Способ определения потенциала диэлектрического слоя

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ путем заряда конденсатора известной емкости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет определения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его только к металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его к металлизированной основе при наличии на ней диэлектрического слоя и по разности измеренных за рядов и емкости конденсатора определяют потенциал диэлектрического слоя. % л «JL. ND N9 ip/ ;о $ 1 F 30 S5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЯ4АЛИСТРИЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

09) (И) дар,5 01 К Z9/12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и сстсссисмт свиистсльстит

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧ КРЫТИЙ (21) 2858905/18-21 (22) 21.12.79 (46) 07.11.84. Бюл. Р 41 (7Z) Л.M.Ïàíàñþê, В.И.Аникин и Ю.В.Голошапов (71) Кишиневский ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет им. В,И.Ленина (53) 621.817.7(088,8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Ф 118897, кл. 5 01 R Z9/ 12, 10.03.58 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ путем заряда конденсатора известной емкости, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей за счет определения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его только к металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его к металлизированной основе прИ наличии на ней диэлектрического слоя и по разности измеренных зарядов и емкости конденсатора определяют потен циал диэлектрического слоя.

В

1 1122982 .

Г

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано при определении потенциала заряжаемых коронным разрядом тонких диэлектрических пленок и фотополупроводниковых слоев.

Известен способ определения потенциала путем измерения заряда конденсатора известной емкости (1) .

Известный способ не используется для измерения потеициапа диэлектрического слоя на металлизированной основе °

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей известно- 1 го способа за счет определения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе.

Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения .по- 2 тенциала диэлектрического слоя путем заряда конденсатора известной емкости, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его только . к металлизкрованной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его к металлизированной основе прн наличии на ней диэлектрического слоя и по разности измеренных зарядов и емкости конденсатора определяют потенциал диэлектрического слоя.

На чертеже изображена схема устройства, реализующего способ. Устройство включает в себя коронирующий электрод 1, окруженный металлическим экраном 2 с кадровым окном 3, в котором ус анавливается диэлектрический слой 4 на металлизированной основе 5. Экран заземля- 40 ется через резистор 6. Между основой диэлектрического слоя 4 и землей подключены последовательно включенные конденсатор 7 и электрометр 8, закороченные с помощью нормально замкнутых контактов 9 и 10,коммутирующего устройства (не показано).

Высокое напряжение на коронирующий электрод 1 подается с источника 11 высокого напряжения. 50

Для измерения потенциала циэлектрического слоя вначале определяют величину заряда при подключении конденсатора 7 к только металлизированной основе. С этой целью вместо. слоя

4 на металлизированной основе 5 устанавливается металлическая пластина и включается источник 11 высо5 кого напряжения. По истечении определенного времени, задаваемого с помощью коммутирующего устройства, размыкаются нормально замкнутые контакты 9 и 10, и начинается заряд

0 конденсатора 7 до отсечки коронного тока, текущего на пластину. Одновременно электрометром 8 измеряется за-, ряд $, пошедший на зарядку конденсатора 7 до момента отсечки. Источник 11 высокого напряжения отключается, контакты 9 и 10 замыкаются. Затем вместо металлической пластины вводится исследуемый диэлектрический слой 4 на металлизированной

0 основе 5 и повторно включается источник 11 высокого напряжения.

В момент измерения,, задаваемый коммутирующим устройством, размыкаются нормально замкнутые контакты

9 и 10, и начинается зарядка конденсатора 7 до отсечки коронного тока, текущего на слой 4. Одновременно электрометром 8 измеряется заряд пошедший на зарядку конденсатора 7

0 до момента отсечки.

Потенциал диэлектрического слоя определяется по формуле где ЧС„ — потенциал диэлектрического слоя 4;

С вЂ” емкость конденсатора 7.

Резистор б, через который заземляется экран 2, обеспечивает подачу на него оптимального напряжения смещения, при котором достигается наиболее равномерная зарядка слоя 4 по кадру и тем самым обеспечивается минимальная погрешность измерений потенциала, обусловленная укаэанной неравномерностью.

Предлагаемый способ может быть использован для контроля за процессом коронной зарядки ксерографических, фотопластических н светочувствительных полупроводниковых слоев и исследования их электрофизических свойств. б

ВНИИПИ Заказ 8 ) 33/3 7 . Tmpaa ? 10 Подписное

Филнал ШЙ "Пвтент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4