Способ определения температурного коэффициента напряжения стабилизации полупроводниковых стабилитронов

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРА- ТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА НАПРЯЖЕНИЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ , включающий измерение напряжения Стабилизации при нормальной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого рп-перехода стабилитрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент напряжения стабиЛР1зации по модели связи с напряжением стабилизации и емкостью запертого р-п-перехода при нормальной температуре .

СООЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

3(5П G 01 R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

: (21) 3426192/18-21 (22) 16.04.82 (46) 30.06.84. Бюл. В 24 (72) Ф.Н,Покровский, В,А .Егоренков и Д.П.Бумарин (71) Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской революции энергети. ческий институт и Научно-исследовательский институт Сапфир (53) б 21 . 381 . 2 (088. 8) (56) l Аронов В,Л., Федотов Я.А., Испытание и исследование полупроводниковых приборов. М ., Высшая школа, 1975, с. 233.

2 . A в тор ск ое свидетельство СССР

9 174230, кл. G 01 R 31/26, 1963.

„„SU,1100587 А (54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРА

ТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА НАПРЯЖЕНИЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ, включающий измерение напряжения стабилизации при нормальной температуре, отличающийся тем, что, с целью повыаения точности, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого ри-перехода стабилитрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент напряжения стабилизации по модели связи с напряжением стабилизации и емкостью запертого р-и-перехода при нормальной,температуре.

И

1100587

Зак аэ 4577/36

ВНИИПИ Тираж 711 Подписное

\ (ЮЭ Ф .Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул.Проеткиая, 4

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано .для контроля температурного коэффициента напряжения стабилиэ ации (TKHC) полупроводниковых стабилитронов на этапе их производст- 5 ва.

Известен способ измерения электрических параметров полупроводниковых приборов в диапазоне температур, включающий установку испытываемых прибо- 10 ров в термостат с заданной температурой,-выдержку в термостате до установления теплового равновесия и измерение электрических параметров Е13.

При измерении ТКНС необходимо про-f5 изводить измерения напряжения стабилизации при двух температурах с соответствующими выдержками. Этот способ обладает большой трудоемкостью, связанной с помещением в термостат и 2О низкой производительностью в связи с необходимостью выдержки приборов в термостате.

Наиболее близким ho технической сущности к изобретению является способ определения TKHC полупроводниковых стабилитронов, включающий измерение .напряжения стабилизации при нормальной температуре, пропускание через стабилитрон импульса тока, раэогревающего структуру стабилитрона, повторное измерение напряжения стабилизации непосредственно после прохождения импульса тока и определе)ние температурного коэффициента на пряжения стабилизации по расчетной З5 формуле, включающей также тепловое сопротивление стабилитрона С2).

Способ позволяет производить опе ративное определение ТКНС, Недостатком этого способа являет- 40 ся низкая точность, связанная с большим разбросом величины тепловых сопротивлений полупроводниковых стабилитронов.

Целью изобретения является повышение точности.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения температурного коэффициента напряжения стабилизации полупроводниковЫх 5О стабилитронов, включающему измерение напряжения стабилизации при нормальной температуре, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого р-и-перехода стаби- 55 литрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент . напряжения стабилизации стабилитрона по модели связи с напряжением стабилизации и емкоСтью запертого щ р-и-перехода при нормальной температуре.

Способ осуществляется следующим образом.

Предварительно в достаточно большой группе (объемом 100-200 штук) однотипных стабилитронов (статистически значимой выборке) у каждого стабилитрона измеряют три характеристики:

Х„, — напряжение стабилизации при нормальном токе нагрузки и при нормальной температуре окружающей среды1

Х вЂ” емкость перехода, запертого напряжением смещения, величина которого находится в предпробойной области (измерение емкости производят при нормальной температуре .окружающей среды);

У - ТКНС, равный относительному изменению напряжения стабилизации, вызванному известным перепадом температуры, Вычисляют коэффициенты полинома третьего порядка вида в+в„х„+вх +в х„х +н,х+

ВХ+ В„„Х„+ ВХ являющегося математической моделью связи ТКНС каждого стабилитрона в выборке с его напряжением стабилизации Х и емкостью запертого перехода

Х при нормальной температуре. Коэффициенты могут быть найдены, например, методом наименьших квадратов.

Для определения ТКНС любого вновь предъявленного стабилитрона данного типа измеряют у этого стабилитрона при нормальной температуре его напряжение стабилизации и емкость запертого перехода в предпробойной области и вычисляют искоьий ТКНС с помощью ранее найденной математической мо-. дели связи, 1

Экспериментальная проверка способа определения TKHC полупроводниковых стабилитронов показала, что он дает снижение среднеквадратической погрешности определения ТКНС до 6% по сравнению с 16% по способу-прототипу. Время определения ТКНС составляет менее 1 мин, что позволяет испольэовать его также при входном контроле стабилитронов, осуществляемом в процессе производства электронной аппаратуры, для r:oäáoðe такой пары полупроводниковых приборов, которая обеспечивает минимальный температурный коэффициент параметров узла аппарата за счет взаимной термокомпенсации. (