Нейристор
Нейристор, содержащий два проводящих электрода, по крайней мере один из которых светопроницаемый, между которыми размещены слой светоизлучающего полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением, разделенный на дискретные области, промежутки между которыми заполнены светопроницаемым материалом, и нагрузочный слой, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, нагрузочный слой выполнен из электролюминесцентного материала, преимущественно на основе ZnS, а светоизлучающий полупроводник с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеет ширину запрещенной зоны по крайней мере больше 1,6 эВ и выполнен преимущественно на основе твердых растворов A3B5.
Похожие патенты:
Полупроводниковый датчик освещенности // 2086042
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано как датчик освещенности в различных устройствах автоматизированного управления технологическими процессами
Изобретение относится к светочувствительному устройству, а также к способу считывания и к его схеме считывания. Светочувствительное устройство содержит пиксельную матрицу и схему считывания, причем передающий затвор для соединения соседних пикселей и переноса заряда между соединенными пикселями расположен между, по меньшей мере, некоторыми указанными пикселями в пиксельной матрице, схема считывания используется для считывания заряда пикселя в пиксельной матрице, упомянутый заряд является, по меньшей мере, одним из собственного заряда упомянутого пикселя, заряда, переносимого из пикселя, соседнего с упомянутым пикселем, суперпозиции собственного заряда упомянутого пикселя и заряда, переносимого из одного или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем, и суперпозиции зарядов переноса двух или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем. Изобретение обеспечивает удобство в обработке и считывании. 3 н. и 17 з.п.ф-лы, 24 ил.
