнитных колебаний. Достигаемый технический результат - расширение возможностей регулирования параметров генерируемого хаотического сигнала.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах – активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п., в том числе работающих в условиях низких температур и воздействия радиации.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах - активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п., в том числе работающих в условиях низких температур и воздействия радиации.
Электронно-управляемый резистор (ЭУР), предназначенный для управляемого изменения сопротивления участка цепи. Технический результат - ЭУР даёт возможность получать широкий диапазон значений номинального сопротивления ЭУР, вплоть до предельно малых значений, при этом обеспечивается устойчивость к воздействию дестабилизирующих факторов, включая температуру.
Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в качестве интерфейса для ограничения спектра источника сигнала. Технический результат – обеспечение в полосовом активном фильтре четвертого порядка с дифференциальным входом и парафазным выходом расширенного диапазона частот.
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве источника гиперхаотических электромагнитных колебаний. Достигаемый технический результат - получение гиперхаотических колебаний, представляющих собой суперпозицию низкочастотной и высокочастотной составляющих, представляющих собой случайно модулированные по амплитуде квазисинусоидальные осцилляции, а также расширение возможностей видоизменения хаотического аттрактора при работе генератора в гиперхаотическом режиме.
Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат: малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), а также повышенные коэффициент усиления (Ку) по напряжению и коэффициент ослабления входных синфазных сигналов (Кос.сф).
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание для различных JFET техпроцессов работоспособного операционного усилителя, который обеспечивает малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), а также повышенный коэффициент усиления (Ку) по напряжению.
Изобретение относится к области электроники и радиотехники и может быть использовано в качестве преобразователя входного напряжения в пропорциональные и противофазные выходные токи (ПНТ). Технический результат: обеспечение работоспособности ПНТ при однополярном питании, а также создание схемы ПНТ с двумя противофазными токовыми выходами, обеспечение возможности его применения в промежуточных каскадах операционных усилителей.
Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в качестве малошумящего устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях, компараторах и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в качестве устройства преобразования аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, активных RC-фильтрах, операционных усилителях (ОУ) и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации.
Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание как инвертирующего, так и неинвертирующего широкополосного усилителя тока на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов инвертирующее и неинвертирующее преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы (Ki=1-5).
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в качестве активного (усилительного) элемента (трёхполюсника) в различных аналоговых и аналого-цифровых устройствах (активных RC-фильтрах, операционных усилителях, стабилизаторах напряжения, электронных ключах и т.п.).
Изобретение относится к электронике и может быть использовано в микроэлектронных системах обработки сигналов, в частности в прецизионных КМОП усилителях, интеграторах, компараторах и аналого-цифровых преобразователях.
Изобретение относится к области электроники и радиотехники. Технический результат: уменьшение входной емкости устройства по первому и второму входам, а также повышение крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в выходные токи устройства.
Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники. Технический результат заключается в создании операционного усилителя с парафазным выходом только на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, обеспечивая высокую радиационную стойкость и устойчивую работу при криогенных температурах при экстремально малом уровне шумов.
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла аналоговых микросхем (например, дифференциальных (ОУ) и мультидифференциальных операционных усилителях (МОУ), компараторах и т.п.) для задач усиления и фильтрации сигналов, в том числе в диапазоне низких температур и при воздействии проникающей радиации.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в обеспечении неинвертирующего преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании как инвертирующего, так и неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов инвертирующее и неинвертирующее преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы.
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве источника хаотических электромагнитных колебаний. Технический результат - расширение возможностей регулирования параметров генерируемого хаотического сигнала.
Изобретение относится к области электронных устройств для усиления непрерывных сигналов с заданным масштабным коэффициентом. Технический результат заключается в повышении точности масштабирования инвертирующего усилителя на операционных усилителях с ограниченными частотными свойствами за счет возможности регулировки степени компенсации погрешности.
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в обеспечении более высокой стабильности статического режима при отрицательных температурах (до -197°С) и изменении напряжений питания.
Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании условий, при которых обеспечивается возможность изменения напряжения ограничения проходной характеристики Uгр в зависимости от заданных значений SR при фиксированном токопотреблении.
Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах (АМ) и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в повышении крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в токи первого и второго токовых выходов.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей и выходных каскадов. Технический результат заключается в обеспечении при высокой линейности амплитудной характеристики повышенной стабильности статического режима транзисторов и низкого уровня шумов, в том числе при работе в диапазоне низких температур.
Изобретение относится к радиотехнике и связи. Технический результат заключается в создании условий, при которых в заявляемом дифференциальном усилителе (ДУ) обеспечивается более высокая стабильность статического режима при отрицательных температурах, а также повышение коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания.
Изобретение относится к ламповому усилителю звуковой частоты. Технический результат заключается в снижении уровня остаточного шума лампового усилителя звуковых частот относительно источника питания и земли, а также в избежании утечек.
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения ДОУ.