Способ изготовления выпрямительных элементов

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий диффузионную сварку термокомпенсатора с одной стороной полупроводниковой структуры и металлизацию ее противоположной стороны, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и уменьшения трудоемкости изготовления выпрямительных элементов, металлизацию осуществляют диффузионной сваркой металлической фольги с полупроводниковой структурой одновременно с приваркой термокомпенсатора. (Л 7 ОО 00 -J - / о 4О5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК з ц Н 01 1 21/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3324123/18-25 (22) 30.07.81 (46) 15.07.84. Бюл. № 26 (72) Э. P. Галинский, В. В. Зумберов, Э. Г. Карпов, О. М. Корольков, В. Л. Кузьмин, Г. Н. Сурженков, Г. К, Тоомсоо и

Е. Д. Хуторянский (71) Научно-исследовательский институт

Таллинского электротехнического завода им. М. И. Калинина (53) 621.382.002 (088.8) (56)1Смирнов В. И., Курупп В. М. Получение катодных контактов силовых полупроводниковых приборов методом электроннолучевого напыления.— В сб. Технология силовых полупроводниковых приборов.

Таллин, «Валгус», 1981, с. 19 — 97.

2. Евсеев Ю. А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных устройств. М., «Энергия», 1978, с. 136 — 139,.

3. Зумберов В. В. и др. Диффузионная сварка выпрямительного элемента силового полупроводникового прибора. — «Электротехническая промышленность», сер. «Преобразовательная техника», вып. 7(103), 1978, с. 3 — 5.

„,SU„„1103306 A (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий диффузионную сварку термокомпенсатора с одной стороной полупроводниковой структуры и металлизацию ее противоположной стороны, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и уменьшения трудоемкости изготовления выпрямительных элементов, металлизацию осуществляют диффузионной сваркой металлической фольги с полупроводниковой структурой одновременно с приваркой термокомпенсатора.

1103306

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при металлизации и создании контактных соединений в полупроводниковых прибоуах.

Известен способ изготовления выпрямительного элемента силового полупроводникового прибора, при котором создание контакта к кремниевой структуре осуществляется электронно-лучевым напылением (металлизацией) алюминия (1)., Известен также способ изготовления вьшрямительного элемента силового полупроводникового прибора, при котором полупроводниковая структура металлизируется путем химического осаждения никеля, а затем на одной из сторон полупроводниковой структуры крепят с помощью пайки либо сплавления тер мокомпенсатор (материал с коэффициентом термического расширения, близким к Si, чаще всего Мо, W) (2).

Однако металлизация химическим осаждением формирует на поверхности полупроводника слой металла, который из-за своей пористости обуславли вает повышение у выпрямительного элемента импульсного прямого напряжения и теплового сопротивления.

Кроме того, металлизация структуры и крепление к ней термокомпенсатора выполняются двумя отдельными последовательными операциями, что увеличивает трудоемкость изготовления и снижает выход годных выпрям ительных элементов.

При этом крепление термокомпенсатора с помощью жидкой фазы (пайка, сплавление) не обеспечивает необходимой сплошности контакта из-за практической невозможности создания условий полной смачиваемости соединяемых поверхностей.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ изготовления выпрямительного элемента, включающий диффузионную сварку термокомпенсатора с одной стороной полупроводниковой структуры и металлизацию ее противоположной стороны (3).

Поскольку соединение при диффузионной сварке выполняется в твердой фазе, то такой контакт характеризуется высокой степенью сплошности и вытекающими отсюда улучшенными показателями электрического и теплового сопротивления.

Недостатки данного способа заключаются в повышении у выпрямительного элемента импульсного прямого напряжения и теплового сопротивления вследствие пористости слоя металла, химически осажденного на поверхность полупроводника. Кроме того, металлизация структуры и крепление к ней термокомпенсатора выполняется двумя отдельными операциями, что увеличивает трудоемкость изготовления и снижает выход годных выпрямительных элементов.

55 пакет нагревают, сжимают и выдерживают в течение определенного времени в вакууме, формируя при этом одновременно сварные соединения по плоскостям, отмеченным на

Зо

Цель изобретения — улучшение у выпрямительных элементов таких показателей как импульсное прямое напряжение, тепловое сопротивление, а также уменьшение трудоемкости их изготовления и количества брака.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления, включающему диффузионную сварку термокомпенсатора с одной стороной полупроводниковой структуры и металлизацию ее противоположной стороны, металлизацию осуществляют диффузионной сваркой металлической фольги с полупроводниковой структурой, причем такую металлизацию производят одновременно с приваркой термокомпенсатора.

Кроме того, перед сваркой на поверхности полупроводниковой структуры, подлежащей металлизации, создают выступы высотой не более толщины привариваемой к этой поверхности фольги.

Отличие предлагаемой операции металлизации привариванием металлической фольги от известной металлизации химическим осаждением металла заключается в том, что на поверхность полупроводниковой структуры наносится плотный металлический слой с меньшим тепловым и электрическим сопротивлением, чем это имеет место у пористого, химически осажденного металла. Помимо этого, приваривание металлической фольги позволяет осуществлять операцию металлизации одновременно с опера цией приварки термокомпенсатора, что уменьшает трудоемкость и количество брака при изготовлении выпрямительного элемента по сравнению с известным способом, где операции металлизации структуры и крепления к ней термокомпенсатора выполняются раздельно и последовательно.

Перед проведением металлизации часть поверхности полупроводниковой структуры с помощью фотолитографии травят на глубину не более толщины привариваемой фольги, так как в противном случае, как показывают эксперименты, фольга при последующей приварке разрушается. Образованные таким образом на поверхности структуры выступающие области, вдавливаясь в привариваемую фольгу, практически ее деформируют и формируют на свободной поверхности фольги соответствующим образом выступающие участки, по которым проводят совмещение фотошаблона при последующей фотолитографии указанной фольги.

На фиг. и 2 схематически изображены выпрямительные элементы, изготовленные по предлагаемому способу.

Пакет состоит из дисков 1 и 2 металлической фольги, полупроводниковой структуры 3 и термокомпенсатора 4. Указанный

1103306 анрие. 2. Составитель P. Кононова. Редактор М. Келемеш Техред И. Верес Корректор О. Билак

Заказ 4828/41 Тираж,683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 фиг. 1 горизонтальными тонкими линиями.

Таким образом изготавливают выпрямительный элемент, у которого металлизацию структуры 3 осуществляют привариванием компактного металлического материала (фольги) одновременно с приваркой к противопо- ложной стороне той же структуры термокомпенсатора 4.

При изготовлении выпрямительного элемента тиристора перед сваркой с помощью фотолитографии удаляют часть поверхности полупроводниковой структуры 3, формируя на ней выступы 5 (фиг. 2).

Далее собирается лакет деталей и производят их диффузионную сварку также, как это было описано. При этом выступы 5, высота которых не более толщины металлической фольги, пластически деформируют последнюю и формируют на ее поверхности выступы 6, по которым производят совмещение фотошаблона при последующей фотолитографии фольги 1.

Пример 1. Изготавливают выпрямительные элементы прямой полярности диода.

Диаметр кремниевой структуры и вольфрамового термокомпенсатора указанного диода составляет 18 мм. Такого же диаметра используют алюминиевые диски для металлизации и промежуточной прокладки между термокомпенсатором и структурой, толщиной соответственно 30 и 100 мкм.

Диффузионную сварку перечисленных деталей, расположенных в последовательности согласно фиг. 1, производят при 540 С, сжимающем давлении 15 МПа и сжимающем разряжении в камере 66,5 МПа в течение 5 мин.

Пример 2. Изготавливают выпрямительные элементы тиристора диаметром 32 мм.

Толщину алюминиевых дисков и режим сварки назначают аналогично примеру 1.

Однако перед сваркой способом фотолитографии часть поверхности кремниевой структуры 2 (фиг. 2) удаляют для формирования выступов 5 высотой 3 мкм. После сварки металлизированный слой 1 подвергают фотолитографии для изготовления регенеративного кольца управления, при этом требуемую ориентацию фотошаблона относительно слоя 2 осуществляют по выступам 6.

Выпрямительные элементы, изготовленные по примеру 1, сравниваются с аналогичными, у которых металлизация осуществлялась химическим осаждением никеля, а крепление термокомпенсатора — диффузионной сваркой. Испытания показывают

15 что 93% выпрямительных элементов относятся к 100 А и 7% к 80 А, в то время как у прототипа ни один из изготовленных элементов не полу414лся на 100 А. Среднее импульсное прямое напряжение в первом случае уменьшилось до 1,51 В, по сравне2п нию с 1,73 В в случае прототипа.

Выпрямительные элементы, изготовленные по примеру 2, также сравниваются с аналогичными, у которых металлизация выполнена напылением алюминия, а термокомпенсатор — со структурой сплавления.

Сравнительные испытания показывают, что импульсное прямое напряжение и тепловое сопротивление у выпрямительных элементов, изготовленных по предлагаемому способу, соответственно на 20 и 30% меньше, чем у изготовленных по сравниваемому способу.

Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет: повысить на

30 — 90% выход приборов с предельными параметрами тока; улучшить качество приборов за счет уменьшения на 10 — 20% импульсного прямого напряжения; уменьшить трудоемкость изготовления приборов за счет исключения самостоятельной операции металлизации.

Способ изготовления выпрямительных элементов Способ изготовления выпрямительных элементов Способ изготовления выпрямительных элементов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, и может быть реализовано при изготовлении полевых транзисторов преимущественно на арсениде галлия и интегральных схем субнаносекундного диапазона и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при промышленном изготовлении интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к производству мощных полупроводниковых приборов-транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов с высоковольтными p-n-переходами

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении логических и запоминающих интегральных схем на основе структуры проводник нитрид кремния окисел кремния полупроводник (МНОП)

Использование: для изготовления полупроводниковых фотоприемников и для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что фоточувствительный элемент с «толстой» базовой областью утоньшается до нужной толщины (10-15 мкм) прецизионными бездефектными методами: безабразивной химико-механической полировкой с использованием сферического полировального диска вместо плоского для получения заданной вогнутости поверхности и химико-динамической полировкой до конечной толщины, при которой происходит компенсация вогнутости, полученной на стадии БХМП с формированием неплоскостности поверхности при размере МФП порядка 10 мм не хуже ±2 мкм. Технический результат: обеспечение возможности утоньшения базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемой плоскостности. 7 ил.

Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвращающую сминание при переносе, или наносят сплошную упрочняющую пленку, обеспечивающую механическую целостность и предотвращающую сминание при переносе. Отделяют графеновый слой, покрытый вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, от подложки-донора и осуществляют его перенос на подложку. После переноса графенового слоя, покрытого вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, на подложку осуществляют прижим к подложке. Технический результат: предотвращение ухудшения структур и электрофизических характеристик графеновых слоев. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается разработки способа получения легированных халькогенидов цинка для перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии. Способ включает нанесение на поверхность халькогенида цинка пленки легирующего компонента из хрома толщиной 2-10 мкм или железа толщиной 1 мкм, формирование на упомянутой пленке слоя соответствующего халькогенида цинка методом химического осаждения из газовой фазы, и диффузионный отжиг полученной трехслойной структуры в аргоне при давлении от 90 МПа до 200 МПа и температуре от 1100°С до 1350°С в течение 1-72 часов. Халькогенидом цинка является селенид или сульфид цинка. Поверхность полученных легированных образцов имеет повышенную стойкость к лазерному пробою. 2 ил., 2 пр.
Наверх