Управляющее устройство свч

 

УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована , а на другой расположен центральный проводник. микропЪлосковой линии с разрывами, и полупроводниковые 2 8 S 3 f / I.Л / / / Л I -п /J i« MiS i ч . Vrдиоды , установленные в отверстиях диэлектрической подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек , отличающее ся тем, что, с целью снижения затухания и КСТу в режиме пропускания, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от полупроводниковых диодов введены дополнительные перемычки ci сумматорным характеристическим соп ротивлением , равным волновому сопротивлению центрального проводника микрополосковой линии. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУВЛ К

„SU„„1121725

3(58 Н 01 P 1 10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ/

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

8 Ю Л

10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕ. ГЕНИЙ И OTHPblTHA (21) 3519443/24-09 (22) 08. 12. 82 (46) 30. ГО. 84. Бюл. ¹ 40 (72) О.С.Орлов и В.В.Бушев (53) 621.837(088.8) (56) 1. Патент США, ¹ 4.009.456, кл. 333/81, опублик. 22,02.77.

2. "Nicrowaves", 1980, September, рр. 91-102 (прототип). (54)(57) УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник.микропблосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, установленные в отверстиях диэлектрической подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с йомощью перемычек, отличающее с я тем, что, с целью снижения затухания и

КСТ< в режйме пропускания, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от полупроводниковых диодов введены дополнительные перемычки с сумматорным характеристическим сопротивлением, равным волновому сопро:тивлению центрального проводника микрополосковой линии.

11217

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для

;управления СВЧ мощности в линиях передачи различного назначения.

Известно управляющее устройство

СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник микрополосовой линии, в разрыве которого включены полупроводниковые диоды с помощью перемычек (1) .

Недостатком известного управляющего устройства СВЧ является большая величина затухания и большая величина коэффициента стоячей волны (КСТ ) в режиме пропускания.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является управляющее устройство СВЧ, содержащее.диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, 25 установленные в отверстиях диэлектри. ческой подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек $2(.

Недостаткам известного управляющего устройства СВЧ является большое значение затухания и КСТ в режиме пропускания.

Цель изобретения — снижение затухания КСТ в режиме пропускания управляющего устройства СВЧ.

Поставленная цель достигается тем, что в управляющем устройстве СВЧ содержащем диэлектрическую подложку, 40 одна сторона которой металлизирована, на другой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, установленные в отверстиях диэлектри45 ческой подложки между металлизацией и разрывами центрального проводника микрополосковой линии и соединенные с ним с помощью перемычек, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от

50 полупроводниковых диодов введены допол. нительные перемычки с сумматорным хар актеристиче ским сопр отивлением р авныи волновому сопротивлению центрального проводника микрополосковойлинии.

ВНИКПИ Заказ 7990/40 Т

25 1

На чертеже поепставлена констпчкция чправляюшего чстройства СВЧ.

Управляющее чстпойство СВЧ сопеожит диэлектрическую подложку 1, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проЪ водник 2 микрополосковой линии с разрывами, полупроводниковый диод 3, установленный в отверстии 4 диэлектрической подложки 1 и соединенный с центральным проводником 2 микрополосковой линии с помощью перемычек 5.

Между разрывами центрального проводникового диода 3 введены дополнительные перемычки 6. В корпусе 7 под дополнительными перемичками 6 введен слой диэлектрика 8 с малым Е, где E — диэлектрическая проницаемость.

Полупроводниковый диод 3 крепится на держателе 9 и втулке 10, которые изолированы по постоянному току от корпуса 7 изолирующим слоем 11, При отсутствии управляющего напряжения на полупроводниковом диоде 3 сопротивление его велико, структура поля в микрополосковой линии практически не искажается, так как СВЧ сигнал проходит через дополнительные перемычки 6, наличие которых обеспечивает малое затухание СВЧ сигнала и снижение КСТ .

При подаче управляющего напряжения на полупроводниковый диод 3 сопротивление его мало и потенциал центрального проводника 2 микрополосковой линии практически равен потенциалу корпуса 7. При этом величина ослабления СВЧ сигнала практически не зависит от наличия дополнительных перемычек 6.

Ширина дополнительных перемычек 6 и размеры слоя диэлектрика 8 выбираются из известных соотношений для обеспечения суммарного характеристического сопротивления дополнительных перемычек 6, равного волновому сопротивлению центрального проводника 2 микрополосковой линии.

Использование изобретения позволяет снизить затухание и КСТ управляющего устройства СВЧ в режиме пропускания при сохранении величины ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания, что существенно расширяет воэможность практического применения управляющих устройств СВЧ. ирзж 590 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная,4