Способ получения монокристаллических щелочно-галоидных фосфоров

 

Класс 12е, 16 № 108078

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Л. М. Шамовский и Ю. Н. Жванко

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ЩЕЛОЧ НОГАЛОИДНЫХ ФОСФОРОВ

Заявлено 17 августа 1956 r. за М 554433 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Предмет изобретения

В приборах для регистрации радиоактивного и нейтронного излучения, например в фотоэлектронных умножителях, используются в качестве сцинтилляторов монокристаллические щелочногалоидные фосфоры, активированные таллием.

Спектр люминесценции таких фосфоров в значительной части лежит за пределами области спектральной чувствительности фотокатодов, применяемых в фотоэлектронных умножителях, Предлагаемый способ получения

MoHoKplIcTBëëè÷åñêèê щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов со спектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.

Это увеличивает эффективность сцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей более широкий круг солей, вкл1очая бромиды и хлориды щелочных металлов.

Предлагаемый способ отличается от общепринятых тем, что, с целью смещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра, в качестве активатора используется не таллий, а индий.

Выращивание монокристаллов по предлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.

Процесс осуществляется при высокой температуре в запаянных ампулах, помещенных в элеваторную печь.

Индий вводится в металлической форме нлн в виде иодида в количестве от тысячных до десятых долей процента (в пересчете на металл).

Ko,ø÷eñTHo добавляемого активатора (индия) зависит от назначения изготовляемого сцинтиллятора.

В случае добавки индия в металлической форме процесс осуществляется в атмосфере водорода илн иного восстановительного газа, а при использовании иодида индия процесс ведут в вакууме.

Способ получения монокристаллнческих щелочногалоидных фосфоров, отличающийся тем, что, с целью смещения нх люминесценции в красную часть спектра, в качестве активатора используется индий.

Способ получения монокристаллических щелочно-галоидных фосфоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов, используемых в полупроводниковой промышленности

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов, а точнее к способам управления процессами кристаллизации и сегрегации

 // 193438

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из моно- или поликристаллов, используемых в ядерной и космической технике, медицинской диагностике и других областях науки и техники для регистрации ионизирующих излучений
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Изобретение относится к материалам для лазерной техники
Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике
Изобретение относится к обработке композиции, содержащей галогенид редкоземельного элемента, особенно в контексте роста кристаллов из указанной композиции

Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав
Наверх