Способ удаления с поверхности подложек покрытий из халькогенидного стекла

 

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ С ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ПОКРЫТИЙ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА путем обработки их в реагенте , о т л ,и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью улучшения условий труда и увеличения скорости удаления, обработку ведут при 250-380 С в расплаве солей, включающем, вес.%: KNO-) или NaN02 5 или в расплаве солей, включающем, вес.: KNO-j55 NaN03 5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

I (19) (11) З(51) С 03 С 2 00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР . ПО ДЕЛАМ. ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPCHOMY CBMQETHlbCTBV (21) 3399791/29-33 (22) 17.0г.82 (46) 07.09.83, Бюл. 11 33 (72) Ю.Ю.Бальчюнас, Д-И.Б.Сидаравичюс, А.В.Мельман, А.Ф.Шелкова и В.А.Балюлис (53) 666.1 053 63(088.8) (56) 1. Орлова Г.М. и др. Кинетика химического травления в щелочных раст") ворах. " Сб. "Химйя твердого тела ь

Л., ЛГУ, 1965, с.221.

2. Авторское свидетельство СССР

М 509550,.кл. С 03 С 23/00, 1973 (прототип)r (54) (57). СПОСОБ УДАЛЕНИЯ С ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ПОКРЫТИЙ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА путем обработки их в реагенте, о т л и.ч а ю.шийся тем, что, с целью улучшения условий труда и увеличения скорости удаления, обработку ведут при 250-380 С в расплао ве солей, включающем, вес.3:

KNOT или йаМО 55

NaN0g, 45 или в расплаве солей, включающем, вес.3: кно 55

NaN0g 45

1 103990

Изобретение относится к электрофо цграфии, в частники к способу удаления фотопроводниковых покрытий из халькогенидных стекол с поверхности металлических подложек, а также к области обработки поверхности металлов.

Известен сйособ обработки халько.генидных стекол путем растворения .их в растворах перекисных соединений $1)

Однако этот способ нельзя приме- 10 нить для удаления халькогенидных покрытий с металлических подложек, так как травильные растворы содержат в своем составе сильные окислители, которые разлагают материал подложки.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является gïoñoá удаления покрытий с поверхности подложек путем растворения в водном растворе 20

О этилендиамина при 50-150 C .$2j

Недостатком известного способа . является использование в качестве. растворителя водных растворов.этилен" диамина, которые являются легковос- 25 пламеняющимися и горючими жидкостяии.

Кроме того, этилендиамин является легколетучим токсическим веществом. Совокупность этих свойств этилендйамна требует соблюдения строжайших мер без- 30 опасности при осуществлении технологических процессов, связанных с применением его растворов, что, в свою очередь, требует создания сложного герметичного оборудования, эксплуатация кото- рого возможна лишь. в пожароопасных помещениях специальной категории. С технологической точки зрения процесс удаления покрытий из халькогенидных стекол в водных растворах этилен- 4 диамина в условиях безопасного проведения процесса обеспечивает недостаточную скорость его снятия2 мкм/мин. Кроме того, при соблюдении экологических правил необходимы дополнительные сложные устройства для очистки сточных вод, образующихся при, промывке цилиндров после удалейия покрытий, от соединений мышьяка и . этилендиамина, которые в коллоидном

50 .состоянии адсорбируются на поверхности подложек, что значительно услож. няет всю схему технологического ïðîцесса в целом.

Целью изобретения является улучше- 55 ние условий труда и увеличение скорости удаления покрытий из кальяо" генидного стекла.

8 2

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу удаления с поверхности подложек покрытий из халь- i когенидного стекла путем обработки их в реагенте, обработку ведут при

250-380 С. в расплаве солей, включающем, вес.Ф:

КйО или йайО 55 йайО д 45 или в расплаве солей, включающем, вес, 4 .

Кйо 55 йайО 45

При температурах ниже 250 С также происходит снятие покрйтия, но скорость его удаления очень низка - менее 1 мкм/мин. При температуре расплава, превышающей 380 С, происходит некоторое повреждение поверхности дюралюминиевой подложки и для ее повторного использования необходйма дополнительная переполировка.

При удалении покрытий халькогенидных стекол с поверхности подложек их растворение не происходит. Это подтверждает химический анализ удаленных покрытий после извлечения их из расплавов солей механическим способом, промывки водой и сушки. Во всех.слу.чаях состав удаленного покрытия в пределах точности анализа соответствовал составу исходного материала. Кроме этого, использование удаленных покрытий в качестве исходного материала для получения новых покрытий путем вакуумной конденсации показывает, что их электрографические свойства идентичны свойствам покрЫтий, получаемых из монолитных халькогенидных стекол.

Удаление покрытий происходит в результате уменьшения их вязкости и высокого сродства к расллавам солей, Пример 1, В расплав солей состава КйО 55 и йайО 453, находящийся при 250 С и атмосферном дав0 лении, погружают электрофотографический цилиндр, представляющий собой цйЛиндрическую дюралюминиевую подложку с покрытием триселенида мышьяка.

Через 10 мин покрытие полностью удаляется. Средняя скорость снятия

3 мкмlмин. Затем цилиндр-подложку промывают проточной водой.

В таблице приведены результаты испытаний для других параметров.

При осуществлении технологическога процесса удаления покрытий поверхность дюралиминиевых подложек

Режим удаления покрытия

Качество поверхности под" ложек

Темпера." тура расплава, С о

Состав рас плава, 4

Скорость удаления покрытия, мкмlмин

Состав покрытия

55 КЯО

45 NANO>

55 йайО

45 NaN02

55 KNOg

45 NaNO

55 NO

45 NaNO

55 NANO)

"5 "аИ0г

55 KNOg

45 NaNO2

250

Нарушений поверхности не наблюдается, чистота поверхности не менее 10 кл„

300.

380

20 То же

250

Нарушений поверхности не наблюдается, чистота

As< Se> -Аз Те

Asl Se5- В i g Se3

AsgSeg-SbgSeg

300

10 поверхности не менее 10 кл, 380, 20 То же

Составитель О.Самохина

Редактор И.Шулла ТехредМ.Гергель Корректор А.Дзятко еэ

Заказ 6809/23 Тираж 486 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. "/5

Филиал Illlll "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 1039908

4 не повреждается и они могут быть ис- расплава солей и ванны с проточной пользованы для повторного нанесения водой для промывки цилиндров, Ванны покрытий без дополнительной механи- должны быть оборудованы местной .выческой обработки. тяжкой в виде зонда. Могут быть исПри снятии покрытйй разложения .. . пользованы выпускаемые промышленнос халькогенидных стекол не происходит. тью стандартные ванны, которые прии материал покрытия полностью пере- меняются в термическом и гальваниходит в расплав солей в виде индиви- ческом производствах, дуального соединения, Таким образом,:.;сточные воды при промывке цилиндров- .10 Таким образом, применение для подложек после удаления покрытия не удаления покрытий из халькогенидных содержат соединений мышьяка, и их до. . стекол в расплаве смеси солей llo полнительная очистка перед сливом в сравнению с известным способом имеет канализацию не требуется, следующие технико-экономические преУпругость пара над расплавами со-. 15 имущества: улучшает условия: труда; лей при оптимальных температурах. повышает экологическую безопасност ь, проведения процесса практически рав - исключая попадание токсических вена нулю и в связи с этим отпадает .- ществ в окружающую .среду; упрощает необходимость применения герметично" конструкцию оборудования и .уменьшает го обррудования. Оборудование очень . 20 требования к производственным помещепростое и в основном состоит из двух :ниям; увеличивает производительность ванн: ванны с электроподогревом для процесса примерно в десять раэ.

I ю

Способ удаления с поверхности подложек покрытий из халькогенидного стекла Способ удаления с поверхности подложек покрытий из халькогенидного стекла Способ удаления с поверхности подложек покрытий из халькогенидного стекла 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологиям лазерной обработки твердых материалов, и, в частности к технологии создания изображений внутри объема прозрачных изделий с различными цветовыми эффектами
Изобретение относится к лазерной технологии и может быть использовано для создания художественных изделий и маркировки прозрачных материалов

Изобретение относится к областям регистрации информации путем литографического формирования рельефных микроструктур и может быть использовано в оптотехнике, голографии, электронной технике, полиграфии и прочее

Изобретение относится к легкой или пищевой промышленности и может быть использовано при формировании изображений в прозрачном или малопрозрачном материале различных изделий, таких как емкости (бутылки, банки, флаконы, графины и т.д.), предметы широкого потребления (стекла очков, защитные стекла часов, всевозможные панели каких-либо приборов, сувенирные изделия и т.п.)

Изобретение относится к устройству для формирования изображений в изделиях из прозрачного и малопрозрачного для видимого излучения материала
Изобретение относится к производству художественных стеклянных изделий

Изобретение относится к способу очистки подложки и к нанесению на нее покрытий
Изобретение относится к способу обработки поверхности подложки
Наверх