Устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования

 

УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ СХЕМ С ЛИ НИЯМИ ПЕРЕДАЧИ КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ , содержащее управляемый источник тока, выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первьй резистор - с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной , а коллектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости коллектор которого соединен с гаиной питания, а база - с коллектором тран зистора второго типа проводимости, база которого через второй резистор соединена с его эмиттером к гзиной пн-тания , отличающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и расширения функциональньтх возможностей, управляемый источник тока вьтолнен на третьем транзисторе первого тигга провод1 мости, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питания, эмиттер поцкпшчен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор к шине питания, к входу управления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости , а эмиттеры соединены с информационными входами устройства.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

0 В Ю

РЕСИУЬЛИН

ОЮ (И) Зщ) НОЗК1908

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

llO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3533829/18-21 (22) 07.01.83 (46) 15 05 84. Бюл. Ф 18 (72) В.И. Громов, С.В. Касаткин и И.И,Лавров (53) 621.375.083(088.8) (56) 1, Аваев Н,А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М., "Сов.радио", 1977, с.187, рис.5,20.

2. Авторское свидетельство СССР

11 837290, кл. Н 03 К 19/08, 1980 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ

ИНТЕГРАЛЪНЫХ ИНЖЕКЦИОННМХ СХЕМ С ЛИ-

НИЯМИ ПЕРЕДАЧИ КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ, содержащее управляемый источник тока, выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первый резистор — с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база — с коллектором транзистора второго типа проводимости, база которого через второй резистор соединена с его эмнттером н шиной пи-. тания, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и расширения функциональных возможностей, управляемый источник тока выполнен на третьем транзисторе первого типа проводимости, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питания, эмиттер подклнчен к выходу управляемого источника тока а база подключена через четвер-

Ф ф тый резистор к шине питания, к входу управления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, а эмиттеры соединены с информационными входами устройства.

t 1092

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в микроэлектронных системах цифровой автоматики и вычислитепьной техники, . Известно устройство согласования по выходу интегральных схем с инжекционным питанием, содержащее выходной каскад на транзисторах первого и второго типа проводимости 1 3.

Недостатком устройства является большая потребляемая мощность и отсутствие организации состояния "Выключено на выходе устройства.

Наиболее близким к предложенному является устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования, содержащее управляемый источник тока, первый выход которого соединен с . рб ( базой первого транзистора первого типа проводимости, и через резистор— с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устрой- 25 ства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база — с коллектором транзистора второго типа проводимости, база ко- ЗО торого через первый резистор соединена с эмиттером и шиной питания и подключена через второй резистор к первому коллектору многоколлекторного транзистора первого типа проводимости, второй коллектор которого подключен к первому входу выходного каскада, эмиттер соединен с общей шиной, а база подключена к информационному входу и второму выходу управляемого источника тока, состоящего из многоколлекторного транзистора второго типа проводияости, первый коллектор которого является первым выходом, а второй коллектор — вторым вь|ходом источника тока, эмиттер через третий резистор подключен к шине питания, а база через четвертый резистор подключена к шине питания и соединена с входом управления состоянием (2).

Недостатками иэвестногo устройства являются большая потребляемая мощность и узкие функциональные возможности, т.е. отсутствие логической

55 обработки нескольких входных информационных сигналов и отсутствие состояния "Выключено" на информационном входе.

72б 2

Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности и расширение функциональных возможностей.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного .пользования, содержащем управляемый источник тока, выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первый резистор — с общей шиной. эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходу устройства и, змиттеру второго транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база — с коллектором транзистора второго типа проводимости, база которого через второй резистор соединена с его эмиттером и шиной питания, управляемый источник тока выполнен на третьем транзисторе первого типа проводимости, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питания, змиттер подключен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор к шине питания, к входу управления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, а эмиттеры соединены с информационными входами устройства.

На чертеже представлена принципиальная схема предложенного устройства.

Устройство содержит управляемый источник тока I, выход которого соединен с базой первого транзистора 2 первого типа проводимости и через первый резистор 3 — с общей шиной, эмиттер первого транзистора 2 соединен с общей шиной, а коллектор под- . ключен к выходу 4 устройства и эмиттеру второго транзистора 5 первого типа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база— с коллектором. транзистора второго типа проводимости 6, база которого через второй резистор 7 соединена с эмиттером и шиной питания, управляемый источник тока l выполнен на третьем транзисторе 8 первого типа проводимости, коллектор которого через третий резистор 9 соединен с шиной литания, эмиттер подключен к вы!

092726 ьвЮ Вл

Филиал ППП Патент, г. Ужгород,ул.Проектная, 4 ходу управляемого источника тока 1, а база подключена через четвертый резистор 10 к шине питания, к входу управления состоянием ll и базе многоэмиттерного транзистора 12 первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор 13 соединен с базой транзистора второго типа проводимости 6, а эмиттеры соединены с информационными входами 14 устройст- 10 ва.

Устройство работает следующим образом.

Когда на вход 11 управления состоянием подается высокий уровень напря- 15

Ф! и жения 1 (т.е . управляющий этим входом инжекционный транзистор закрыт), устройство работает в состоянии

"Включено". Если теперь на все информационные входы 14 поступят сигна-2О и н лы l (инжекционные транзисторы предыдущего каскада закрыты), то многоэмиттерный транзистор 12 закрывается, вызывая прекращение тока через пятый резистор 13 и последующее за- 25 пирание транзисторов второго типа проводимости 6 и второго транзистора

5, Потенциал базы многоэмиттерного транзистора 12 повышается и при достижении уровня U < + U = 1,5Â Зр

8 2 происходит отпирание третьего и первого транзисторов 8 и 2, при этом третий транзистор 8, работая в режиме насыщения, обеспечивает насыщение первого транзистора 2, на выходе 4

35 устройства формируется низкий уровень сигнала. Если на один из информационных входов 14 приходит низкий уровень напряжения " 0", (U „ „ - напряжения насыщенного инжекционного тран-40 эистора), то происходит открывание многоэмиттерного транзистора 12, потенциал его базы понижается до уровня

11„,„ + 11 0,8 В, вызывая запирание третьего и первого транзисторов 45

8 и 2, при этом обеспечивается наиболее низкоомная цепь устройства: шина питания, третий резистор 9 — третий транзистор 8 — первый транзистор 2— общая шина, Ток, протекающий через четвертый резистор 10, ответвляется в базу многоэмиттерного транзистора

12, который насыщается, и его коллекторный ток через пятый резистор 13 открывает транзистор второго типа проводимости 6, который в свою очер-.дь отпирает второй транзистор 5.

На выходе 4 устройства формируется высокий уровень напряжения, 5 высокои нагрузочной способностью, определяемой низким выходным сопротивлением транзистора второго типа проводимости 6 и второго транзистора 5.

Отключение тока третьего резистора

9 н этом режиме обеспечивает уменьшение потребляемой мощности в состоянии "Включено", При подаче на вход управления состоянием 11 низкого уровня напряжения, 0", устройство устанавливается в состояние "Выключено на выходе. Третий и многоэмиттерный транзисторы

8 и 12 закрываются, отключаются токи третьего и пятого резисторов 9 и 13, вызывая запирание транзистора второго типа проводимости 6, и второго и первого транзисторов 5 и 2, при этом обеспечивается незначительный уровень потребляемой мощности в состоянии "Вы" и ключено на выходе. Вместе с тем иэза того, что в этом режиме заэемляются базы третьего транзистора 8 управляемого источника тока 1 и многоэмиттерного транзистора 12, исключаются втекающие и вытекающие токи информационных входов, чем обеспечивается состояние пВыключено" на входах и воэможность включения информационных входов подобных устройств на линии коллективного пользования внутри БИС.

Технико-экономический эффект устройства заключается в уменьшении потребляемой мощности и расширении функ" циональных возможностей, что позволяет реализовать логическую функцию на входе и увеличить коэффициент разветвления по входам.