Способ кристаллизации углерода

 

№-117544

Класс 12с, 2

48Ê 11в2

СССР

П 11Å 111ОТЕХЫЧЕЦЫЯ "У

БИБЛИОТЕ1 А

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ

А. В. Шубииков и А, П. Сизов

СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ УГЛЕРОДА

Заявлено 23 апреля 1947 г. за № 1263с в Бюро по делам изобретательства

Министерства геологии

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 2 за 1%9 г.

Изобретение относится к способам и конструкции для получения кристаллов и монокристаллов.

В известных методах получение кристаллов и монокристаллов производится катодным распылением с последующей кристаллизацией.

Настоящее изобретение предусматривает получение сверхтвердых кристаллов углерода распылением твердого углерода с накаливаемого катода в вакуумной или заполненной нейтральным газом камере и, далее, кристаллизацию паров углерода на затравках, расположенных в той же камере на аноде.

Изобретение включает также в себя устройство для осуществления спосооа 1) с обогреваемым с помощью индуктора токов высокой частоты катодом, выполненным с выемкой в форме полусферы для фокусирования потока частиц, распыляемых с катода, 2) с электромагнитной линзой, помещенной на пути потока распыляемых частиц, с целью их фокусирования, 3) с анодом, выполненным с выемками соответствующей конфигурации.

Преимущество предлагаемого способа заключается в том, что последний позволяет получить сверхтвердые модификации кристаллов и монокристаллов углерода.

Предмет изобретени я

1.Способ кристаллизации углерода, отличающийся тем, что твердый углерод распыляюг, помещая его на накаливаемый катод в вакуумной или заполненной нейтральным газом ка,мере, и далее кристаллизуют пары углерода на затравках, расположенных в той же камере, на аноде.

2. Устройство для осуществления способа по п. 1, отл и ч а ю щее- с я тем, что, с целью фокусирования потока частиц, раСпыляемых с катода, применяют катод с выемкой по форме полусферы.

Л 117544

Техред А. Л. РезНик

Редактор л. мирнова

Корректор Г. Кудрявневв формат бум. 70Х 1081/ в

Тираж 275

ЦБТИ прн Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д 2/6.

Объем 0,18 нзд. л.

Цена 4 коп.

Подп. к печ. 2.II-62 г

Зак. 890

Типография ЦЬТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совета Министров СССР, Москва, Петровка, 14. — 2—

3. Устройство для осуществления, способа по п. 1, отлич а ющеес я тем, .что. катод обогревают с помощью индуктора токов высокой частоты.

4, Устройство для, осуществления способа по п. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью фокусирования потока частиц, распыляемых с катода, на йути последних помещают электромагнитную линзу.

5. Устройсгво для:осуществления способа по и. 1, отл и ч а ю ще еся тем, что, с.целью получения изделий из кристаллического углерода требуемой формы, анод снабжают выемками соответствующей конфигурации.

Способ кристаллизации углерода Способ кристаллизации углерода 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC)

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания изолирующих, защитных и маскирующих покрытий, а также в других областях техники для создания механически прочных и износостойких покрытий

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений в ходе протекания физико-химических цепных реакций в гетерогенных силикатных средах при высоких температурах
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Изобретение относится к способам получения алмазов, а более точно к способам прямого превращения графита в алмаз в области термодинамической устойчивости последнего
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы

Изобретение относится к производству искусственных алмазов с помощью взрыва

Изобретение относится к производству искусственных алмазов способом ударного прессования графитного порошка
Наверх