Фототермопластический преобразователь изображений и способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава ( @ ) @ ( @ ) @ 0,333 @ 0,435,для фототермопластического преобразователя изображений
1. Фототермопластический преобразователь изображений, содержащий металлизированную подложку с последовательно расположенными на . пленками фоточувствительного стеклообразного полупроводника и термоплас тического материала, отличающийся тем, что, с целью уменьшения его токсичности, пленка; фото- «g чувствительного стеклообразного полу (Л . проводника выполнена из материала состава (Sbj 5з ) ,-х (ЗЪзО, ) с параметром стехиометрии х, удовлетворяющим . условию 0,333S Х40,435 и толщиной 0,5 id 43,0 мкм. ел ел со
СОНИ СОВЕТСНИХ
РЕСПУБЛИК (1% (И) 3(Я) g 06 К 19/02 а е °
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ;:
К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
CÜ ë 1
/ б б
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
llO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3337853/18"24 (22) 18.09.81 (46) .07.12.83. Бюл. Р 45 (72) Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, И. И. Memos, В. П. Шило, A.М. Пойманов, А.Г. Баратов, Л.Й. Бекичева и A Ï. Жулай (71) Ордена Ленина физико-технический институт им. A.Ô. Иоффе (53) 681.327 (-088.0) (56) 1. Панасюк Л.М.,Робу С.В., Форш А.A. Прилепов В.Д. Кинетика образования видимого изображения, на системе полупроводник - термопластик.- II Всесоюзная конференция "Бессеребряные и .необычные фотографические процессы, Кишинев, 1975 с. 61. - 63. 2.Панасюк Q.М. Фототермопластичес-кая запись на системах полупроводник — термопластик.- Сб. Способы записи информации на бессеребряных носителях, вып. 8. Киев, с 14—
24 (прототип) . (54) ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЙ И СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СТЕКЛООБРАЗНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА ИЗ МАТЕРИ.
AJIA СОСТАВА (SbaЯ ) g- „: (SbZO3)„, 0 333 & х 6 0 435 ДЛЯ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ. (57) 1. Фототермопластический преобразователь изображений, содержащий металлизированную подложку с последовательно расположенными на ней пленками фоточувствительного стеклообразного полупроводника и термоплас тического материала, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью уменьшения его токсичности, пленка; фото- Е чувствительного стеклообраэного пол .проводника выполнена иэ материала состава (5Ь т 5 ) (- x (SX <хс0,435 и толщиной 0,5 З d 4 Й 4 3,0 мкм. 1059590 2, Способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава (Sg Изобретение отнЬсится к автоматике и вычислительной технике, в част1 ности к оптической обработке инфор1 о мации, и может быть использовано для,голографической и аналоговой обработки информации. Известен .фототермопластический преобразователь изображений, содержаь.ий металлизированную подложку с нанесенными на нее пленками фоточув . o ствительиого стеклообразного полупроводника и термопластического ма-. териала, при этом фоточувствительная: пленка изготовлена иэ двухкомпонентх c aBos йЬяка и сер (АЬ283) „5 термическим испарением в вакууме $1) . Недостатками данного фототермо пластического преобразователя и . способа его изготовления являются высокая токсичность в процессе изготовления, и эксплуатации, а также низкие светотехнические и электрические параметры. Наиболее близок к предлагаемому фототермопластический преобразова:тель изображеиий, содержащий металлизированную подложку с последова.тельно расположенными на ней пленка ми фоточувствительного стеклообразногЬ полупроводника и термопластического.материала, где фоточувстви- 36 тельная пленка изготовлена из трехкомпонентного стеклообразного полупроводника. на основе сплавов ьэааьяка, серы и селена (Аз28ез )а,в (Абг8ъ)Фу ° . 35, Способ нанесениЯ пленки фоточувствительного стеклообразиого полупро водника в известном фототермопластическом преобразователе иэобра« жений основан иа испарении в ваку- 4g уме порошкообраэного фоточувствительного .;.стеклообраэного полупроводника и нанесении его на подогре, тую диэлектрическую подложку (2) . Недостатком этого фототермоплас- 45 тического преобразователя иэображений и спасоба нанесения пленки 1 фоточувствительного стеклообраэ но» ку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токсичности в процессе нанесения, испарение в вакууме порошкообразного фоточувствительного стеклообразного полупроводника дисперсностью 0,1 - 0,2 ьм осуществляют путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель, а подогрев диэлектрической подложки осуществляют в пределах 60-120 С. ro полупроводника для него является высокая токсичность в процессе на. нанесения пленки и применения фототермопластического преобразователя из-за использования соединений мышьяка, Цель изобретения — уменьшение токсичности преобразователя и уменьшение токсичности в процессе нанесения. Поставленная цель достигается тем, что в фототермопластическом преобразователе изображений, содержащем металлизированную подложку с последовательно расположенными на ней пленками фоточувствительного стеклообраэного полупроводника и термопластического материала, пленка фоточувствительного стеклообразного полупроводника выполнена из материала состава (8Ъ 8 ) 1 „(84 0> )» с параметром стехиометрии х,. удовлетворяющим условию 0,333 х < 0,435 и толщиной 0,5 а d а 3,0 мкм. Согласно способу нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава (8Ъ 8 )1» (8Ь 0 ) <,0,333 х <. 0,435 для фототермопластического, преобразователя изображений, основанному на испарении в .вакууме порошкообраэного фоточувствительного стеклообразного полупроводника н нанесении его на подогретую дизлект; рическую подложку, испарение в вакууме порошкообразного фоточувствительного ..стеклообразного полупроводника дисперсностью 0,1 - 0,2 мм осуществляют путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель, а подогрев диэлектрической подложки осуществляют в пределах 60 - 170 С. На .чертеже изображена принципиальная конструкция фототермопластического преобразователя изображений. Преобразователь состоит из металлизированной подложки 1 с последова ф тельно нанесенными на нее пленками точувствительного стеклообразного 1059590 п олупроводника 2 и термопластичес- проводника при испарении с целью кого материала 3. получения фоточувствительных пленок, Фототермопластический преобразова- идентичных по химическому составу с тель изображений работает следующим исходным испаряеьым материалом. Это образом. способствует сохранению высоких свеПреобразователь заряжается в по5 тотехнических и электрических парале коронного разряда до определен- метров преобразователя. ного поверхностного потенциала, за- Использование в предлагаемом спотем экспонируют на него изображение, собе испарителя квазизамкнутого типа одновременно разогревая преобразова- связано с тем, что в результате вытель до температуры размягчения >О сокого давления легко. летучей комтермопластического материала 3. В поненты испаряемого вещества порошок результате образования под действи- . исходного материала дисперсностью ем света потенциального рельефа на от 0,1 до 0,2 мм отскакивает от исфоточувствительной пленке 2 проис- парителя открытого типа, что привоходит перераспределение поверхностно 15 дит к отклонению по химическому сосго потенциала на пленке термоплас- тазу испаряемого вещества и получаетика. В соответствии с образовавшим- мой фоточувствительной пленки. ся потенциальным рельефом, на плен- При испарении порошка дисперске термопластического материала 3 ностью меньше0,1 мм вещество не по= происходит рельефная запись изоб- 2() падает в квазизамкнутый испаритель ражения. из-за высокого давления легко летуФототермопластические преобразо- чей компоненты испаряемого материала ватели изображений, содержащие фото- (порошок как бы выталкивается из исчувствительные пленки стеклообраэных парнтеля). При испарении порошка полупроводников системы (ВЬ28 )„ Ä 25 дисперсностью больше 0,2 мм наблю(.Sb2O>}< ñ параметром х с. 0,333 об- фракционирование испаряемого ладает низкими электрическими пара- вещества как это имеет место при . метрами (темновое сопротивление фо- «T<ì термическом испарении. точувствительных пленок fr C ,5 10 Ом см) при х ) 0,435 пре-: 30 Для достижения высокой стабиль Г образоватеди характеризуются низкой ;ности параметрсв преобразователя, фоточувствительностью в видимой об- ;а также повышенной его эксплуатациласти спектра. В результате преобра- онной способности температура металзователи, включающие фоточувстви- лизированной подложки 1 (например, ., тельные пленки с параметром стехио- ., на основе полиэтилентерефтолата) в метрии х, выходящим за эти пределы, . процессе испарения поддерживается 35 : не могут быть использованы, так как . в интервале 60 — 130 С. При темпеобладают весьма низкими светотехничес Ратуре меньше 60 С резко ухудшаются кими и электрическими параметрами. эксплуатационная способность (уменьПреобразователи Иа основе пленки шается адгезия пленки стеклообразфоточувствительного стеклообразного 4О ного полупроводника к подложке) и полупроводника 2 системы (Sb Фототермопластический преобразо-; получаемого соединения Sb S u 2 3 ватель изображений, содержащий плен- Sb2Og. Для лучшего перемешивания ку фоточувствительного стеклообраз- 55 ампулы помещают в качающиеся цилинд ного полупроводника 2 системы рические электропечи. После окончания (Sg Способ нанесения пленки Фоточув- Полученные оксихалькогенидные ствительного стеклообразного полу- стеклообраэные полупроводники подсводника 2 из материала состава вергают дроблению и сепарации. (гЪ.) „(SagoÄ„, 0„ЗЗЗ х а 0,435 для.фототермопластического Параметры предлагаемых преобра- преобраэователя иэображений основан зователей и преобразователя наоснове на уменьшении фракционирования окси- пленок (AS2Se ) (AS S )<> (прототип) халькотенидного стеклообразного полу 65 приведены в таблйце. 1059590 Й, мкм (Ом см) Состав пленки Е„ ° лк ill) q y 1.,5 1,0 (1 + 5) х 10 (5 + 3) 1043 70 (3 + 6) 10 (5 + 8) " 10 65 3,0 0,7 60 м е «е! Составитель A. Морозов Редактор Л. Пчелинская Техред B.далекорей Корректор В. Гирняк Ъ Заказ 9843/54 . Тираж 706 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий . 113035, Москва, Ж-35, Раушскав наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ®в 8ез)о,q Из 8 )бg (8 Ь28Ъ)о 6 .(8Ъ203 )О Ч Й 3) 0,64 2 (2 3 )б,398 (8bi 8S) о,47 (8b ZO3) a,yg Как видно из таблицы, светотехни- ческие (Е„,„ <) и электрические (p ) j(5 параметры предлагаемых и известного фототермопластических преобразователей иэображений одинакова, при этом в предлагаемом преобрз,зователе уменыаена таксичность в процессе из го» товления и применения преобразователя. !) < „(Sb>0>)», 0,333 g х 4 0,435 для фототермойластического преобразователя иэображений, основанный на испарении в вакууме порошкообразного фоточувствительного стеклообразного полупроводника и нанесении его на подогретую диэлектрическую подлож, 1 )4. „ стабильность параметров преобразо(ВЪ}0 ) с параметром х, удовлетво- вателя. Ясли температура металлизиряющим условию 0,333 4 х cà 0,435, Рованной подложки 1 выше 130ОC она толщиной меньше 0 5 мкм не являются при напылении Размягчается. Это приработоспособными иэ-за низкого потен-45 водит к тому, что после напыления циала зарядки фоточувствительной в пленке возникают напряжения, что пленки, который не способен деформи- Резко ухудшает эксплуатационную ровать термопластический слой. При способность преобразователя. толщинах больше 3,0 мкм. резко ухуд- Стеклообразные полупроводники шаются эксплуатационные характеристи 5() изготовляют при, 700 С в откачанных ки преобразователя (наблюдается- o вакуума 10 мм рт. ст. кварцевых грещинообразование). ампулах, где находятся ингредиенты )< „ (БЬО ) .при 0,333 4 х с . сиитеза ампулы с полупроводником под(0,435, обладает йизкой токсичйостью) . дергают закалке на воздухе. 
