Способ получения сплава для кристаллических детекторов

 

g си

Класс 12п, > (N 13378

ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ способа получения сплава для кристаллических детекторов.

К дополнительному патенту Научно-исследовательского института цветной металлургии и приклалной минералогии, заявленному 19 мая 1928 года (заяв. свнд. ¹ 27891).

Основной патент на нмя того же Института от 31 марта

1930 года за ¹ 13194.

Действительные изобретатели 3L P. Богословский и П. В.

Савицкая. !

0 выдаче дополнительного патента опубликовано 81 марта 1930 года.

Действие дополнительного патента простирается на срок до 81 марта

1945 года.

Предмет патента.

Òèï. 1 идрогр. Упр. Управл. В. М. Сил РККА. Ленинград, здание Гл. Адмиралтейства.

В патенте ¹ 13194 описан способ получения сернистого свинца.для радиодетекторов нагреванием смеси окиси свинца, серы, азотнокислого серебра и буры. Получаемые этим способом кристаллы быстро изнашиваются и темнеют. С целью устранения этого недостатка, по вредлагаемому способу получения сплавадля кристаллических детекторов к указанным компонентам добавляют металлического мышьякаилимышьяковистого ангидрида.

Предлагаемый способ состоит в следующем:

На 100 весовых частей свинцового глета берут 20 — 25 в. ч. серы, 5 — 20 в. ч. азотно-кислого серебра (ляпис), 10 — 20 в. ч. буры и 1 — 10 в. ч. мышьяка (металла или ангидрида) все компоненты измельчают и, смешав в ступке или барабане, сплавляют при температуре около 1000 С.

Видоизменение, описанного в основном патенте К 13194, способа получения сплава для кристаллических детекторов, отличающееся тем, что 100 ч. свинцового глета, 20 — 25 ч. серы, 5 — 20 ч. азотно-кислого серебра, 10 — 20 ч. буры и 1 — 10 ч. мышьяка (металла или ангидрида) сплавляют при тем.пературе около 1000 С.

Способ получения сплава для кристаллических детекторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе

Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) типа «123», необходимых для проведения экспериментальных исследований фундаментальных свойств ВТСП, а также изготовления приборов и устройств сверхпроводниковой электроники
Наверх