Фототермопластическое устройство для записи информации

 

ФОТОТЕРМОГШАСТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, содержащее прозрачную диэлектрическую пластину с нанесенными на нее электропроводящим и фототермопластическими слоями, расположенную параллельно ей вторую диэлектрическую прозрачную пластину с нанесенным на внутреннюю сторону прозрачным электропроводящим слоем, высоковольтный источник напряжения для создания электрического разряда в зазоре между пластинами, соединенньм с электропроводящими слоями обеих пластин, и низковольтный источник для резистивного разогрева фототермопластика, связанный с электропроводящим слоем первой пласти1гы, отличающееся тем, что, с целью повьппения качества записи путем осуществления зарядового растрирования и локального разогрева фототермопластического слоя, электропроводящие слои выполнены в виде параллельных полос, причем полосы i одной пластины перпендикулярны к полосам другой пластины, npti этом (Л каждая полоса подключена к соотБетствующему полюсу высоковольтного источника.

СОО3 СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

PECl1VEillHH

3 @ G 03 6 16/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

1%" I.,: -,цР . : ц

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCXOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3554371/28-12 (22) 17.02.83 (46) 30.05.84. Бюл. N - 20 (72) Л.А. Митрофанова, А.М. Чукарев и С.Я. Шевченко (71) Киевский ордена Ленина государственный университет им. Т.Г. Шевченко (53) 772.93(088.8) (56) 1. Colburn W.S., Tompkins E.N.

AppI. 0pt. v. 13, N 12, 1974, 2934. (54) (57) ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕС КОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ, содержащее прозрачную диэлектрическую пластину с нанесенными на нее электропроводящим и фототермопластическими слоями, расположенную параллельно ей вторую диэлектрическую прозрачную пластину с нанесенным на внутреннюю сторону прозрачным электропроводящим

„Я0„„1095127 А слоем, высоковольтный источник напряжения для создания электрического разряда в зазоре между пластинами, соединенный с электропроводящими слоями обеих пластин, H низковольтный источник для резистивного разогрева фототермопластика, связанный с электропроводящим слоем первой пластины, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения качества записи путем осуществления зарядового растрирования и локального разогрева фототермопластического слоя, электропроводящие слои выполнены в виде параллельных полос, причем полосы одной пластины перпендикулярны к полосам другой пластины, прн этом каждая полоса подключена к соответствующему полюсу высоковольтного источника.

1095127

ВНКИПИ Заказ 3594/28 Тираж 464 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,ул.Проектная, 4

Изобретение относится к устройствам регистрации информации на фототермопластических носителях и может быть использовано в вычислительной технике.

Известно фототермопластическое устройство для записи информации, содержащее прозрачную диэлектрическую плас тину с нанесенными на нее электропроводящим и фототермопластичес- 10 ким слоями, расположенную параллельно ей вторую диэлектрическую прозрачную пластину с нанесенным на внутреннюю сторону прозрачным электропроводящим слоем, высоковольтный источник 15 напряжения для создания электрического разряда в зазоре между. пластина- . ми, соединенный с электропроводящими слоями обеих пластин, и низковольтный источник для резистивного разогрева ZO фототермопластика, связанный с электропроводящим слоем первой пластины Е13.

Недостатком известного устройства является низкое качество записи. 25

Цель изобретения — повышение качества записи путем осуществления зарядового растрирования и локального разогрева фототермопластического слоя.

Поставленная цель достигается темино что в устройстве для записи информации, содержащем прозрачную диэлектрическую пластину с нанесенными на нее электропроводящим и фототермопластическими слоями, расположенную параллельно ей вторую диэлектрическую прозрачную пластину с нанесенным на внутреннюю сторону прозрачным электропроводящим слоем, высоковольтный источник напряжения для создания элек-4р трического разряда в зазоре между пластинами, соединенный с электропроводящими слоями обеих пластин, и низковольтный источник для резистивного разогрева фототермопластика, свя- 45 занный с электропровоцящим слоем первой пластины, электропроводящие слои выполнены в виде параллельных полос, причем полосы одной пластины перпендикулярны к полосам другой пласти- 5О ны, при этом каждая полоса подключена к соответствующему полюсу высоковольтного источника.

На чертеже схематически представлено предлагаемое устройство.

На прозрачной ди IJI< ктрич<.ской пластине 1 нанесены парэ

Другая пластина 4 использована в качестве элемента зарядного блока, расположенная над первой пластиной на расстоянии 50-60 мкм так, что ее полосы 5 перпендикулярны полосам 2 первой ,пластины. Для экспонирования применяют источник когевентного излучения 6, для зарядки фототермопластического слоя используют высоковольтный источник напряжения 7 с напряжением

0,5-0,8 кВ, для резистивного разогрева — низковольтный источник.

Устройство работает следующим образом.

На поверхности фототермопластического слоя 3 локально создают потенциальный заряд при осуществлении электрического разряда в зазоре между пластинами 1,5 от высоковольтного источника напряжения 7. Затем расщепленным лазерным лучом от источника излучения 6 экспонируют предмет, получая потенциальный рельеф на поверхности фототермопластика в месте пересечения двух полос 2 и 4, перпендикулярных друг другу. Изображение получают при резистивном нагреве одной из полос пластины 1 от низковольтного источника напряжения.

Таким образом, использование в предлагаемом устройстве прозрачной диэлектрической пластины с электропроводящими полосами в качестве элемента блока зарядки для осуществления зарядового растрирования и покрытую фототермопластическим слоем в качестве носителя записи информации обеспечивает повышение качества записи, улучшает условия работы фототермопластического слоя при многократном его использовании, повышает цикличность его работы.