Травитель для арсенида индия

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%: Бром - 0,1-2,5 Ацетонитрил - 97,5-99,9

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Травитель для кремния // 1074327

Защитный экран // 1051621

Способ ионно-химического травления кремнийсодержащих диэлектрических пленок на кремниевых подложках // 1040980

Раствор для травления антимонидов элементов третьей группы // 1033585

Травитель для реставрации термокомпенсаторов из молибдена и его сплавов // 1001825

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута // 965240

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем // 965239

Изобретение относится к электронной технике, в частности к изготовлению кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур // 950113

Способ исключения дефектов из рабочего объема полупроводниковых структур с потенциальным барьером // 878105

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости