Способ изготовления многослойных плат

 

СПСХЮБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНО1Х СПО{{1ШХ ПЛАТ, включающий получение проводников и изолирующих участков нанесения маскирующего рисунка иа поверхности с двух сторон пластины из вентильного металла , в местах, соответствующих топологии проводников на поверхности пластины, формирования изоляцион ных участков анодированием, нанесения маскируицего рисунка на поверхности пластины с двух ее сторон в местах, соответствующих тополо гии проводников в теле пластины, повторного анодирования с последующим удалением маскирующего ри- . сунка/ о т л и ч а ю щ и и с я тем, что с целью упрощения способа, нанесение маскирукгаего рисунка в местах, соответствующих топологии проводников на поверхности пластины, и в местах, соответствующих топологии проводников в теле . пластины, производят одновременно, причем маскирующий рисунок, соответствующий топологии пгюводииков в теле пластины, наносят на той поверхности пластины, которая в соответствии с топологией проводников расположена ближе к проводнику , анспирование проводят до половины толщины пластины, а перед повторным анодированием маскирующий рисунок удаляют с мест, соответствующих топологии проводников в теле пластины. Фиг,1 #

09) (И) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Pj

1 Ъ

3 с К ABTOPCHOHIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ности пластины с двух ее сторон в местах, соответствукщих топологии проводников в теле пластины, повторного анодирования с последующим удалением маскирукщего рисунка, отличающий с я тем, что с целью упрощения способа, нанесение маскирующего рисунка в местах, соответствукщих топологии проводников на поверхности пластины, и в местах, соответствующих топологии проводников в теле .пластины, производят одновременно, причем маскирукщий рисунок, соответствуквций топологии проводников в теле пластины, наносят на той поверхности пластины, которая в соответствии с топологией проводников расположена блюке к проводнику, анодирование проводят до половины толщины пластины, а перед повторным анодкрованием маскирующий. рисунок удаляют с мест, соответствукщих топологик проводников в теле пластины. (21) 3274538/18-21 (22) 02.03.81 (46) 23.02.84. Бюл. Р .7 (72) В.И.Головин, В.A,Ìàëüöåâ, В.A.oåòðîâ и Л.Н.Яковлева (53) 621 ° 396.6 ° 049.75 ° 002(088.8) (56) 1. Патент Японки Ю 54-19050, кл. Н 05 К 3/00, 59 G 4, опублик °

12.07.79.

2. Авторское свидетельство СССР

9 780237, кл. Н 05 К 3/36, 13.01.78 (прототип) ..

{ 54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MHOFO-

СЛОЯНЫХ ПЛАТ, включакщий получение проводников и изолирукщих участков путем нанесения маскирующего рисунка на поверхности c двух сторон пластины из вентнльного металла, в местах, соответствукщих топологии проводников на поверхности пластины, формирования изоляционных участков анодированием, нанесения маскирукщего рисунка на поверх;1(бр Н 05 К 3/36у H 01Х 9/02

1075453

Изобретение относится к электрон. ной технике, преимущественно к микроэлектроиике, и может быть использовано при изготовлении плат гибридных интегральных схем, микросборок и кристаллодержателей.

Известны способы получения диэлектрических подложек с многослойной проводящей толстопленочной разводкой, в частности, на монолитной, керамической или стеклоке» рамической основе путем последовательного нанесения методами печати и вжигания токопроводящих и иэолирукщих паст".(1) .

Однако этот способ не позволяет получить контактные площадки к про-: водящим слоям с обеих сторон,.под-. ложки и, кроме того, сложен в ре..ализации, так. как требует проведения последовательных термообработок каждого слоя при высоких температурах. .

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является . способ изготовления многослойных печатных плат, включающий получение проводников и иэолирукщих участков путем нанесения маскирующего рисунка.на поверхности с двух сторон пластины иэ вентильного металла B местах, соответствукщих топологии проводников на поверхности пластины, формирования изоляционных участков анодированием, нанесения маскирукщего рисунка на поверхности пластины с двух ее сторон в местах, соответствукщих топологии проводников в теле пластины, повторного анодирования с последующим удалением маскирующего рисунка. далее Пластины совмещают по фиксирующим отверстиям и соединяют по контактным площадкам (2 .

Однако известный способ сложеи„ так как требует изготовления. нескольких слоев и соединение их в пакет.

Целью изобретения является. упрощение способа.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу иэготов ления многослойных плат нанесение маскирукщего рисунка в местах, соответствукщих топологии проводников на поверхности пластины, и s местах, соответствукщих топологии проводников в теле пластины, производят одновременно, причем маскирующий рисунок, соответствукщий топологии проводников в теле пластины, наносят на той поверхности пластины, которая в соответствии .с топологией проводников расположена ближе к проводнику, анодирование проводят до половины толщины пластины, а перед повторным анодированием маскирукщмй рисунок удаляют с мест, После повторного анодирования удаляют маскирукщий рисунок с мест 4, соответствукщих металлиэации по периметру поверхности пластины.(фиг.5) и проводят химическое травление в соляной кислоте в присутствии ионов меди участков ll до разделения пластины на отдельные платы, а затем с пластин удаляют маскирующий рисунок с мест 2, соответствующих топологии проводников 12 на поверхности пластины (фиг.б).

На фиг. 6 показана полученная согласно предлагаемому способу плата с проводниками 12, расположенными

Йа поверхности пластины, проводниками 8, .расположенными в теле пластины, и некоторыми возможными комбинациями. соединений 9 и 10 между ними

65 соответствукщих топологии проводни= ков в теле пластины.

На фиг. 1-6 показана последовательность операций изготовления многослой. ных плат.

Способ изготовления многослойных плат заключается в следукщем.

На обе плоскопараллельные поверхности алюминиевой пластины .1 толщиной J, предварительно анодированной

10 на глубину порядка 1 мкм в электролите, содержащем лимонную, щавелевую и борную кислоты, наносят методом фотолитографии маскирующий рисунок из фотореэистора ФП-383 на поверх15 ность пластины 1 в местах 2, соответствующих топологии проводников на поверхности пластины, в местах 3, соответствукщих топологии проводников в теле пластины, на той поверхности пластины, которая в соответствии с топологией проводников расположена ближе к проводнику, и в местах 4, соответствукщих металлиэации по периметру поверхности

2g (фи 1)Затем йроводят двухстороннее анодирование пластины в трехкомпанентном электролите на глубину 3 (фиг.2), в результате которого в пластине получаются участки 5 металла для проводников, расположенных на поверх ности пластины, участки 6 металла для проводников, расположенных в теле пластины, и участки 7 диэлектрика.

IIcicne чего кипячением в диметилформамиде удаляют маскирукщий рисунок с мест 3, соответствукщих топологии проводников в теле пластины (фиг.3).

Проводят повторное анодирование на глубину 2, достаточную для разделе40 ния внутренних проводников 8 диэлектриком, в,результате которого окончательно формируются внутренние . проводники 8 и необходимые соединения 9 и 10 между проводниКами

45 (фиг.4).

1075453

Фиг.Х

8 Я У

Составитель И.Кузнецова

Техред М.Тепер

Корректор Г. Ре аетник

Редактор О.Бугир

Тираж 783

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений к открытий

113035, Носква, Х-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Заказ. 521/52

Филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4

Предлагаемы способом получены платы с четырьмя слоями алюминиевой металлизации.

При толщине. алюминиевой пластины .

3 "-100 мкм.получена плата толщиной

10б мкм. Толщины проводников, распо.

5 ложенных в теле пластины. 20 мкм, I толщины проводников, расположенных на поверхности пластины 30-35 мкм, при этОм 3q = 1/2 3*50 мкм, dg =« (Д - »I

- 4) 16 мкм, где 4 — толщина проводников, расположенных в теле пласти . ны, толщина диэлектрика между про4 водниками, расположенными в теле пластины 30 мкм.

) . Использование предЛагаемого спО-, соба изготовления многослойных плат для гибридных интегральных микросхем, микросборок.и кристаллодержателей обеспечивает по сравнению с известными способами упрощенные тех1нологии изготонления плат, многоуровневую металлизацию в объеме пластйны с соединениями между уровнями. !