Способ определения скорости высокотемпературной ползучести

 

О П И С А Н И Е (>1000837

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Севетскик

Социалистических

Ресттубпик

К - АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09.02.81 (21) 3244440/28-28 с присоединением заявки М (51)N. Кл.

QOl М 3/00

Гесударстаеллмй кемлтет

СССР (23) Приоритет

Опубликовано 28.02.83. Бюллетень И 8 (53) УДК620.. 172.251.2 (088.8) во делам изобретений н втлрмтий

Дата опубликования описания28.02.83 (72) Авторы изобретения

А. И. Дехтяр и В. А. Кононенко

Ю с, т

8 ;1; у

Институт металлофизики АН Украимс оМОР ...—: .

1 (71} Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПОЛЗУЧЕСТИ вЂ” параметры аннигиляции, отнесенные, Изобретение относится к исследованию прочностных свойств материалов, а именно к способам определения скорости высокотемпературной ползучести.

Известен способ определения скорости высокотемпературной ползучести, основанный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемых образцов.

B известном способе определяют кривые углового распределения аннигиляционных f фотонов, испытывают образцы на простое последействие и по полученным результатам судят о скорости высокотемпературной полэучести (1) .

Недостатком известного способа является низкая производительность определения скорости ползучести, поскольку даже небольшие изменения в структурном состоянии материала вызывают изменение скорости полэучести и необходимо производить испытание на простое последействие каждого образца.

Е1ель изобретения . — повышение производительности определения скорости высокотемпературной ползучести.

Указанная цель достигается тем, что в способе определения скорости высоко5 температурной ползучести, основанном на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемого материала, используют два образца одного материала разной структуры, определяют у каждого образца параметры g и 912 позитронной аннигиляции, испытывают один из образцов на ползучесть и определяют скорость

ЕА его ползучести, а скорость полэучести второго образца вычисляют по формуле

10008 где и

1д к показателю 1А расщепления дислокаций, в первом обрй,Е зце; и - параметры анниги- 5 ляции, отнесенные к показателю 1 . расщепления дисло каций, во втором образце. 10

Способ осуществляют следующим образом.

Используют два образца из одного и, того же материала, но имеющего разную структуру или различное исходное состоя- 15 ние. Например, один из образцов подвергают предварительной ультразвуковой обработке„ У каждого образца определяют параметры 8< и g позитронной аннигиля1 ции и показатель расщепления дислока- 20 ций. Для этого строят кривые углового

I спределения аннигиляционных ф фотоов при позитронной аннигиляции в материале и аппроксимируют кривые параболическими составляющими. Для одного из образцов определяют параметры g A и Вщ и показатель 4А, а для второго— параметры 8 и 6 р и показатель 1@ .

Затем один из образцов испытывают под нагрузкой и определяют скорость CA его . 30 высокотемпературной ползучести. Скорость ползучести 6р второго образца вычисляют по формуле

Использование изобретения позволяет

40 повысить производительность определения скорости высокотемпературной ползучести и обеспечить тем самым эффективность исследования высокотемпературных свойств

З7 4 материала и технологический контроль его структуры.

Формула изобретения

Способ определения скорости высокотемпературной ползучести,основанный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемого материала, о т.ц и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения производительности определения, используют два образца одного материала разной структуры, определяют у каждого образца параметры Д и 8 позитронной аннигиляции, испытывают один из образцов на ползучесть и определяют скорость РА его ползучести, а скорость ползучести второго образца вычисляют по формуле — параметры аннигиляции, отнесенные к показателю д расщепления дислокаций в первом образце ® и - параметры аннигиф"9 "р ляции, отнесенные к показателю . расщепления дислокаций, во втором образце.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Лехтяр А. И. и др. Позитронная аннигиляция в деформированных монокристаллах молибдена с примесью р-57."Физика твердого тела, 1978, т. 20, вып. 4, с. 1218-1220 (прототип).

Составитель М. Кузьмин

Редактор N. Янович Техред М.Тепер Корректор С. Шекмар

Заказ 1367/43 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4