Способ выращивания монокристаллов кварца

Авторы патента:

Бутузов В.П.

C30B7/10 - применением давления, например гидротермическими способами

C30B29/18 - кварц

,)4 117452

Класс 12с, 2

121, 38

СССР

В, П, Бутузов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИС ) АЛЛОВ КВАРЦА

:1(конно т ((1»рос(я»95о и. и Л З» »1)l l 2З It 1((о»итет ио Яеи (и

tt:tîtt1tt Tåt»tté и открытий ttttft Г:о»»ет(т»и(ttt;ò t (и ГС;».Г

П рс (I;1 cт изобретения

Известен способ выращивания монокристаллов кварца из его растворов в автоклавах с применением затравок.

Предлагаемый способ позволяет получить более крупные монокрпсталлы.

С этой целью вырагцивание монокристаллов ведут на затравках, изготовляемых из м ногих одинаково ориентированных и мсханичсск11 скрепленны. . между собою пласто; кварца.

Способ осуществляется с1eдv»oщим образом.

Автоклав объемом 9.-1 .. на 75" заполняют водным 5" растворо l соды. Б автоклав помещают кварцевые затравки, вь(резанные параллельно большому ромбоэдру.

Затравк»1 составлены из мпоп»х пластов кварца, скрепленных между собою платиновой проволокой и прикрепленных к метал,1ичес»сой пластинке из нержавеющей стали.

1 ем пер ятур я зонь! р ястворени»1

- .ОО вЂ” 1Сб, температура зоны роста

368 вЂ” 35б,,1авле»»ие в Яв-.оклавс

1120 вЂ” 1145 пт,»1. Продолжительность

Выращивания 18 суток.

Скорость роста в указа»»ных услоВиях колеблется для разных частей кристалла В пределах 1(1 вЂ” 1,-1.11»з» в сут»с.». Со;тавные зя»рявки растут только в одну сторону, Кристаллы, 1»ме»о»1»ис большук» плошадь, веся" от 350 до - )15 i . ((»»с»со(б Вьlра»циВан»1 I монок)3Исгя.»,1зз кварца из рястгоров его

В яВток„1 ЯВях с приме»lенис!м зятр;-!ВОК,, ОТЛИ (ЕIЮIЦИйСЯ ТСМ, ЧТО, 1»слшо получения более крупных монокристяллов, Выращивание пх ведут ня затравк".õ, пзготявливаеtlI.tx из многих- од:»няково орпентирог,-»ш ых и механически скреплен1п,(х между сс>бо»о пластов кварца.

Способ выращивания монокристаллов кварца

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Способ получения синтетического опала // 2132414

Способ получения цитрина // 2136790

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Способ получения окрашенных кристаллов кварца // 2178019

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности

Способ выращивания монокристаллов кварца // 2180368

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности

Способ выращивания кристаллического кварца // 2181796

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков

Способ выращивания кристаллов синтетического кварца // 2186885

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике

Затравка для выращивания монокристалла кварца (варианты) // 2193078

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера

Затравка для выращивания монокристалла кварца (варианты) // 2195519

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций

Способ выращивания монокристалла кварца // 2197570

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы // 2109856

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы // 2113556

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Способ обработки поделочных камней группы халцедона // 2119977

Способ получения синтетических монокристаллов кварца // 2120502

Способ получения сцинтилляционного материала // 2126062

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Способ получения синтетического опала // 2132414

Способ получения цитрина // 2136790

Способ получения мелкокристаллического нелегированного и легированного иттрий-алюминиевого граната // 2137867

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Способ изготовления монокристаллов карбида кремния // 2157864

Способ получения окрашенных кристаллов кварца // 2178019