Носитель информации

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТЙЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН

С 11 С 11/16

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ П1НТ СССР

3(щщдФ. р (""" "-" ыив° e. P) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

° К ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3362231/18-24 (22) 11. 12. 81 46) 15.08 ° 90. Бюл. ь" 30 (71) Институт металлофиэики AH УССР (72) Н.А.Лесник и С.Я.Харитонский (53) 681.327(088.8) (54)(57) 1.НОСИТЕЛЬ ИНФОРИАЦИИ,содержащий диэлектрическую подложку и нане сенный на нее чувствительньй к радиоизлучению слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным. магнитным моментом, отличающийся тем, что, с целью певышения его надежности, Изобретение. относится к вычислительной технике и может быть использовано для запоминания радиосигналов в устройствах, основанных на эффекте ядерного спинового эха (ЯСЭ)

Известны устройства, в которых носители информации выполнены из ферромагнетика или феррита со структурой граната.

Недостатком известных устройств. является малая информационная емкость.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является но. ситель информации, в котором в качестве чувствительного элемента использу" ют пленки ферромагнитного сплава с ядерным магнитным моментом, Йанесенные на диэлектрическое основание.

Недостатком этого устройства является низкая надежность, обусловленная малым сигналом при считывании., информации.

Целью изобретения является повы шение надежности носителя информации.

„„SU„„1022561 А 1

2 в него введены изолирующие слои диэлектрика и дополнительные чувстви-.:::.. тельные к радиоизлучению слои сплава ферромагнитных материалов с ядерным магнитным моментом, нанесенные поочередно на чувствительный к радиоизлучению слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным магнитным моментом.

2. Носитель информации по п.1, отличающийся тем, что толщина чувствительных к радиоизлучению слоев не превьппает 2 ° 10 м, а толщина изолирующих слоев 4 -10 мт

Поставленная цель достигается тем, что а носитель информации, содержащий диэлектрическую подложку и нанесенный на нее чувствительный к радиоизлучению слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным магннтныммоментом, введены изолирующие слои диэлектрика и дополнительные чувствительные к радиоиэлуче- 1 нию слои сплава ферромагнитныхматериа- «Я лов с ядерным магнитным моментом, нане- «Я сенные поочередно на чувствительный к радиоизлучению слой сплава ферромагнитных материалов с ядерным магнит ным моментом, а также тем что толщина чувствительных к радиоизлучению ! слоев не превьппает 2 10 м, а толщи на изолирующих слоев 4 .10 ®м.

На чертеже показан поперечный разрез носителя информации, выполненного в соответствии с изобретением.

Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, чувствительные к ра:диоизлучению слои 2 сплава.ферромаг -нитных материалов с ядерным магнитным

1022561

Таким образом, надежность предла-;. гаеМаго носителя информации сущеср1 венно выше надежности известного носителя информации.

Корректор Э. Лончакова.Заказ 3084 Тираж 487 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 моментом и изолирующие слои 3 диэлек" трика.

Слои 2 могут быть изготовлены из сплава изотопа железа«57 с никелем, а слои 3 — из окиси кремния.

Устройство работает следующим об", разом.

Облучение носителя радиоизлучения приводит к изменению магнитного момен-1

0 та материала. Релаксация ядерного магнитного момента регистрируется внешними устройствами считывания. Оптимальная толщина слоев 2 ограничена услови и м ной у ствит ьно- 15 сти носителя при записи информации.

Редактор С,Титова Техред Л.Олийнык

Применение комбинации слоев 2 и 3 ° увеличивая общую массу чувствительных слоев, вызывает увеличение сигналов считывания. Так, например, введение четырех дополнительных слоев 2 и трех слоев 3 увеличивает сигнал считывания в 2,2 раза по сравнению с сигналом считывания известного уст ройства.

Носитель информации Носитель информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх