Нелинейный диэлектрический элемент

 

НЕЛИНЕЙНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий электроды с.размещенной между ними композицией на основе параэлектрика и диэлектрика, отличающийся ч&л, что, с целью повьшения диэлектрической нелинейности, параэлектрик вьтолнен в виде волокон или пластин, ориентированных перпендикулярно электродам .

„.Я0„„1057993 А

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ЗШ Н 01 G 7/06 ь

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /":--:., ;: -.;

УЬл f

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф (21) 3481435/18-21 (22) 02.08.82 (46) 30.11.83. Бюл. Р 44 (72) В.N. Петров, В.П. Десницкий, И.Л. Федоровская, Т.Б. Калюта и О.В. ПотЕмкин (53) 621.319.4(088.8) (56) 1. Патент С1Ю 9 3811.937, кл. 117-217, 1974.

2. 1ЕЕЕ Trans NTT-12, 1964, Р 4, р. 440-445 (прототип ). (54)(57) НЕЛИНЕЙНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

ЭЛЕМЕНТ, содержащий электроды с раз« мещенной между ними композицией на основе параэлектрика и диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повиаения диэлектрической нелинейности, параэлектрик выполнен в виде волокон или пластин, ориентированных перпендикулярно электродам.

1057993

Изобретение относится к радиотехнике сверхвысоких частот и, в частности, к нелинейным диэлектрическим конденсаторам — варикондам, предназначенным для параметрических усилителей, ЧМ-генераторов, фазовращателей и коммутаторов диапазона СВЧ.

Известны нелинейные диэлектричес-, кие элементы - конденсаторы из композиции сегнетоэлектрической или параэлектрической керамики, и ди,электрика низкотемпературного стекла, например, состава, мас.%:

36, Bi>Og 23 PbO 25< ZnO 5, В О 5, Si0 5, А1 О,1, на поверхность которой нанесейы электроды f1).

Кенденсаторы обладают повышеннЬЙ электрической прочностью, однако одновременно со снижением диэлектрической проницаемости композиции снижается и .ее диэлектрическая нелинейность, т.е. изменение диэлектрической проницаемости при измене нии напряженности электрического поля (Е ).

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является нелинейный диэлектрический элемент, содержащий электроды с размещенной между ними композицией на основе параэлектрика и диэлектрика Г23..

При увеличении содержания полимера в указайной смеси снижение диэлектрической проницаемости сопровождается одновременным резким умень шением диэлектрической нелинейности. так, в смеси 90% керамики и

10% полистирола относительное изменение диэлектрической проницаемости в максимальном электрическом поле дЕ/6 составляет 2% от ее значения для чистой керамики. Снижение нелинейности связано с тем, что в хаотической смеси максимальная напряженность электрического поля ока зывается в прослойках из диэлектри ка с низкой диэлектрической йроницаемостью, не зависящей от напряженности электрического поля.

Цель изобретения - повьааение ди. электрической:нелинейности.

Поставленная цель достигается тем, что в нелинейном диэлектрическом элементе содержащем электроды с размещенной между ними композицией на основе параэлектрика и диэлектрика, пераэлектрик выполнен в виде волокон или пластин, ориентированных перпендикулярно электродам.

При таком выполнении нелинейного диэлектрического элемента СВЧ на-. пряжение,поданное на электроды, оказывается приложенным к параэлектрику, и его диэлектрическая проницаемость изменяется в зависимости от напряженности электрического поля, как в случае чистой параэлектрической керамики.

На фиг. 1 представлена конструкция нелинейного диэлектрического элемента СВЧ, на фиг. 2, 3 н 4 — варианты конструкции нелинейного элемента

СВЧ, разрез.

5 Элемент представляет собой пластинку из композиции параэлектрика 1 и наполнителя 2 с нанесенными на ее поверхности электродами 3 и 4.

Š— направление электрического поля.

Параэлектрик 1 (например, параэлектрическая керамика ВК-7 ) может быть выполнен в виде волокон. или тонких стержней, как показано на фиг. 2, пластин - на фиг. 3, сот на фиг. 4. оасположенных перпендикулярно нанесенным .электродам 3 и 4.

При этом наполнитель 2 представляет собой диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями, высокой

20 электрической прочностью, плотно и без пор заполняющий пространство между параэлектриком. В качестве наполнителя может быть использовано легкоплавкое стекло, смолы, термо?5 пластичные полимеры..

Pa6o à элемента заключается в следующем.

При подаче напряжения U на электроды 3 и 4 оно оказывается пол30 ностью приложенным к параэлектрику

1 и параллельно, включенному наполнителю 2." Под действием возникающего в параэлектрике 1 электрического поля напряженностью E = 0th, у где h - толщина элемента, диэлектричеськая проницаемость Е„ параэлектрика 1 изменяется ввиду присущей ему нелинейности Я (Е ), а диэлектрическая проницаемость рг иаполни40 .теля 2 остается неизменной. Емкость элемента

Еа 5 Ео, о г с ьйэ — = Е +

4> площадь поперечного сечения параэлектрика 1, S2 - площадь поперечного сечения иаполнителя 2, Ер - диэлектрическая постоянная. Так как f g 2) f g (E< = 1000-5000 Ег 2-3), то Р081 г809г * и С8 (Е)— или

Езф= „{Ц+ =я„(а)и, (г)

В где d - объемная доля параэлектрика в композиции

Отсюда видно, что эффективная диэлектрическая проницаемость предлагаемого элемента существенно ни60 же диэлектрической проницаемости параэлектрика и . Например, при

01, =0,01 „ °

ЗВ то же"время диэлектрическая не65 линейность, т.е. изменение диэлек1057993

°

° °

a ° ° е ° а Ъ

".Г ° i tii1

° i Ва > °

° " ° ° .> ° с,,с

Ф ° °

Ф °

° °

% °

° t1

° Ф

° » »°

У

° ° а>

Ъ,.

g ° °

< л °

° ° ч °

« ю

99t. «

Составитель А.Салынский

Техред B. Далекорей Корректор И.Муска

Редактор О.Сопко

Заказ 9587/54

Тираж 703 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 трической проницаемости в электрическом поле, сохраняется такой же, как у чистого параэлектрика без наполнителя. Так, например, при изменении Е„ в заданном поле Е в 3 ра за Е Ф изменяется также в 3 раза. 5

Это йозволяет использовать предла-, гаемый нелинейный элемент для создания конденсаторов СВЧ (варикондов )

t с электрически перестраиваемой емкостью, перестраиваемых диэлектри- 10 ческих резонаторов и фильтров, параметрических усилителей СВЧ, электрически управляемых линий передачи, фазовращателей и других подобных устройств диапазона СВЧ. 15

Пример изготовления предлагаемого технического решения.

Параэлектрик BK-7 нарезается на тонкие пластины размерами 10.10

«1,0 мм. Пластины перекладываются пластинками из полиэтилена таких же размеров, после чего сборка общей толщиной 2 мм помещается в печь и нагревается до температуры размягчения полиэтилена. После механической обработки поверхностей полученного брикета две его противоположные боковые стороны металлизируются печатным. способом. Полученный таким образом элемент из композиционного материала имеет примерно в 2 раза более низкую диэлектрическую проницаемость, чем у элемента из исходного параэлектрика BK-7, и равную указанному параэлектрику диэлектрическую нелинейность, в то время как у базового варианта при данном соотношении компонентов нелинейность практически будет близка к нулю.

Данная конструкция нелинейного элемента СВЧ имеет большую диэлектрическую нелинейность, т.е. изменение диэлектрической проницаемости с напряжением.

Большая величина диэлектрической нелинейности позволяет уменьшить протяженность нелинейного диэлектрического элемента, а следовательно, в соответствующее число раз уменьшить электрические, потери устройства.

Нелинейный диэлектрический элемент Нелинейный диэлектрический элемент Нелинейный диэлектрический элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники и электроники, в частности к устройствам, накапливающим электрические заряды - конденсаторам, и может быть использовано при создании конденсаторов с существенно повышенной электроемкостью

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, а именно к способу управления емкостью электрического конденсатора и конденсатору переменной емкости на основе этого способа, и может быть использовано в конденсаторостроении

Изобретение относится к способам, химическим составам и устройству для генерации электричества

Заявленное изобретение относится к области электротехники и направлено на предотвращение изменения емкости при смещении электродов, расположенных один напротив другого через слой диэлектрика. Емкостный прибор согласно изобретению содержит слой (10) диэлектрика, первый электрод (11), выполненный на заданной поверхности (10а) слоя (10) диэлектрика, и второй электрод (12), выполненный на противоположной поверхности (10b) слоя (10) диэлектрика. Первый и второй электроды (11, 12) выполнены такой формы, чтобы даже в случае смещения первого электрода (11) в заданном направлении относительно второго электрода (12) площадь перекрывающейся области противоположных электродов между первым электродом (11) и вторым электродом (12) оставалась неизменной. Повышение стабильности работы емкостных приборов с переменной емкостью является техническим результатом заявленного изобретения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 61 ил.

Изобретение относится к области СВЧ радиоэлектроники и предназначено для работы в СВЧ устройствах при повышенном уровне мощности СВЧ сигнала в качестве нелинейного элемента в виде сегнетоэлектрического конденсатора с электрическим управлением номинала емкости. Сегнетоэлектрический (СЭ) конденсатор состоит из диэлектрической подложки (1), на которой из электропроводящей пленки сформированы электроды планарного конденсатора (2) и (3), электроды (6) и (7) для подачи управляющего напряжения и полосковые линии (4) и (5), соединяющие электроды (2),(6) и электроды (3), (7), СЭ пленки (8), покрывающей диэлектрическую подложку с электродами, на которой из электропроводящей пленки сформированы электроды (9) и (10) над электродами (2) и (3) с частичным перекрытием площадей для подключения к внешней СВЧ цепи и электроды (11) и (12) над электродами (6) и (7) для подключения к внешней цепи управления. Конденсаторы с электродами (2) и (9) и с электродами (3) и (10) блокируют протекание постоянного тока от источника управляющего напряжения через СВЧ цепи. Индуктивное сопротивление полосковых линий (4) и (5) предотвращает утечку мощности СВЧ сигнала во внешние цепи управления СЭ конденсатором. Техническим результатом заявленного изобретения является снижение уровня управляющего напряжения при повышенных уровнях мощности СВЧ сигнала. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении широкого класса управляемых электрическим полем элементов, в частности для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Для изготовления сегнетоэлектрического конденсатора на подложку (1) напыляют нижний электрод (2), на который послойно наносят пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца с послойными сушкой и пиролизом для формирования нескольких слоев твердого раствора (3-1)…(3-n). Сформированные несколько слоев твердого раствора (3-1)…(3-n) подвергают кристаллизации (4) для получения сегнетоэлектрической пленки (5). На сегнетоэлектрическую пленку (5) напыляют верхний электрод (6). В пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования слоя твердого раствора (3-1), примыкающего к нижнему электроду, вводят 0÷7%-ный избыток свинца сверх стехиометрии, а в пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования остальных слоев твердого раствора (3-2)…3-n вводят 8÷30%-ный избыток свинца сверх стехиометрии. Изобретение обеспечивает улучшение электрических свойств сегнетоэлектрической пленки (5) на основе цирконата-титаната свинца: повышает остаточную поляризацию, увеличивает диэлектрическую нелинейность и снижает токи утечки. 8 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения лежит способ нанесения тонкой пленки многокомпонентного оксида гафния и циркония методом атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров гафния Hf[N(CH3)(C2H5)]4 (ТЕМАН) и циркония Zr[N(CH3)(C2H5)]4 (TEMAZ) на нижний электрод в виде смеси из двух металлоорганических реагентов ТЕМАН и TEMAZ, подаваемой из общего прогреваемого контейнера. Повышение электрофизических характеристик сегнетоэлектрического конденсатора является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
Наверх