Устройство для определения толщины волокнистых материалов

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого мерез Первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фоторезистор , выключенный между базой первого и коллектором второго транзисторов , от ли ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения, оно снабжено третьим транзистором с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмИттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а базе соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом. оо 01

СОКИ СОВЕТСКИХ

РЕСПУБЛИК

В 01В Д6

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1.1

1Ос®Мст еии 1Й иОмитет ссср

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГПФ (21} 3419291/18-28 (22) 06.04. 82

-(46) 15.08.83. Sea. В 30 (72) И,йухитдинов (71) Ферганский политехнический институт (53) 621 ° 317 ° 39:531.717(088.8) (56) 1. Патент Великобритании

H 1337020, кл. Q 1 М, 1973, 2, Мухитдинов И . и др. Оптоэлектронный измеритель толщины.

В кн, . Иатериалы республиканской научно-технической конФеренции молодых .ученых, Ташкент, 1976, т. П, с. 61-63 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база.„SU„„1035410 А через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору перcoro T H3 T0 ; светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим - проводом, и Фоторезйстор, включенный между базой перного и коллектором второго транзисторов, .o т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения чувст. вительности и расширения диапазона измерения, оно снабжено трет ь им транзистором с двумя резисторами, g коллектор которого через первый резистор,.а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом.

1

Иэббоетение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины волок" нистых материалов °

Известно устройство для контро"

JlR толщины волокнистых материалов, содержащее источник света, фотоприемник и блок обработки измерительного сигнала $1 1.

Недостатки известного устройства" невысокая надежность и низкая чувствительностьь.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для определения толщины волокнистых материалов, со-, держащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источ" ника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно,а база — через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй ре» зистор соединен с выходом источника питания, а база подключена к кол" лектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фоторезистор, включенный между базой первого и коллектором второго транзисторов (2 1.

Недостатками устройства являют" ся невысокая чувствительность и неширокий диапазон измерения.

Цель изобретения - повышение чув" ствительности и расширение диапазона измерения.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для определения толщины волокнистых материалов, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллек" тор которого через первь1й резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фотореэистор, включенный между базой первого и коллектором второго транзис035410 а

5

45 торов, снабжено третьим транзистором с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмит" тер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным. между эмиттером третьего транзистора и общим проводом.

На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит первый трэнзистор 1 с двумя резисторами 1.1 и 1.2, второй транзистор 2 с двумя резисторами 2,1 и 2.2, третий транзистор 3 с, двумя резисторами 3. I и 3.2 светодиод 4, включенный между эмиттером транзистора 2 и общим проводом, дополнительный светодиод 5, включенный между эмиттером транзистора 3 и общим проводом, фотореэистор 6 и источник 7 питания.

Устройство работает следующим образом, При подключении устройства к источнику 7 питания первый транзистор

1 закрыт из-за большого темнового сопротивления фоторезистора 6 обратной связи, Второй транзистор 2 открыт.

Через светодиод 4 протекает ток, вызывающий свечение светодиода 4.

Под действием потока излучения светодиода 4 проводимость фоторезистора 6 начинает увеличиваться. Когда сопротивление фотореэистора 6 достигает определенной величины, соответствующей порогу отпирания первого транзистора 1, транзистор отпирается, и. вследствие этого второй транзистор 2 запирается, Светодиод 4 гаснет, Теперь сопротивление,фоторезистора 6 спадает. Когда величина проводимости фоторезистора 6 достигает соответствующей величины напряжения запирания транзистора 1, транзистор 1 запирается, и вследстие этого отпирается второй транзистор 2 . Светодиод 4 снова начинает излучать, и цикл повторяется.

Уровень темновой проводимости фоторезистора 6 смещается в зависимости от интенсивности потока излучения, поступающего на фоторезистор

6 от дополнительяого светодиода 5 через контролируемый объект . При изменении толщины материала изменяется интенсивность проведшего потока и, следовательно, изменяется часСоставитель 8 .Николаев

Редактор С.Лисина Техред В.Далекорей Корректор А. Повх

Заказ 5810/40 Тираж 602 Подписное

8НИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, W-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 1 тота колебаний на выходе устройства.

Небольшие .изменения значения темновой проводимости Фоторезистора при.водят к значительным изменениям частоты повторения импульсов, генерируемых генератором, что обеспечивает выоокую чувствительность устройства. Так как Фоторезистор 6 опти035410 4, чески связан с первым светодиодом 4, срыва генерации не происходит. Выбором определенной величины тока светодиода 5 обеспечивается необходимый диапазон измерения.

Изобретение позволяет повевать чувствительность и расширить диапа» зон измерений,