Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов

 

ПОГЛОЩАЮЩАЯ ПЛАСТИНА ДЛЯ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АТТЕНЮАТОРОВ , содержащая диэлектрическую подложку и резистивный слой, покрывающий одну из ее сторон, отличающаяся тем, что, с целью сокращения габаритов, на другой стороне диэлектрической подложки в ее средней части нанесен дополнительно введенный резистивный слой. (Л ОО 01 фиг.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ЗсЮ H Ol P 122

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

CO 3

Сл

СР

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3420832/18-09 (22) 09.04.82 (46) 07.03.84. Бюл. № 9 (72) И. М. Бравер, Х. Л. Гарб и П. В. Николаев (53) 621.372.852.3 (088.8) (56) 1. Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот, «Сов. радио», 1957, с. 293 — 296.

2. Авторское свидетельство СССР № 404147, кл. Н 01 P 1/22, 1971 (прототип).

ÄÄSUÄÄ 1078507 A (54) (57) ПОГЛОЩАЮЩАЯ ПЛАСТИНА

ДЛЯ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АТТЕНЮАТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку и резистивный слой, покрывающий одну из ее сторон, отличающаяся тем, что, с целью сокращения габаритов, на другой стороне диэлектрической подложки в ее средней части нанесен дополнительно введенный резистивный слой.

1078507

Составитель В. Альбин

Редактор Ю. Ковач Техред И. Верес Корректор М. Шароши

Заказ 975/46 Тираж 591 Подписное.ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к аттенюаторам.

Известна поглощающая пластина для поляризационных и развязывающих СВЧаттенюаторов, содержащая диэлектрическую площадку, резистивное покрытие и согласующие участки. В средней части пластины использован резистор с более низким значением поверхностного сопротивления, чем на краях (1).

Недостатком данной пластины является сложность ее изготовления.

Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности является поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов, содержащая диэлектрическую подложку и резистивный слой, покрывающий одну из ее сторон (2).

Недостатком известной пластины являются большие габариты, необходимые для реализации требуемого затухания при малом КСВН.

Цель изобретения — сокращение габаритов.

Указанная цель достигается тем, что в поглощающей пластине для сверхвысокочастотных аттенюаторов, содержащей диэлектрическую подложку и резистивный слой покрывающий одну из ее сторон, на другой стороне диэлектрической подложки в ее средней части нанесен дополнительно введенный резистивный слой.

На фиг. 1 показана конструкция поглощающей пластины для СВЧ-аттенюаторов; на фиг. 2 — сечение А — А на фиг. 1.

Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов содержит диэлектрическую подложку 1 и резистивный слой

2, покрывающий одну из ее сторон. На другой стороне диэлектрической подложки в ее средней части нанесен дополнительно введенный резистивный слой 3.

Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов работает следующим образом.

При установке поглощающей пластины в волноводе вдоль линии электрического поля вносится затухание электрического сигнала. При этом величина отражения от вхо10 да и выхода поглощающей пластины определяется длиной скошенных участков диэлектрической подложки 1 и поверхностным сопротивлением W4 резистивного слоя, покрывающего диэлектрическую подложку.

Как правило, наименьшая длина скосов требуется при поверхностном сопротивлении

%1 резистивного,слоя 2 порядка 270—

330 Ом/д. При нанесении на другую сторону диэлектрической подложки 1 дополнительно введенного резистивного слоя 3 в средней части увеличивается погонное затухание, сохраняются условия согласования и, как следствие, сокращаются размеры поглощающей пластины при постоянном вносимом затухании.

Экспериментально установлено, что наилучшие результаты обеспечиваются при поверхностном сопротивлении дополнительно введенного резистивного слоя 3.

Юв =150 — 190 Ом/р.

Для сохранения согласования поглощающей пластины с трактом дополнительно введенный резистивный слой 3 наносится только на среднюю часть диэлектрической подложки 1 и имеет скосы.

По сравнению с известными поглощающими пластинами в предлагаемой достигается уменьшение длины аттенюаторов на

30 — 40% при сохранении согласования на уровне КСВН 1,15.