Ждущий мультивибратор

 

ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР по авт. св. № 815869, отличающ ,и и с я тем, что, с целью повьшения помехоустойчивости, в него введены четвертый и пятый транзисторы различного типа проводимости, дополнительная RC-цепь, третий и четвертый диоды и пятый резистор, база четвертого транзистора соединена с коллектором пятого транзистора, с базой первого транзистора и с анодом третьего диода, катод которого соединен с эмиттером четвертого транзистора и с конденсатором дополнительной RC-цепи, резистор которой соединен с шиной источника питания, коллектор четвертого транзистора соединен с базой пятого транзистора и через пятьй резистор - с общей шиной источника питания.и с катодом четвертогб диода, анод которого соединен с эмиттером пятого транзистора. /Ё 1 зг 13 -« -А « ода ( А п -о О т

СОЮЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСИИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЭОБ ЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (61) 815869 (21) 3529178/18-21 (22) 23.12.82 (46) 07.07 ° 84 . Бюл. У 25 (72) Е.Н. Габов, В.P. Проус и А.С. Дордий

{53) 621.373Л31.1(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 81 5869, кл. Н 03 К 3/281, 1979 (прототип). (54)(57) ЩЦУЩИИ ИУПЪТИВИБРАТОР .по авт. св. У 815869, о т л и ч а ю— щ,и и с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, в нега введены четвертый и пятый транзисторы различного типа проводимости, дополз@ц Н 03 К 3/281; Й 03 К 3/284 нительная RC -цепь, третий и четвертый диоды и пятый резистор, база четвертого транзистора соединена с коллектором пятого транзистора, с базой первого транзистора и с анодом третьего диода, катод которого соединен с эмиттером четвертого транзистора и с конденсатором дополнительно" RC -цепи, резистор которой соединен с шиной источника питания, коллектор четвертого транзнстора соединен с базой пятого транзистора и через пятый резистор - с общей шиной источника питания и с катодом четвертогд диода, анод которого соединен с змиттером пятого транзистора. CQ

1102023

Изобретение относится к импульсной технике.

По основному авт. св. 9 815869 известен ждущий мультивибратор, содержащий три транзистора различного типа проводимости,RC -цепь и резисторный делитель напряжения, коллектор первого транзистора одинакового типа проводимости с вторым транзистором соединен с шиной источника пи- 10 тания, коллектор второго транзистора соединен с базой первого транзистора и через первый резистор — с шиной источника питания, а через первый диод — с выходом резистивного дели- 1 теля напряжения и с базой третьего транзистора, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и через второй резистор — с общей шиной источника питания, а эмиттер сое-2О динен через третий резистор с средней точкой RC -цепи, тринистор, управляющий электрод которого соединен с входной шиной, анод — с эмиттером первого транзистора и первым входом 2s резистивного делителя напряжения, катод соединен с резистором RC -цепи, выходной шиной устройства и через четвертый резистор — с общей шиной источника питания и с катодом второ- ЗО

ro диода, анод которого соединен с эмиттером второго транзистора и с вторым входом резистивного делителя напряжения f1).

Данное устройство обладает недостаточной помехоустойчивостью, так как возможны его ложные срабатывания от воздействия динамических (импульсных) помех, которые возникают, например, GpH коммутации KoHTGKToB электричес 4О ких аппаратов, так как тринистор данного ждущего мультивибратора может открываться от помех.

Цель изобретения — повышение поме 45 хоустойчивости ждущего мультивибратора.

Поставленная цель достигается тем, что в ждущий мультивибратор введены. четвертый и пятый транзисторы различного типа проводимости дополнительная д

RC-цепь, третий и четвертый диоды и пятый резистор, база четвертого транзистора соединена с коллектором пятого транзистора, с базой первого транзистора и с анодом третьего дио- . — 55 да, катод которого соединен с эмиттером четвертого транзистора и с конденсатором дополнительной AC -цепи, резистор которой соединен с шиной. источника питания, коллектор четверt того транзистора соединен с базой пятого транзистора и через пятый резистор — с общей шиной источника питания и с катодом четвертого диода, анод которого соединен с эмиттером пятого транзистора.

На чвртеже представлена принципиальная электрическая схема ждущего мультивибратора.

Мультивибратор содержит транзисторы 1 — 3 одного типа проводимости, транзисторы 4 и 5 другого типа проводимости, RC -цепь на резисторе 6 и конденсаторе 7, дополнительную Pc— цепь на резисторе 8 и конденсаторе 9, диоды 10 - 13, резистивный делитель напряжения на резисторах 14 и 15, резисторы 16 — 20, трйнистор 21, входную шину 22, выходную шину 23.

Коллектор транзистора 1 соединен с шиной источника йитания, коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 1 и через резистор 16 — с шиной источника питания, а через диод 11 — с выходом резистивного делителя напряжения на резисторах 14 и 15 и с базой транзистора 4, коллектор которого соединен с базой транзистора 2 и через резистор 17 — собщей шиной источника питания, эмиттер транзистора 4 через резистор 18 соединен со средней точкой ЙС-цепи на резисторе 6 и конденсаторе 7, управляющий электрод тринистора 21 соединен с входной шиной 22, анод тринистора 21 соединен с эмиттером транзистора 1 и резистором 14, катод со- единен с резистором 6, выходной шиной 23 и через резистор 19 — с общей шиной источника питания и с катодом диода 10, анод которого соединен с эмиттером транзистора 2 и резистором 15, база транзистора 5 соединена с коллектором транзистора 3, с базой транзистора 1 и с анодом диода 13, катод которого соединен с эмиттером транзистора 5 и с конденсатором 9 дополнительной RC -цепи, резистор 8 которой соединен с шиной источника питания, коллектор. транзистора 5 соединен с базой транзистора 3 и через резистор 20 - c общей шиной источника питания и с катодом диода

12, анод которого соединен с эмиттером транзистора 3.

Составитель Н..Ферапонтова

Редактор Н. Яцола Техред Ж.Кастелевич Корректор Г. Решетник

Заказ 4782/43 Тираж 862 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 1102

Мультивибратор работает следующим образом.

В ждущем режиме транзисторы 3 и 5 закрыты и находятся на границе режима отсечки и активного режима, диод

12.в цепи эмиттера транзистора 3 предохраняет последний от перехода в активный режим при повышении температуры. Конденсатор 9 разряжен.

При воздействии на устройство им- 1О пульсчых помех, уровень которых достаточен для открытия тринистора 21, одновременно открываются транзисторы

3 и 5 и лавинообразно переходят в режим насыщения. Транзистор 1 при 15 этом закрывается разрывая цепь питания тринистора 21. Транзисторы 3 и

5 представляют собой регенеративный ключ, который находится в состоянии насыщения до тех пор пока не за- .2б рядится конденсатор 9. По истечении времени заряда конденсатора 9 транзисторы 3 и 5 закрываются и конденсатор 9 разряжается по цепи: диод 13, резистор 16, шина источника питания, резистор 8, поддерживая транзистор

1 в закрытом состоянии, т.е. тринистор 21 закрыт также и при воздействии последовательности импульсных помех. Транзисторы 3 и 5 образуют

023 4 систему с глубокой положительной об- ратной. связью, аналогичную четырехслойной р-и-р-Н-структуре тринистора

21 и запускающейся импульсами одинаковой (положительной) полярности.

Напряжение, необходимое для включе-. ния регенеративного ключа (напряжение на эмиттере транзистора 5 и на базе трайзистора 3), не превышает напряжения спрямления тринистора 21.

Поэтому последний не может сработать раньше, чем регенеративный ключ на транзисторах 3 и 5 при любой величине импульсных помех.

При срабатывании тринистора 21 от управляющего импульса (от воздействия полезного сигнала) блокирующие транзисторы 3 и 5 акрыты и не влияют на работу мультивибратора.

Таким образом, предложенное устройство обладает повышенной помехоустойчивостью, так как самоблокируется при воздействии помех, что позволяет использовать его в выходных органах электронных устройств релейной защиты, ложное срабатывание которых для ответственных объектов автономных энергосистем недопустимо.