Газоразрядная индикаторная панель

 

1. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПА-НЕЛЬ, сяаержаюая верхнюю и нижнюю аиэпектричесхие пластины, ортогональные системы электродов, образу-юпгае в перекрестьях ячейки тщккаиии, в . фокусирующую систему, отличающаяся тем, что, с цепью расширения области применения, повышения яр кости и уменьшения искажения изображения , фокусирующая система размещена между верхней диэлектрической пластиной и системами электродов, при атом ее фокусирующие элементы расположены над ячейками индикации. 2. Панель i п. 1, о т л и чающаяся тем, что фокусирующая сиотема выполнена в виде перекрещивак щихся систем цилиндричесжих линз.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ OONVMIII

PECANSËÈÊ (Ю 01) у Н 01 Т 17/49

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3321 543/18-21 (22) 20.07.81 (46) 15.05;83. Бюп. % 18 (72) Г.Г. Гпубоков (53) 621.385 (088.8) (56) 1. Патент США % 3916245, кл. 313-486, 1975.

2. Патент США % 3559190, кп. 340-173, 1971. (54)(57) 1. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ, содержашая верхнюю и нижнюю диэпектрические пластины, ортогональные системы эпектродов, образу-юшие в перекрестьях ячейки HBRRKatlHN, и . фокусируюшую систему, о т и и ч а ю

m а я с я тем, что, с цепью расширения обпасти применения, повышения яр-. кости и умены ения искажения изображения, фокусируюшая система размешена между верхней диэлектрической ппастиной и системами электродов, при этом ее фокусируюшне эпементы распопожены над ячейками индикации.

2. Панель re п. 1, о т и и ч а .юш а я с я тем, что фокусируюшая система выпопнена в виде перекрешиваюшихся систем ципиндрических пинз.

1018170

Изобретение относится к техйике гаээразрядных приборов и может быть иолользовано при конструировании гаэораэрядных индикаторных панвпей, способнык воспроизводить знакографические и полу5 тоновые изображения.

Известна газораэрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая диэпектричеокие пластины, на которые нанесены две ортогонапьные системы электродов. ГИП

ttoasontteT воспроизводить различные виды информации j 1).

Недостатком этой ГИП Йвпяется невоэ можность осуществления подсветки накпадываемых мнвмосхем, что сужает ев

15 функциональные возможности.

Наибопее близкой к предйагаемой по технической сущности явпяется ГИП, содержащая верхнюю и нижнюю диэпектри ческие ппастины, ортогоюпьные системы электродов, образующие в перекрестьях ячейки индикации, и фокусирующую систему Q2).

Недостатком атой ГИП является невозможность осущвствпения подсветки мне25 мосхемы, что сужает ее функционапьные воэможности >

Цель, изобретения - .расширение обпасти применения, повышения яркостй и уменьшения искажения изображения.

Поставленная ttent достигается тем, что в ГИП, содержащей верхнюю и нижнюю диэдвктрические пластины, ортого нальные системы эпектродов, образующие в перекрестьях ячейки индикации, и фик- 35 сирующую систему, поспедняя размещена между верхней .диэпектрической ппастиной и системами эпектродов, при этом фоку сирующив эпементы распопожены над ячейками индикации. 40

Фокусирующая система может быть выполнена в виде перекрещивающихся систем ципиндричесиих динз.

Фокусное расстояние пинз выбирается из соотношения 45

d «Г.22, где F - фокусное расотояние пинз; с1 - расстояние между электродами;

Р - толщина верхней пластины. 50

На фнг. 1 изображена ГИП; на фиг.2то же, вид сверху; на фиг. 3 «принцип. фокусировки; на фиг. 4 - ГИП с ципиндрическими пинзами; на фиг. 5 - то же, Bsa сверху; BG фиг. 6 - принцип фокусировки пилиндрическими пиизами; на фиг.7 участок мнемосхемы, вид сверху.

Рип содержит верхнюю 1 и нижнюю 2 диэлектрические пластины, ортогонапьные системы электродов 3 (аноды) и 4 (катоды), образующие в перекрестьях ячейки

5 индикации, систему 6 с фокусирующими эпементами 7, которые расположены над ячейками 5 индикации.

Между эпектродами 3 и 4 помещена матричная решетка 8 с отверстиями 9, эпектроды 3 и 4 и отверстия 8 матричной решетки образуют ячейки 5 индикации.

Фокусирующие эпемеиты 7 распопоже1д1 против перекрестий эпектродов 3 и 4.

ГИП работает спедующим образом.

На требуемые электроды 3 и 4 подается разнопопярное импульсное напряжение, в резупьтате чего возбуждается свечение в соответствующих ячейках индикации. Эпементы 7 фокусируют световой поток ячейки индикации на мнемосхеме 10, накладываемой ю поверхность ппастины 1.

Принцип фокусировки поясняется ю фиг. 3, где применяются спедующие обозначения: 11 - источник света (ячейка индикации); 12 - фокусирующий элемент (динза); 13 - световой конус ячейки индикации, фокусируемый на мнемосхеме;

14 - верхняя защитная пластина; 15 « црепомленный в защитной пластине световой конус, выходящий эа. препвпы фокуси сирующего элемента 12.

Прн отсутствии фокусирующего элемента 12 распредепение яркости (о ) мнемосхемы, попоженной на верхнюю . ппастину ГИП, имеет вид кривой 16.

Участок с максимапьной яркостью раоположен над ячейками индикации 11. Од« нако по мере удапения от ячейки яркость изменяется ппавно, и опредвпить точное местоположение подсветки невозможно, Расположенный над ячейкой индикации епемент 12 фокусирует световой поток, падаю1пий на этот элемент на участке ав, еспи источник света распопожен в фокусе эпвмента 12, а интенсивность подсветки мнемосхемы. имеет Bsa кривой 17 нац ячейкой индикации и кривой 16 (за иокпюченивм участка, обозюченного штри-. ховой линией), как видно, подсветка на участке над ячейкой индикации зючители но выше параэитного фона (сплошной у асток кривой 16) и имеет четкие границь1.

Если источник помещен между фоку- сом и двойным фокусом эпемента 12, то интенсивность подсветки мнемосхемы на участке над ячейкой индикации будет

cute бопьше, (кривая 18), а ппощадь ее меныие.

3 101

В случае выполнения основы фокуси, рутошей системы 6 (фиг. 1) из непрозрачного материала царазитный фон (сппошной участок кривой) практически отсутствует.

Растворим другой вариант выпопнения

ГИП (фиг. 4).

ГИП содержит верхнюю диалектрическую цпастину 1 и нижнюю диапектричеокую пластину 2, между которнми помещены две системы апектродов 3 и 4, расположена матричная решетка 8, обра« зованная диалектрическими вопокнами

; 19 и 20, вынесенными аа пределы ячеек индикации. Фокусируюшая система образована ципиидрическими линзами 21 и

22, распопоженшами вдопь алектродов систем. таким образом, что перекрестья цилиндрических пию распопожены против

° перекрестий апектродов.

Весь пакет скреплен диэлектрическими волокнами 23. Такая конструкция ГИП наиболее технопогична, так как может. быть изготовлена методом плетения на ткацких станках.

Принцип фокусировки светового изпучения ячеек moro варианта ГИП проде-. монстрирован фиг. 6, где обозначено:

1l - индикаторная ячейка; 24 - поперечное сечение ципиндрической пинзы 21 (фиг 5); 25 - поперечное сечение ци-- линдрической лиюы 22 {фиг. 5); 16-1 и 16-2 - распределение яркости мнемесхемы цо плошади цри отсутствии фокусируюшей системы; 26 - распредепение . яркости на участке мнемосхемы, распопоженной над индикаторной ячейкой., Особенность фокусировки светового изпучения ячейки закпючается в спедуюшем.

Бипиидрическая пинза (фиг. 6) фокусирует иэпучение в ппоскости, перпендикупярной ее дпине, и имеет вид сппошного участка кривой 16- 1, Ео, E Ро, Р, т.е. в атой ппоскости фокусировка происходит как и в предыдущем спучае. В плоскости, проходящей вдопь ципиндричеокой пинзы 21, фокусировки изпучения не происходит..

В этой ппоскости изпучение фокусируется цилиндрической пинзой 22 анацогично, как и в предыдущем случае. Суммарная фокусировка ортогонапьно распопоженными цилиндрическими пинзами дает распредепение яркости изпучения по ппоскости мйемосхемы изображенной фиrypoN, в основании которой лежит квадрат (ипи прямоугопьник) АВС9, а абсопютная вепичина этой яркости ограниче

8170 4 н6 оверхностью 26. Паразитный фон, вызываемый несфокусированным иэпучением ячейки, занимает поверхность, лежащую вне квадрата Л, В СоРо н быс ро убываюшую по мере удапения от него.

Абсопютное значение этой яркости ограничено поверхностью А В С ф .

Участок мнемосхемы, пежашего над ячейкой индикации, изображена фигурой е ABCD, а паразитный фон пежит вне участка AîBoCîÇî

Максимапьная интенсивность этого фона дпя реапьных конструкций ГИП может быть оценена из спедующих вепичин: тол15 шина защитного стекла 5 мм, расстояние между ячейкой индикации и ципиндрической пийзой 0,5 мм.

Пусть интенсивность светового нэпу чения, падающего íà пинэу равна- 1.

Известно, что интенсивность ненаправленного источника изпучения обратно пропорционапьна квадрату расстояния, спедоватепьно, даже без учета косинуса угпа падения интенсивность фона соста25 вит (ОЛ6 ) = 0,01 от и-енсивности подсвечиваемого участка ABC9 .

Фокусное расстояние пинэ выбирается из следующих соображений.

В риде конструкций ГИП, в особенЗй . ности с люминофором, протяженность; изпучающей части расположена между апектродами и занимает все ато расстояние. Дня. того, чтобы сфокусированное на мнемосхему свечейие ячейки эа35 нимапо дцину не бопее шага ячеек необходимо, чтобы источник изпучения находипся междуна фокусом и двойным фокусом, а в случае, когда протяженность источника равна аС,.фокусное расстояние . ао (Р) до но б ть не мен е 6(С другой стороны сфокусированное иэображение ячейки на мнемосхему отстоит от линзы на расстояние не меньше топшинй верхней защитной ппастнны, равной

Р. Иэ усповия того, что изображение ячейки на мнемосхеме должно быть не бопьше шага этих ячеек (условие, При котором не происходит спияния двух ря» дом горящих точек), фокусное расстояние пинз Р должно быть не бопьше 2 9,;; спедоватепьно, Q F ; .

Интенсивность подсветки @ожет быть уменьшена путем введения свето огпощающего материапа в вопокна 19 и 20 (фиг. 3)..

Предпагаемое изобретение цепесообразно испопьэовать в системах, требующих отображения оперативной изменян>шейся информации на фоне постоянной, 3 101 например, отображение информации о технологическом процессе на фоне мнемосхемы объекта.

По предлагаемому изобретению можно создавать ГИП как постоянного, так и переменного тока, а также индикаторы, построенные на иных принципах: электро6170 . 4 люминесцентн е, жидкокристаллические и др, Использование предлагаемого изобретения позволяет создать инцикаторы

S практически любых размеров с высоким разрешением, с возможностью отображения оперативной информации на фоне статической. !

10l8170

13

1018170

ВНИИПИ Заказ 3552/50 Тираж 703 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4