Способ устранения задержки при запирании кристаллического триода

 

М 309(40

Класс 21, 38

21а, 36

СССР у

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

К АВТОРСКОМУ СВ, !Д!СТЕЛЬСТВУ

Б. H. Кононов

СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ЗАДЕРЖКИ ПРИ ЗАПИРАНИИ

КРИСТАЛЛ ИЧ ЕСКОГО ТРИОДА

:3онистеио 22 иояорн !95(! т.:u Л З(3!24(! в Ко53итст ио ненни изобретений и от!(рт!тий ири Со33стс !!н33истро33 СССР

Изобретение относится к oбласти ю!пут!ьсной! техники.

В большинстве нелинейных пмпуг!ьсных схем вследствие насыщения триода происходпг зап»здывяние реакции триода ца запиpBFIIIp. Ä тя 13(II!!Ieíèÿ оыстp0 (е! стВИ5(пмпу. Iьс ньlх схех! Применяlот фиксяци!0 потенциала ко. Iei;; оря с яомс ць!о ограничпвагощего диода. Однако подобный способ Ilc оосспе.п!вяет сущест!зенного уь!еньшепия за (ержкп 13 ixozF!Oi о импульс;1 относительно входного.

d or. исываемом спoco(:;..;т! I E нсдостяток устранен тсм, что !еж,(колле тором и бязоп триода применен» (елинейная ооратная

СВязь. В кrlчcствс 1!елиi!(.I .k!01 0 эл(м птя в ц llи Ооp»тноl! сВязп может быть ис:1ользовяli диод.

Прих енени" предл»гаемOFO c!foe!б,"::пя уменьшения задержки в одной из импульсных схс.. пока:3:!нз;!» icртеже; здесь: T — кристаллический триод, Д--диод, P„— сопро гп!пление нагрузки, r u Rf -сопротивления лег!ите,!51, Е, — -напряжение пита!!п!i ко.пекторя, Е„напряжение питания базы.

Если !ox базы 6 неьелик. отрицятсльныи потенциал ко,пектора превышает падение на!!ряжения Š— ня сопротпвлеI!п!е, вследствие чего диод Д в цепи обр;тной связи закрыт. В этом случае внешн(гй ток /=4, и говедсцпе схе ::1 пс отли гяетс51 0-, о=ы »Ioi При некотором l5,, когда потенциал кол. сктоp;! триода 1 (»!30,:: прпбл(гзительно Е, диод Д отпи»;Ie c51. (roc.IP. Отпи !3 IIII; !, (I":OI(rl 1 v E3! . i!I÷(II lir Вllсшне го ток. 1 е !IРпВОд(п к очень небольшому увели"1е *.HIO тока бязь!. Это об5ьяспяется тем, гго !гсбо..ьшос !!Вм 11IIO ток» 3;1з!1 .-, -..: ывяст зпя .;:.Тельно

3o.".ьшес (Вследствие с!1,!е!!п51 Грподя !l!i .го! 3 ) If»!! Нсl!пс "о!ся ко.т" лек.оря /,..., протекя!ощего 1ерез сопрот.1в.!е:!!!с нз -рмзхп Я,, часть Й 109140

Предмет изобретения

Сиocoo устранения задержки при запирании кристаллического триода, отличающийся тем, что, с целью устранения насыщения триода, применена нелинейная обра(ная связь между коллектором и базой.

Комитет IIO делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Л. M. Струве Гр. 97, 86

Ипфорз(ацпоиио-издательский отдел.

Объем 0,17 zr. л. Заказ 739.

Поди. к печ. 7/I-1959 г.

Тираж 2175. Цена 25 коп.

Гор. Алатырь, тппография М 2 Министерства культуры Чувашской АССР. (о.горого, отве гвляясь в чепоч(у г †-Л, входит в (ас(еств" составляющей тока (: В результате оказывается возможным без насыщения TDHQ,TP получить ток Х в 20 раз и более превышаюгций ток базы (((гясыщеш(я при котором (меет место насыщение триода в схеме без це((очкп г — Д. Г1р(I открытом диоде Д потенциал коллектора лало зависит От тока f, Вследствие чего в этом режил(е ток пягрузI (I 1„нс зависит от свойств трио а и от температуры.

Использование предлагаемой схем::(позволяет значительно увеличить оыстродействие импульсных схрМ (кг((очевые и огоаничительные схемы, релаксационные генераторы, триггеры), я также комплекНЫх 1 1 ТрОИс (в, i(CIIOËÜÇ Оп(их эТИ схеМЫ (ИЫчИслИТельНЫХ а(ЯШИН> узлов радиолокационной аппаратуры), даже в том случае, когда триоды обладают большим рязбросоу(коэффициента усиления по

ТОК, .