Способ получения легированного кремния

Авторы патента:

C30B31/20 - легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношения где К - заданная степень компенсации полученного материала; К_Ge - степень компенсации нейтронно легированного германия; m = -1 или +1 соответственно в материале n- или p-типа проводимости; - содержание изотопов Si³⁰ и Ge⁷⁰ в природной смеси изотопов Si и Ge; - средние сечения поглощения тепловых нейтронов изотопами Si³⁰ и Ge⁷⁰.

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Код раздела: MM4A

Извещение опубликовано: 27.12.2000

Способ получения кристаллов фотохромного // 400137

Устройство для термического окисления кремниевых пластин // 716178

Способ получения полых кремниевых труб // 687654

Способ обработки кремния // 623298

Способ подогрева кремниевых стержней // 503463

Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11} // 418211

Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния // 396124

Патент 356873 // 356873

Способ получения монокристаллических слоевкремния // 272964

Патент 155288 // 155288

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738

Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния // 2186887

Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Способ определения бездефектной зоны монокристалла кремния // 2189408

Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского