Способ изготовления интегральных структур

Авторы патента:

H01L21/82 - для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

1. Способ изготовления интегральных структур, включающий проведение в исходной пластине одного полупроводника локального травления на глубину, превышающую глубину "карманов", присоединение ее с использованием диэлектрика к пластине другого полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции компонентов схем и улучшения их электрофизических параметров путем снижения механических напряжений в структуре, в пластине другого полупроводника дополнительно производят локальное травление по технологии, соответствующей негативу технологии исходной пластине, в их присоединение осуществляют под давлением 2-10 кг/см² до взаимного проникновения в пазы друг друга при температуре размягчения диэлектрика, величину коэффициента термического расширения которого выбирают в пределах между значениями термического расширения полупроводников, сошлифовывают одну из пластин до вскрытия "карманов".

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения структур, содержащих участки арсенида галлия и кремния, локальное травление пластин арсенида галлия и кремния проводят на глубину 20 - 100 мкм, затем их покрывают стеклом и спекают под давлением 2 - 10 кг/см² при 800-900^oC, а вскрытие "карманов" осуществляют сошлифовыванием арсенида галлия.

Способ изготовления резисторов интегральных схем // 1003695

Способ изготовления инжекционных интегральных схем // 986236

Способ изготовления интегральных схем // 952051

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к производству полупроводниковых интегральных схем (ИС)

Способ изготовления мдп-интегральных схем // 928953

Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем // 912065

Способ изготовления тонкослойных полупроводниковых приборов с боковой диэлектрической изоляцией // 880167

Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией и способ их изготовления // 824824

Способ изготовления интегральных кремниевых механоэлектрических преобразователей // 807917

Изобретение относится к технологии изготовления механоэлектрических преобразователей, в частности, к технологии изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей

Способ изготовления полупроводниковых интегральных биполярных схем // 773793

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Способ изготовления мдп ис // 2105382

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Способ изготовления бикмоп структур // 2106039

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719

Прецизионный интегральный поликремниевый резистор и способ его изготовления // 2110871

Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС)

Способ изготовления кмоп ис базовых матричных кристаллов (бмк) // 2124252

Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к способам изготовления КМОП интегральных схем (ИС) базовых матричных кристаллов (БМК) с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня и может быть использовано как в цифровых, так и в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах с низкой себестоимостью изготовления

Способ изготовления бикмоп прибора // 2141148

Изобретение относится к способу изготовления этого прибора, а именно к технологии изготовления вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке

Способ изготовления бикмоп структуры // 2141149

Изобретение относится к способу изготовления этих приборов, а именно к технологии изготовления полевых транзисторов и вертикальных NPN биполярных транзисторов на общей подложке

Полупроводниковое запоминающее устройство с высокой степенью интеграции и способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства // 2153210

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления