Способ формирования скрытого электростатического изображения

 

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СКИНИЮГО ЭЛгаСТРОСТАТИЧЕСКСГО ИЗОБРАЖЕНИЯ, включающий обработку электрофотогра гческого носителя перед зарядкой, равномерную зарядку электрнческнм разрядсм, экспонирование изображения , подогрев и выдерживание носителя при температуре тер мополяризации, охлаждение до температур, не npeistjвающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до температуры деполяризации, о т л и ч аю щ и и с я тем, что, с целью повышения качества изображения, обработку веду.т Путем нагревания и выдерживания не менее 4-6 мнн при температуре , на 20-50с превьааающей температуру термополяриэацни, и не более чем в течение 5-10 мИН охлаждения до температуры, не превмиающей температуру термополяризации носите-; ля.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

6% (И) ЗсЮ С 03 G 13/О 6

ГОСУДАРСТВЕННЬЙ КОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ к авторском саид .=льстеу (21) 3372745/28-1 2 (22) 22.12.81 (46) 07.07.83. Бюл. М 25 (72) B.Þ. Крищонас и С.И. Тамоивонас (7 ) Вильнвсский ордена Трудового

Красного Знамени н ордена Дружбы народов государственный университет им. В. Капсукаса (53) 772.93(088.8) (56) 1. Лвторское свидетельство СССР йо заявке Р 3238707/28-12, кл. G 03 G. 13/056, f981. (54)(57) ChOCOB фОРИИРОВ НИЯ

ГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО И3ОБРИКЕНИЯ вкжяакщий обработку электрофотогра-.

4 аческого носителя перед зарядкой, .равномерную зарядку электрическим разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание носителя при температуре термополяризации, охлаждение до температуры, не превывающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до температуры деполяризации, о т л и ч аю ц и и с я тем, что, с целью повышения качества изображения, обработ" ку ведут путем нагревания и-выдерживания не менее 4-6 мин при температуре, на 20-50 С превышакяцей температуру термополяризации, и не более чем в течение 5-10 мий охлаждения до температуры, не превыааюцей температуру термополяризации носите-: g ля.

1027688

Изобретение относится к электро-, фотографии и касается способа формирования изображения на электрофотографическом носителе.

Известен способ формирования скрытого электростатического иэображения, включающий . обработку электрофотографического носителя перед зарядкой, равномерную зарядку электрическим разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание носителя при температуре термополяризацин, охлаждение до температуры, не превышающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до 15 температуры деполяризации (1j.

Недостатком данного способа является низкое качество изображения.

Цель изобретения — повышение качества изображения. Ю

Поставленная . цель достигается тем, что согласно способу формирования скрытого электростатического изображения, включающему обработку электрофотографического носителя перед зарядкой, равномерную зарядку электрическим разрядом, экспонирование изображения, подогрев и выдерживание носителя при температуре термополяризации, охлаждение до температуры, не превышающей температуру деполяризации, разрядку его до нулевого поверхностного потенциала и подогрев до температуры деполяризации, обработку ведут путем наг-, ревания и выдерживания не менее

4-6 мин при температуре, на 20-50 С превышающей температуру термополяризации, н не более чем в течение

5-10 мин охлаждения до температуры, не превышающей температуру термо- 40 поляризации носителя.

В предлагаемом способе используется «озможность модификации состояния мристзллизующегося полимерно 4 го органического полупроводника.

После воздействия теплового импульса органический полупроводник перехсдят иэ кристаллического в стеклообразное состояние. Роль состояния йоищмера незначительна при образо. «амии пер«оначального скрытого электростатического изображения, когда экспонируют равномерно заряженный ноиоситель. Потом, когда носитель подогревают до температуры поляриэа- зЫ цмм и «ыцерживают при этой температуре, под действием электрического ноля первоначального заряда происходмт термополяризация носителя и на его границах образуются связанные 60 заряды, противоположные по знаку началЬиой зарядке. В стеклообразном состоянии полимерного органического полупро«одиика ориентация диполей менее.затруднена, чем в кристалличес-у ком состоянии, поэтому плотность связанного заряда в носителе, подвергнутом перед зарядкой воздействию теплового импульса, гораздо больше, чем без воздействия теплового импульса.

После выдержки носителя при тем« пературе поляризации его охлаждают, в результате чего ориентированные диполи замораживаются, т.е. фиксиууется положение связанного заряда.

Разоядка носителя l1o нчлевого потенциала означает, что плотность пер воначального заряда снижается до величины, равной плотности связанного заряда, а напряженность внутреннего электрического поля равна нулю.

При этом чем больше плотность связанного заряда, тем больше остается на поверхности носителя плотность первоначального заряда. Таким образом, законсервированное скрытое изображение не может стираться при освещении носителя. При деполяризации носителя происходит деориентация диполей, связанный заряд поляризации изчезает и выявляется потенциальный рельеф, соответствующий перноначальному заряду и гораздо больший, чем без воздействия теплового импульса. Воздействие теплового импульса почти не меняет поверхностной проводимости носителя, поэтому повышение качества изображения достигается значительным увеличением контрастности выявленного иэображения и происходит без потери разрешающей способности.

Интервал времени выдержки косителя при температуре, превышающей на

20-50ОС температуру термополяризации, должен быть не менее 4-6 мин, так как при более коротком нагреве в полимерном органическом полупроводнике еще остаются участки с кристаллическим состоянием и контрастность изображения увеличивается меньше, чем при отсутствии кристаллического состояния. Температура, до которой нагревают носитель, на 20-50 С выше температуры термополяризации, при этом интервал 20-50 С выбран по двум основньм условиям: температура, до которой нагревают носитель, должна быть не меньше, чем температура стеклования полимерного органического полупроводника (при этой температуре происходит вышеуказанное изменение состояния полимерного органического полупроводника), и не больше температуры разложения этого полупроводника. Верхний предел времени охлаждения составляет 5-10 мин, так как при более медленном охлаждении полимерный органический полупроводник частично кристаллизуется.

Пример . Электрофотографический носитель, состоящий из стек1027688 .

Составитель N. Волкова

Редактор М; Рачкулинец Техред А.Бабннец Корректор А. Повх

Заказ 4737/52 - Тираж 473 Подписное.

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 лянной подложки, покрытой тонким 0,1 мкм) электропроводящим сло-ем двуокиси олова, и сверху нанесенного поливом раствора слоя полимерного органического полупроводника поли-М-эпоксипропилкарбазола тол щиной 3-4 мкм, содержащего после высушнвания.2-3% толуола, нагревают до 90 С и выдерживают при этой тем«. пературе 10 мнн, потом в течейие

1 мии охлаждают до 20 С, заряжают короииввю разрядом до 300-350 В положительного начального потенциала, экспонируют изображение, подогревают и выдерживают при температуре поляризации 70 С в течение 3 мнн.

Потом носитель охлаждают до 20 С разряжают до нулевого поверхностного потенциала и подогревом до 60 С выявляют положительный потенциал, составляющий 40-45В от начального

1 уровня скрытого электростагического изображения, сформированного при экспонировании. Это в 3,5-4 ра" за больше, чем беэ воздействия теп- лового импульса, и в 1,5 раза боль з .ше, чем в том случае, когда применяют воздействие насыщенным паром толуола в течение 10 мин. Полученные копии показывают разрешающую способность 120-140 линий на милли t0 метр, что в 2. реза превосходит раэрешакщую способность копий, когда скрытое изображение сформировано после воздействия насиаеннюв паром толуола (60 линий иа миллиметр).

Таким образом, воздействие теплового импульса не менее чем в 1,5 раза всовывает качество изображения по сравнению с известныки способамн

Способ формирования скрытого электростатического изображения Способ формирования скрытого электростатического изображения Способ формирования скрытого электростатического изображения 

 

Наверх