Ячейка памяти для интегрального матричного накопителя

 

ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ, содержащая словарную и разрядную шины, шину опорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопитель зарядов на конденсаторе и резисторе , причем один вывод ключа и резистора соединены соответственно с разрядной шиной и шиной опорного потенциал1а, отлич ающаяс я тем, что, с целью повышения степени интеграции ячейки, в нее введен усилитель, вход управления которого соединен с другим выводом резистора, вход смещения - с шиной опорного потенциала, а выход - с другим выводом ключа, электрод управления которого соединен.со сло@ варной пшной.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (1!) g(51) 0 11 С 11/42

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ПАТЕНТМ

l!3 ( (1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2630256/18-24 .(22) 29 ° 06.78 (31) 811812 (32 ) 30.06. 77 (33) США (46 ) 23.02. 84. Бюл. М 7 (72) Мадхукар Лахман Джоши (Индия) . и Вильбар Дэвид Прайсер (CtdA) (71) Интернэшнл Бизнес Машинз

Корпорейшн (США) (53) 681.327.6(088.8) (56)" 1. Патент США Р 3614749, кл. G 11 С 11/42 °

2. Патент США 9 3882472 кл. G 11 С 11/42 (прототип). (54)(57) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ, содержащая словарную и разрядную шины, шину опорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопитель зарядов на конденсаторе и резисторе, причем один вывод ключа и резистора соединены соответственно с разрядной шиной и шиной опорного потенциала, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью повышения степени интеграции ячейки, в нее введен усилитель, вход управления которого соединен с другим выводом резистора, вход смещения — с шиной опорного потенциала, а выход — с другим выводом ключа, электрод управления которого соединен со словарной миной.

1076001

Составитель В.Гордонова

Техред М.Тепер Корректор В.БУтяга

Редактор В.Данко

Заказ 555/55 Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного .комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðoä, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для органиэации полупроводниковых запоминающих устройств.

Известны ячейки памяти для интегрального маТричного накопителя, которые требуют использования двух активных элементов и двух адресных шин (1) .

Наиболее близкой к предложенной является ячейка памяти, содержащая словарную и разрядную шины, шину опорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопитель зарядов, причем один вывод ключа и резистора соединены соответствен- 15 но с разрядной шиной и шиной опорного потенциала f2) .

Известная ячейка памяти занимает большую площадь.

Целью изобретения является повы- 2П шение-степени интеграции ячейки.

Поставленная цель достигается тем, что в ячейку памяти для интегрального матричного накопителя, со" держащую словарную и .разрядную шины, шину опорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопитель зарядов на конденсаторе и резисторе, причем один вывод ключа и резистора соединены соответственно с разрядной шиной и шиной опорного потенциала, введены усилитель, вход управления которого соединены с другим выводом резистора, вход смещения — с шиной опорного потенциала, а выход — с другим выводом ключа, электрод управления которого соединен со словарной шиной.

На чертеже представлено предложенное устройство.

Предложенное устройство содержит словарную шину 1, разрядную шину 2, ключ 3, накопитель зарядов на конденсаторе 4 и резисторе 5, усилитель б и шину 7 опорного потенциала.

Устройство работает следующим образом.

Информация записывается на конденсатор 4 за счет того, что разрядная .шина 2 имеет предварительный заряд, при этом ключ 3, который выполнен на полевом транзисторе, открывается. Чтобы записать нулевую информацию, разрядную шину заряжают до более низкого потенциала, например потенциала "земли", и так как разрядная шина находится под нулевым потенциалом, то конденсатор не заряжается.

Чтобы считать информацию, к раэ рядной шине прикладывается потенциал, и импульс со словарной шины замыкает ключ. Если в конденсаторе была записана "1", то потенциал на разрядной шине остается на основном уровне, и усилитель б не работает.

Если на конденсаторе был записан "0", т.е. конденсатор 4 не заряжен, то потенциал.с разрядной шины заряжает ,конденсатор 4, и на резисторе 5 появляется напряжение, которое приложено к входу усилителя б, и открывает его.

При этом разрядная шина через ключ 3 и усилитель б разряжается на "землю".

Ячейка памяти для интегрального матричного накопителя Ячейка памяти для интегрального матричного накопителя 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в системах оперативной обработки больших массивов информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в системах оперативной обработки больших массивов информации

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах

Изобретение относится к технике формирования и обработки радиосигналов

Изобретение относится к оптоэлектронному приборостроению и может быть использовано для создания оптоэлектронных преобразователей и информационных матричных дисплеев

Изобретение относится к технике формирования и обработки радиосигналов

Изобретение относится к технической физике, а точнее к оптоэлектронике, к полупроводниковым приборам, чувствительным к излучению

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для считывания и хранения оптической информации

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к схемам многопортовой оперативной и сверхоперативной биполярной памяти в интегральном исполнении
Наверх