Фотополимеризующаяся композиция

 

ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ для изготовления защитных рельефов, включающая пленкообразующий компонент, мономер - диметакрилаттриэтиленгликоля и фотоинициатор метиловый эфир бензоина, отличающаяся тем, что, с целью повьшения светочувствительности слоев толщиной 50-2000 мкм и улучшения стойкости защитного рельефа к агрес-, сивным средам и переменным термонагрузкам , в качестве пленкообразующего компонента композиция содержит хлорированный поливинилхлорид общей формулы f сн, - сн-сн-сн-сн, - сн 4L I II I Jn С1 С1 С1 С1 со средней молекулярной массой 50000 и содержанием хлора 63,9% и эпоксидную смолу общей формулы Н,С-СН-СН,- 0-R- ol-CH,- СН-СН о 0-СН5-СН СН, I J I снз он со средней молекулярной массой 420, при следующем соотношении компонентов , мае. %: Хпорированный поливинилхлорид указанной формулы 5-20 Эпоксидная смола указанной формулы 16-38 :п х Метиловый эфир бензоина 0,7-1,5 Диметакрилаттриэтиленгликоль Остальное

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11)

3(51) G 03 С 1/68

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOIVlY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1сн2 сн сн сн сн2 сн)Ъ с1 Ь с1 о1 со средней молекулярной массой 50000 и содержанием хлора 63,97 и эпоксидную смолу общей формулы н с-сн-сн -о-R-о он -сн-сн / 2 2, б 2

0 0 где сн ;" С о- Сн -СнСн о- Я

2.1 2I

Щ ОН со средней молекулярной массой 420 С при следующем соотношении компоненГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3412799/23-04 (22) 06.01.82 (46) 30.07.84. Бюл. В 28 (72) Л.Л.Померанцева, В.В.Зеленова, Н.Л.Гусарская, Б.П.Калашников, В.М.Треушников и А.В.Олейник (7 1) Горьковский государственный университет им. Н.И.Лобачевского (53) 778.92(088.8)

{56) 1. Авторское свидетельство СССР

У 197402, кл. G 03 С 1/68, 1967.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 192024, кл. G 03 С 1/68, 1967 (прототип).

3. Авторское свидетельство СССР

У 645990, кл. G 03 С 1/10, 1978. (54) (57) ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ KOMIIOЗИЦИЯ для изготовления защитных рельефов, включающая пленкообразующий компонент, мономер — диметакрилаттриэтнленгликоля и фотоинициаторметиловый эфир бензоина, о т л и— чающая с я тем, что, с целью повышения светочувствительности слоев толщиной 50-2000 мкм и улучшения стойкости защитного рельефа к агрес- . сивным средам и переменным термонагрузкам, в качестве пленкообразующего компонента композиция содержит хлоуированный поливинилхлорид общей формулы тов, мас. Ж:

Ф

Хлорированный поливинилхлорид укаэанной формулы 5-20

Эпоксидная смола указанной формулы 16-38

Метиловый эфир бензоина 0,7-1,5

Диметакрилаттриэтиленгликоль Остальное

1105851 2 со средней молекулярной массой

50000, содержанием хлора 63,9% и эпоксидную смолу общей формулы

Изобретение относится к микрон радиоэлектронике, в частности к фо тополимеризующимся композициям, использующимся в качестве паяльной маски в производстве печатных плат, а также временной маски при изготовлении прецизионных изделий методом гальванопластики.

Известна фотополимери"-.ующаяся композиция, включающая сополимер метакриловой кислоты и метилметакрилата, диметакрилаттриэтиленгликоля и бензоилформальдегидную смолу ".1) .

Недостатком такой композиции является невозможность получения на ее основе толстых, более 100 мкм, копировальных рельефов, стойких к агрессивным средам и к переменным термонагрузкам. Кроме того, указанная композиция имеет низкую светочувствительность.

Наиболее близкой к предлагаемой является фотополимеризующаяся композиция, включающая пленкообразующий компонент — сополимер моноалкилмалеа- 2 та, например изоамилмалеата, алкилметакрилата, например метилметакрилата, и непредельной кислоты, например метакриловой, полимеризационноспособный мономер-диметакрилаттриэтилен30 гликоля и фотоинициатор — метеловый эфир бензоина 2J.

Недостатком указанной композиции является невозможность получения на основе такой композиции светочувствительных слоев более 100 мкм. Кроме того, получаемый на основе композиции защитный рельеф имеет невысокую стойкость к агрессивным средам и к переменным термонагрузкам.

Цель изобретения — повышение светочувствительности слоев толщиной

50-2000 мкм и улучшение стойкости защитного рельефа к агрессивным средам и переменным термонагрузкам.

45 где

1О

Поставленная цель достигается тем, что фотополимеризующаяся композиция, включающая пленкоосразующий компонент, мономер — диметакрилаттриэтиленгликоля и фотоинициатор — метиловый эфир бензоина, в качестве пленкообразующего компонента содержит хлорированный поливинилхлорид общей формулы

СЯ,— СН вЂ” СН- СБ- СН вЂ” Сн+1П

Н С вЂ” СН-юг-О -к-О- сн,— Ск-). н г

О

/ 1 1 сн, CE3 Н CHå О

С 3 ОН со средней молекулярной массой 420, при следующем соотношении компонентов, мас. %:

Хлорированный поливинилхлорид указанной формулы 5-20

Эпоксидная смола указанной формулы 16-38

Метиловый эфир бензоина 0,7-1,5

Диметакрилаттриэтиленгликоль Остальное

Для улучшения адгезии получаемых защитных слоев толщиной 50-2000 мкм композиция может содержать молотое кварцевое стекло с размером частиц

30 — 50 мкм в количестве

1-33,4 вес. %.

Используемое в предлагаемой фотополимеризующейся композиции молотое кварцевое стекло представляет собой двуокись кремния Si02 с содержанием железа до 0,7%, марки КП-1, КП-2, КП-3 (ГОСТ 907 1-59) с радиусом частиц 30 — 50 мкм.

Ни один из компонентов не экранирует свет в области актиничного поглощения метилового эфира бензоина (320-400 нм).

Показатель преломления молотого кварцевого стекла близок к показателю преломления композиции, поэтому присутствие его в композиции не приводит к уменьшению прозрачности слоев для указанных длин волн.

Используемый в композиции хлорированный поливинилхлорид формулы

СН СЕ СН СН СН2 СН) г 1 fl

С1 С1 С С1 имеет среднюю молекулярную массу

50000, содержание хлора составляет 63,9%.

Совместное использование хлорированного поливинилхлорида и метилового эфира бензоина определяет .высокую светочувствительность композиции и дает возможность создания на ее

851!

16

28 з . 1105 основе толстых (до 2000 мкм) копиро- вальных рельефов.

Светочувствительность слоев 50—

100 мкм предлагаемой фотополимеризующейся композиции в 3-5 раз вьппе све5 точувствительности таких же Ilo толщине слоев фотополимеризующейся композиции по прототипу состава, вес.7:

Моноизоамилмалеат 47,5

Метакриловая кислота 22,5

Перекись бензоила 0,5

Диметакрилаттриэтиленгликоль 28,5

Метиловый эфир бензоина 1,0

Светочувствительность слоев 50 !

100 мкм предлагаемой композиции в 23 раза вьппе светочувствительности таких же по толщине слоев фотополимеризующейся композиции состава, вес.X:

Эпоксидная смола 2 1-38

Метиловый эфир бензоина 0,7-1,5

Диметакрилаттриэтиленгликоль Остальное

Светочувствительность слоев 50—

100 мкм композиции состава, вес.Х:

Хлорированный поливинилхлорид

Эпоксидная смола

Диметакрилаттриэтиленгликоль Остальное равна нулю.

Используемая в предлагаемой композиции эпоксидная смола марки ЗД-20 является продуктом конденсации в щелочной среде дифенилолпропана с эпихлоргидрином и представляет со35 бой олигомер общей формулы

Н С вЂ” СН-СК вЂ” О-К-0-СН2-СН- СН

2,, 2 2,, 2

0 0

40 где

CiH3

0-СН2 — СН -СН2-0Сяз 0Н

Средняя молекулярная масса равна 420. Содержание эпоксидных групп не менее 20Х.

Эпоксидная смола ЭД-20 является продуктом, выпускаемым промышленностью по ГОСТУ 10587-72.

При изготовлении композиции в ее состав временно вводят хлороформ с целью получения однородной массы и избежания образования пузырьков. 55 воздуха при перемешивании состава.

В присутствии хлороформа все компоненты, кроме молотого стекла, хорошо Растворяются, а пузырьки воздуха легко удаляются.

После тщательного перемешивания компонентов хлороформ удаляют отгон- кой в вакууме при комнатной темпера- туре. Композиция без хлороформа (после удаления хлороформа) представляет собой вязкую жидкость, которую непосредственно наносят на подложку.

Для получения слоев с толщинами 502000 мкм композиция не требует регулирования вязкости. Изменение толщины наносимого слоя осуществляют изменением зазора между валиком, с йомощью которого прикатывают ком" позицию, и поверхностью подложки.

Предлагаемая композиция может быть использована на подложках из стали, стеклотекстолита, алюминия, поликора, ситалла, никеля, меди.

Высокая адгезионная прочность слоев, полученных на основе предлагаемой композиции на подложках из нержавеющей стали марки 12Х18Н10Т, позволяет использовать предлагаемую композицию для формирования временной маски при изготовлении прецизионной арматуры методом гальванопластики.

Изготовленная на основе предлагаемой ФПК временная маска может быть использована в электролитах сульфаматного никелирования при 50-55 С в течение нескольких часов, а в электролитах кислого меднения при комнатной температуре в течение нескольких часов. Используемый электро. лит сульфаматного никелирования имеет состав, г/л:

Никель сульфаминовокислый 450-550

Н,ВО„ 30

1 1а С . 10

NH„P HF 2

Лаурилсульфат натрия О, 1-0,2

Электролит кислого меднения имеет состав, г/л:

CuS0,". SH 0 250 н я . 65

Этиловый спирт 30

Высокая адгезионная прочность сло" ев толщиной 150-200 мкм на подложках из стеклотекстолйта, меди, алю-. миния, поликора позволяет испольэовать предлагаемую композицию для межслойной изоляции в печатных платах и микросхемам, в качестве паяльной маски в производстве печатных плат и микросхем, а также в качестве, 1105851 герметика для печатных плат, микросхем, а также в качестве герметика для печатных плат, микросхем и приборов электронной техники.

Получаемые на основе предлагаемой 5 композиции защитные рельефы (толщина

150-200 мкм) выдерживают следующие режимы; при пайке (температура 260 С) не менее 10 с; при переменных термонагрузках (2 ч при 85 С и 2 ч при

-60 С) не менее 3 циклов; в спиртобензиновой смеси (1:1) не менее 20 ч; во влажной среде (95 влажности,40 С) не менее 30 сут, без изменения диэлектрических параметров слоя. 15

Вазовым объектом является фотополимеризующаяся композиция, включающая полиметилметакрилат, триакрилатпентаэритрит и 2-третбутилантрахинон <3 „. Указанную композицию исполь- 20 зуют для временной экранировки поверхности матриц иэ нержавеющей стали марки 12Х18Н10Т при г;льванопластическом изготовлении арматуры.

Предлагаемая фотополимеризующаяся 25 композиция имеет ряд преимуществ по сравнению базовым объектом. С помощью предлагаемой композиции могут быть получены копировальные рельефы на подложках из нержавеющей стали марки 12Х18Н10Т толщиной до

1000 мкм. Использование промежуточ— ньгх слоев, повьппающих адгезионную прочность слоя СПФ-2 на стальной поверхности, по базовому объекту поз35 воляет получить копировальный рельеф не более 150 мкм.

При гальванопластическом изготовлении арматуры, толщина которой должна составлять 200-250 мкм, ширина

40 незащищенных участков матрицы, подобранная с учетом разрастания гальванического осадка, является недостаточной для обеспечения адгезионного контакта в процессе гальванического

45 осаждения — происходит отслаивание изделия во время осаждения и, вследствие этого, искажение размеров.

Светочувствительность предлагаемой композиции при толщинах 50

100 мкм в несколько раз больше, чем

50 у композиции по базовому объекту. При толщинах более 100 мкм светочувствительность предлагаемой композиции превышает светочувствительность композиции по базовому объекту в де— 55 сятки раз.

Незащищенные участки матрицы, выполненной на базе предлагаемой комПример 2. Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес.X:

Хлорированный поливинилхлорид 12,0

Метиловый эфир бензоина 1,2

Эпоксидная смола 25,0

Диметакрилаттриэтиленгликоль 61,8

П р и и е р 3. Композицию готовят как в примере 1 при следующем соотношении компонентов, вес. 7:

Хлорированный поливинилхлорид

Метиловый эфир бензоина

Эпоксидная смола

Диметакрилаттриэтиленгликоль 78,3

5,0

0,7

16,0 позиции, не имеют следов фоторезиста, в случае базового объекта избавиться от вуали на проводящей поверхности матрицы невозможно вследствие использования в качестве промежуточного слоя фоторезиста ФН-11.

В качестве второго базового объекта выбрана заливочная композиция на основе эпоксидной смолы ЭД-20, ГОСТ

10587-72, и молотого кварца марки

КП-1, КП-2, КП-3 ГОСТ 9071-59.

Указанную композицию используют для герметизации печатных плат и микросхем, а также приборов электронной техники.

Недостатком такой композиции является длительное время отверждения более 20 ч, а также невозможность селективного нанесения на герметизируемую поверхность. Предлагаемая фотополимеризующаяся композиция при толщине слоя 150-200 мкм отверждается за 5-10 мин.

H p и м е р 1. Приготовление компо зиции .

К 20 вес.7 измельченного хлорированного поливинилхлорида и 1,5 вес .7. метилового эфира бензоина добавляют

40,5 вес..7 диметакрилаттриэтиленгликоля. Все перемешивают до полного растворения в сосуде из нержавеющей стали, а затем добавляют 38 вес.X эпоксидной смолы и опять перемешивают до полного растворения. Далее в композицию добавляют 6 мл хлороформа и тщательно перемешивают, после чего его удаляют отгонкой в вакууме при комнатной температуре. Последняя операция необходима для удаления пузырьков воздуха из композиции.

11058

20

7

Пример 4. Композицию готовят как в примере 1, но вместе с эпоксидной смолой в состав вводят молотое кварцевое стекло с частицами диаметром 30 мкм при следующем соотношении 5 компонентов, вес. Х:

Хлорированный поливинилхлорид 5,0

Метиловый эфир бензоина 0,7

Эпоксидная смола 16,0

Диметакрилаттриэтиленгликоль 77,3

Молотое кварцевое стекло 1 0

Пример 5. Композицию готовят . как в примере 4 при следующем соотно- 15 шении компонентов, вес. 7:

Хлорированный поливинилхлорид 10,0

Метиловый эфир бензоина 1,0

Эпоксидная смола 20,0

Диметакрилаттриэтиленликоль 49,0

Молотое кварцевое стекло 20,0

Пример 6. Композицию готовят как в примере 4 при следующем соотношении компонентов, вес. Ж:

Хлорированный поливинилхлорид 13,3

Метиловый эфир бензоина 1,0

Эпоксидная смола 25,3

Диметакрилаттриэтиленгликоль 27,0

Молотое кварцевое стекло 33,4

Пример 7. Композицию готовят как в примере 6, но используют моло35 тое кварцевое стекло с частицами диаметром 40 мкм.

Пример 8. Композицию готовят как в примерах 4-6, но используют молотое кварцевое стекло с частицами 40 диаметром 50 мкм.

Пример 9. Композицию готовят как в примерах 1-8, но для удаления пузырьков воздуха из композиции применяют ультразвуковую ванну.

Пример 10. Получение защитного покрытия.

На поверхность микросхемы из поликора с алюминиевыми проводнйками методом полива наносят композицию, 50 приготовленную по примеру 1, толщина полученного слоя составляет 50 мкм.

Фотополимеризующийся слой накрывают лавсановой пленкой для предотвращения прилипания фотошаблона и экспонируют через пленочный фотошаблон светом диапазоном 300-700 нм в течение 3 мин энергооблученностью

51 8

38 Вт/м . Лавсановую пленку удаляют

/ z и светочувствительныи слои проявгяют в стРУе этилацетата или метилхлороФорма при 20+5 С в течение 2 мин.

Высушивают горячим воздухом.

П Р и м е р 11. На поверхность печатной платы из стеклотекстолита с медными проводниками методом сеткографии или поливом наносят слой толщинои 200 мкм с использованием компо эиции, приготовленной по примеру 1.

Остальные операции как в примере 10, но экспонирование производят в течение 5-6 мин.

Пример 12 . На медную поверхность методом полива наносят слой толщиной 2000 мкм с использованием композиции, приготовленной в примере 2. Остальные операции как в примере 10, но экспонирование производят в течение 18-20 мин.

II р и м е р 13. Получают защитное покрытие также, как в примере 10, но используют композицию, приготовленную по примеру 3.

Пример 14 . Получают защитное покрытие также, как в примере 11, но используют композицию, приготовленную по примеру 3.

Пример 15. Получают защитное покрытие также, как в примере 12, но используют композицию, приготовленную по примеру 2.

Пример 16. На алюминиевую поверхность методом полива наносят слой толщиной 200 мкм с использованием композиции, приготовленной по примеру 4 . Закрывают лавсановой пленкой и экспонируют светом диапазоном

300-700 нм в течение 6 мин энергооблученностью 38 Вт/м . Удаляют лавсановую пленку.

Пример 17. Получают защитное покрытие также, как в примере 16, но поливают слой 2000 мкм и экспонируют в течение 18-20 мин.

Пример 18. Получают защитное покрытие также, как в примере 16, но используют композицию, приготовленную по примеру 6.

Пример 19. Получают защитное покрытие также, как в примере 17, но используют композицию, приготовленную по примеру 5.

Пример 20. Получают защитное покрытие также, как в примере 16 но используют композицию, приготовленную по примеру 8.

05851 10

17,2 г метакриловой кислоты и 0,4 г перекиси бензоила в трехгорлой колбе с механической мешалкой и обратным холодильником. Далее к полученному спиртовому раствору сополимера добавляют 22,3 г диметакрилаттриэтиленгликоля (эфира ТГМ-3) и 0,67 r метилового эфира бензоила в небольшом количестве спирта и перемешивают до

10 получения однородной массы.

Пример 29. Получают защитное покрытие (по прототипу) также, как в примере 28, только поливают слой

50 мкм и экспонируют 8 мин.

1s Пример 30. На очищенную венской известью, промытую деионизированной водой и высушенную подложку из нержавеющей стали марки 12Х18Н10Т наносят копировальный рельеф соглас20 ío 3), высота рельефа 50 мк.4.

Пример 31. Получают защитное покрытие также; как в примере 30, но формируют копировальный рельеф высотой 100 мкм.

25 Пример 32. На алюминиевую поверхность наносят поливом композицию на основе эпоксидной смолы ЭД-20 и молотого кварца толщиной 50 мкм.

Производят отверждение слоя при

gp 20+5 С в течение 20-25 ч.

Пример 33. На поверхность печатной платы из стеклотекстолита с мЕдньми проводниками поливом наносят слой толщиной 200 мкм композиции на основе эпоксидной смолы

ЭД-20 и молотого кварца. Производят отверждение слоя при 20+5 С в течение 20-25 ч.

Пример 34. Получают защитное покрытие также, как в примере 32, только поливают слой 50 мкм и экспонируют в течение 3 м.

Пример 35. Получают защитное покрытие также, как в примере 16, только поливают слой 50 мкм и экспо- нируют в течение 3 мин.

Пример 36. Получают защитное покрытие также, как в примере 18, только поливают слой 50 мкм и экспонируют в течение 2,5 мин.

Пример 26. Получают защитное покрытие также, как в примере 23, но используют композицию, приготовленную по примеру 3.

Пример 27. Получают защитное покрытие также, как в примере 24, но используют композицию, приготовленную по примеру 3.

Пример 28. Получение защитного покрытий (по протогипу).

На очищенную венской известью, промытую деионизированной водой и вы. сушенную подложку из нержавеющей 45 стали марки 12Х18Н10Т наносят поливом слой толщиной 10 мкм композиции по прототипу, высушивают в течение

20 мин при 80+5 С. Экспонируют светом диапазоном 300-700 нм в течение 3 мин 50 энергооблученностью 40 Вт/м . Проявляют в З -ном растворе NaHCOy npu 20+5 С.

Композицию по прототипу готовят следующим образом. 55

Вначале получают раствор сополимера нагреванием спиртового раствора смеси 37.2 г моноизоамилмалеата, 9 11

Пример 21. Получают защитное покрытие также, как в примере 17, но используют композицию, приготовленную по примеру 7.

Пример 22. На очищенную

1 вейской известью, промытую деионизированной водой и высушенную подложку из нержавеющей стали марки

12Х18Н10Т наносят поливом слой толщиной 50 мкм композиции, приготовленной по примеру 1. Накрывают лавсановой пленкой и экспонируют через пленочный фотошаблон светом диапазоном 300-700 нм в течение 3 мин энергооблученностью 38 Вт/м . Удаляют лавсановую пленку и светочувствительный слой проявляют в струе метилхлороформа при 20+5 С в течение 2 мин. Полученный рельеф высушивают горячим воздухом.

Пример 23. Получают защитное покрытие также, как в примере 22, но поливают слой 200 мкм и экспонируют в течение 6 мин.

Пример 24. Получают защитное покрытие также, как в примере 22, но поливают слой 2000 мкм и экспонируют 18-20 мин.

Пример 25. Получают защитное покрытие также, как в примере 22, но используют композицию, приготовленную по примеру .3.

Пример 37. Получают защитное покрытие также, как в примере 20, только поливают слой 50 мкм и экспонируют в течение 2,5 мин.

Сравнительные характеристики свойств слоев, полученных по примерам предлагаемой композиции, компо11 1 зиций по прототипу и базовым объектам, приведены в таблице.

По примерам 22-31 предлагаемая композиция используется для изготовления матриц, предназначенных для выращивания металлических изделий методом гальванопластики, по остальЛиэлектрические характеристики

Стойкость к терноуйару1

SC -60 С не немее циклов

При» мер,.

Толнин отверв ленног слоя, мкм

Рвзренамная способ ность лпн/мм

Светочув ствнтель ность

/мз ВЧ 1О тойкость электро ите,55 C и 3 ° 54,2>ч ойкость спиртонэиноСтойкость при пайке

260 С, не нее

10 с

)(иэлектрическая Тангенс угла проницаемость диэлектрических потерь ой смеси не

11 не не ее, ч

22 50

50 ю з,з

О,О1 разрунений нет

З,е

23 200

24 2000

2,5 о,я го

То re о,оэ

0,2 : О ° 08

° В

0,5 ю

4,0 о,оэ ю

60 м

3,5

О,О1 г,s зо! °

0,9

3,6

0,02

0,2

° Ф

О,l

0,5

3,9 о,оз

60 з,r

О,02

1 °

О,В зо

О,О3

3,9

I °

0,09

4,0

О,03

3,5

О,О1 зо

0,9

3,5

О ° 02 разрунений иет

То не

О,1

З,г о,оз

О,О1

3,$

0,9 зо

3,2

0,02

21 2000 о,оэ

3,9

0,06

6 5 разру нается

4,0 разрунается разрунается г8 1о (по прототипу) 29 $0 6 (по прототипу) О,02

То не

2,О

1,О

То не

То ке

° В

0,02

3 5

ЭО 50 (сравимтель иый) и о,оэ

4 О

° Э

° Э

О,В

31 100 (сравнительный) О,01 разруие- ЭвS ний нет

32 So

О,О3

4,О

80 Та не

23 200 з4 гооо

0,ОЗ го 4,0

Составитель Л.Богданова

Редактор Н.Киштулинец Техред М. Гергель Корректор Г.Решетник

Заказ 5598/36 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4

25 50

26 200

2) гооо

35 50

16 200

". "о

36 50

18 200

19 2000

37 50

20 200

105851 12 ным примерам (начиная с 10) — для герметизации микросхем и печатных плат.

При нанесении композиции методом сеткографии используют сетки с размером ячейки 0,13х0,13 мм (примеры 11 и 14).