Способ отжига ионно-легированных полупроводников

Авторы патента:

H01L21/477 - термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461-H01L 21/475 имеют преимущество)

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10^-6 - 10²С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формуле E T(C_nd_n+2_cT³t), Дж/см² где T = T_o = T_н; T_o - температура отжига ионно-легированного слоя полупроводника; T_H - начальная температура полупроводника; C_n - теплоемкость полупроводника; d_n - толщина отжигаемого полупроводника; _c - постоянная Стефана-Больцмана, t - длительность импульса СВЧ-излучения.

Способ термообработки кремниевых пластин // 743489

Способ изготовления проводящих межсоединений // 368678

Способ обработки селенида кадмия // 354497

Способ электрической формовки точечного полупроводникового диодассгсоюзная,^ ^ -,-,-п - ч[.ч-:ць:!^у , ,. j;.!'(• rti>&" i wauk il.ija.с'-1блиот?ка // 313244

Способ вплавления олова в кремний // 148145

Способ изготовления вентильных фотоэлементов и выпрямителей // 47015

Способ изготовления детектирующей массы для контактного детектора // 12362

Способ и устройство для термической обработки полупроводниковых соединений ii-vi и полупроводники, подвергшиеся термической обработке с помощью этого способа // 2238603

Способ изготовления подложки для толстопленочной втсп-схемы // 2262152

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы

Способ термической обработки монокристаллической подложки znte и монокристаллическая подложка znte // 2411311

Способ изготовления n - p-переходов в монокристаллах cdx hg1-xte // 2062527

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении n p-переходов для производства фотоприемников (ФП) инфракрасного (ИК) излучения

Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов &&& // 2022402

Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса a3b5 и устройство для его осуществления // 1304673

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и позволяет улучшить электрофизические параметры обрабатываемых структур, их воспроизводимость, а также повысить технологичность способа за счет того, что термообработку полупроводниковых соединений А3 B5 проводят в проточной неокислящей атмосфере до 450-550o в открытом контейнере, а дальнейшую термообработку - в герметичном контейнере в присутствии равновесных паров летучего компонента В5

Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия // 1742903

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при отжиге имплантированного арсенида галлия