Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полотне, покрытом слоем фотополупроводника

 

Класс 57d, 10

15k. 7в;. II 109551 ссСР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И. И. Жилевич

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ HA

БУМАЖНОМ ПОЛОТНЕ. ПОКРЫТОМ СЛОЕМ

ФОТОПОЛУПРОВОДНИ КА

Зв!!вс!сио 26 ио!!бр)! 1066 ". зв .Ъ 661 !30 в Комитет ио делам !!зовретеки!й и открытий ири Совете Министров ГО.P

Предметом изобретения является

ycTpojlcT!)o д,! !! Вос!1роизвсдсния изображений на покрытом слоем фотополупроводника оумажном полотне, состоя1цес из электризатoра, сообщающего ело)о фотополупроводнпка некоторый электрический заряд, экспонирующей камеры и проявляющей камеры, выполненной в виде контейнера, содсржашсго предварительно заряженные частицы красителя.

Г!редлагасмос устройство. по сравнению с известным аналогичным устройством, улучшает качество изображений.

Особенность устройства состоит в том, что стенки контейнера, параллельны с бумажному полотну, ll03,— ключены к противоположным полюсам источника тока с обеспечением совпадения направления электрически); полей, образова нык мс)кду стенками контейнера и межд . частицами красителя и заряженными участками слоя фотополупроводника.

Проявляющая камера соединена с вибратором, сообщающим ojl высокочастотные колебания.

На фиг. 1 изображена сыма устройства; на фиг. 2 — скема проявляющей камеры с показом частицы

I<1)2CIIT0, 1!(С 3.10Ì(HTBj) Ilbi)III электр)ическпмп за1)яд<1)!1!.

1)УМаЖНОе НО, IОТНО ), IIOIipbl)00 слоем фотополупроводнпка, про) одит между сеткой элсктризатора 2 заземленной мсгаллнчсской п,дастпнкои .). К сетке элсктрпзатора о подведен минус источника 4 тока высокого напряжспп!!.

П1) и и 1) о);ождсни1! зоны эл h Tp)Iзации повср.ность полотна 1 прпобрста T электрические заряды, которые B полупроводниковом слое ооразуют внутрсннсс электрическое поле.

После элсктризатора !полотно пропусKаoтс!! чеpсз эксIIОнпpующуlо камеру, вьшолненнуlo I3 виде полого прозрачного (стек, !!!н!1!1г!)1 цилиндра 5, внутри которого расположен

Яо )0900 б СВЕ 3 II РЕф,lOK I OP /.

Полотно проходи l х!е(кд5 вом 8, помещенном на цилиндре а, И ОССКОН "II(OH MO I 3,1ЛИЧЕСКОЙ IСНтой 9, натянутой на барабаны 10 и

11 и зазсм, le((Ho(1 посредством щетки 12. При вращс цилиндра 6 с позитивом 8 лучи света пронизыва101 прозра !Ичо стеши цилиндра только в зоне, ограниченной барабанами 10 и 11, HHi тРСИНЯ Я HQBcPK(10cTH UH.II(H Jра 6 покрыта тонкой прозрачной мет3, (лической пленкой 13, соедиH(. íHîé с минусом источника постоянного тока. благодаря чему стенки ци,!индра, позитив и полотно

НРО!I!IÇH(ВЯIOТСЯ ВН!. !НIIИXI ЭЛ hТPII IсСКИМ (ЮЛЕМ.

Направления внешнего и внутреннего электрических полей совпадают, причем, регулируя величину внешнего электрического поля, ускоряют создание скрытого электростатического изображения на фотополупроводниковом слос бумажного полотна.

Из экспонирующей камсры no IoTHo 1 поступает в проявляющую

КЯМЕР1, ВЫПОЛПЕНН Ю В ВИДЕ КОНтейнсра 14, снабженного клапанами 16 для предохранения от высыпяния Ilp05TB,1ÿ(0ùcÃO порошка 16, воздсйствуюшего на экспонированнос полотно 1.

Д.(Я ООЕСПС"(СННЯ, !УЧШИ\ i C;IOBHA проявления контейнер 14 соединен с вибратором 17, который сообщает ему высокочастотныс колебания.

Стенки контейнер а, па раллельные проходящему полотну 1, снабжснb(п, !оскими электрод3ми 18 и

19, первый из которых заземлсн, а второй подключен к минусу источника постоянного тока, благодаря чему контейнер пронизывается электрическим полем.

Проявляющий порошок 16 состоит из крупинок 20, например, кварцевого песка с величиной зерен 200—

300 микрон, несущих. частицы 21 красителя (порошок асфальта с различными примесями, диаметр кристаллов 1 — !О микрон) . При

K0HÒ3ÊÒÈPOÂ3HÈ!1 кристалликов красителя с крупинками носителя происходит их электризация, причем носитель приобретает отрицателы(ый электрический заряд. я

Kp3cHTo, — положитсльныи. Кристаллики Kp3cHTO, прочно удерживаются на поверхности носителя.

Внешнее электрическое поле, создаваемое электродами 18 и 19, воздействует па эти элементарные заряды и облегчает их переход на фотополупроводниковый слой бума>кного полотна 1, несущего на своей и ов ерх иост и скрытое -электростатичсскос изображение. Внешнее электростатическое поле не искажает потенциальный рельеф на бумаге, а равномерно увеличивает потенциал каждой точки, задерживая на момент проявления изооражсния его зарядку.

Бумажнос полотно 1 с проявленным изображением проходит между барабанами 22 и 2;5, из которых первый снабжен электрическим обогревом для лучшего закрепления изображения.

При размножении изображения одновременно с нескольких позитивов они склеиваются в бесконечную ленту 24, которая натягивается барабаном Ж

ПpcJмст изооpстсHI(я

1. Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полоп(с, покрытом слоем фотополупроводника, состоящее из электризатора, сообщающего слою фотополупроводника некоторый электричсский заряд, экспонирующей камеры и проявляющей камеры, Выполненной в виде контейнера, содержащего предварительно заряженные частицы красителя, отл ич а юще еся тем, что, с целью улучшения качества изображений, стенки контейнера, параллельные бумажному полотну, подключены к противоположным полюсам источника тока с обеспечением совпадения направления электрических полей, образованны. между стенками контеинера и междi частицами l pBсителя и заряженными участками слоя фотополупроводника.

2. Устройство по и. 1, о тл нч а ющ е е с я тем, что проявляющая камера соединена с вибратором. сообщающим ей высокочастотные колебания. № 109551

Фиг. 2

Отв. редактор Л. Г. Голандский

Стандартгиз. Поди. к неч. 14,!1П 1058 r. Объем 0,28 и. л. Тпраак 300. Цена 50 кои, Типография Комитета по делам паобретеннй н открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Пеглипиая, 23. Зак. 860.

Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полотне, покрытом слоем фотополупроводника Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полотне, покрытом слоем фотополупроводника Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полотне, покрытом слоем фотополупроводника Устройство для воспроизведения изображений на бумажном полотне, покрытом слоем фотополупроводника 

 

Наверх