Чашечка для кристаллического детектора

 

Класс 21 а4, 38

Мо 6765 l

ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

О Il И С А Н И E чашечки для кристаллического детектора.

К патенту А. А. Панцинова, заявленному 17 августа 1926 г. (заяв. свид. № 10206).

0 выдаче патента опубликовано З1 октября 1928 г. Действие патента распространяется на 1б лет от З1 октября 1928 года. ж с.

На фиг. 1, 2, 3, 4 и 5 чертежа изображен первый вариант предлагаемой чашечки кристаллического детектора, на фиг. 1, 2, 3, 4 и 5 — ее второй вариант и на фиг. 1", 2", 3", 4" и 5"— ее третий вариант.

Первый вариант. На отогнутый назад отросток дугообразно изогнутой пластины а и Ь, изображенной отдельно на фиг. 4, надевается спиральная пружина с, после чего отросток f изнутри чашечки, через боковые отверстия в последней, выводится наружу; на его конец, снабженный прорезями, надевается зигзагообразно изогнутый стержень d или е, конец которого в виде вилки (фиг. 5) вставляется в прорези отростка (и сжимается плоскогубцами.

Стержни d и е вставляются снизу чашечки в пазы д (фиг. 3); под низ чашечки подкладывается шайба т, и привертывается к чашечке вилкой и,.

Второй вариант. На зигзагообразно изогнутые стержни, снабженные дугообазными пластинами а и Ь, надевается навертыванием) спиральная пружина с — с и вставляется сверху в направляющую пластину р, служащую основанием чашечки (фиг. 3 ). Для закрепления служит пластинка r (фиг. 4 ), к которой привертывается вилка и.

Третий вариант. На зигзагообразно изогнутый стержень d и е надевается (навертыванием) растянутая спиральная пружина с — с, после чего стержни вставляются в основание чашечки р (фиг. 3"). Пружины заводятся за отогнутые лапки v, проштампованные s стенках чашечки р и имеющиеся также и на нижней пластине r (фиг. 5"), которая при сборке ставится таким образом, что стягивает лапками v пружины с и служит для последних упором. Для предупреждения скольжения пластины r она удерживается по углам двумя выступающими отростками ж, имеющимися в основании чашечки, к которой она привертывается вилкой я..

Предмет патента.

Чашечка для кристаллического детектора, характеризующаяся применением двух дугообразно изогнутых и покрытых слоем олова пластин а н Ь, предназначенных для поддерживания кристалла, укрепленных каждая на одном из зигзагообразно изогнутых стержней d и е, верхняя часть каждого пз которых пропущена через боковую стенку чашечки детектора, а нижняя часть про- . пущена через основание чашечки, для прижимания каковых стержней к кристаллу применены спиральные пружины с и с, каждая пз которых надета на помещенную в чашечгу часть каждого из стержней.

К патенту A. А. ПАН11ИКОВА № 6765

1 иг.1

-(.

Фиг. Г РОГ (, Мс,: ;".((iÐÈÃ. j .

Фиг 3. 1 и г. i. а.е с! и ". 5 .

Я Ы

ipXi-.5н

Тиио-zиrогpа$ин «Красный Печатник», Ленинград, Международный, 75.

):л

1 т

0иг. « .

), 0(.2

; Ф

V сриГ 3.

Чашечка для кристаллического детектора Чашечка для кристаллического детектора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике и может найти применение как в мощных солнечных электростанциях, так и в качестве фотоэлектрической энергоустановки индивидуального пользования

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур Δt (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания: где λ - удельная теплопроводность алмаза (коэффициент теплопроводности Вт/(м×град)), Q - мощность кристалла активного полупроводникового прибора (Вт), полиномиальные коэффициенты - A1=-17,44331; А2=31,36052; А3=-22,21548; А4=19,01102; А5=-995,19516; А6=-4,10308×103; А7=-1,56933×103; A8=4,81737×106; А9=-1,6359×109, что соответствует глубине углубления h от 0,001 до 0,8 мм, а толщина дна углубления выбрана равной или более 0,2 мм, 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.

Чашечка для кристаллического детектора

Наверх