Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

. РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий оксиды свинца и бария, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения относительной плотности, он дополнительно содержит оксид ниобия при следующем количественном соот ношении компонентов, мае.%: Оксид бария 39,60-42,51 Оксид ниобия 1,72-11,06 Оксид свинца Остальное

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

3(5g H 01 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Х 3! pe к.Ь. /

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3521506/18-21 (22) 27.10.82 (46) 23.11.84. Бюл, У 43 (72) A.Ï.Ãàåâñêèñ, Л.A.Øåáàíoâ, М.Ж.Фреймане и A.É.Êàëâàíå (71) Латвийский ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет им. П.Стучки "(53), 621.396.6 (088.8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР

9 834777, кл. Н 01 С 7/00, 1981.

2. Патент CtQA Ð 3374185, кл. H 01. C 7/00, 1968 (прототип).

„.SUÄÄ 125662 A (54)(57) РЕЗИСТИБНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий оксиды свинца и бария, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения относительной плотности, он дополнительно содержит оксид ниобия при следующем количественном соот ношении компонентов, мас.%:

Оксид бария . 39,60-42,51

Оксид ниобия 1,72-11,06

Оксид свинца Остальное

1125662

Изобретение относится к электронной технике и может быть использоt вано в технологии резистинных керамических материалов, которые могут применяться в качестве элементов электрических цепей.

Известен резистинный материал на основе сложных оксидов титана и редкоеемельных элементов (1g.

Однако материал имеет электропроводность только металлического типа, с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС). Кроме того, технология его получения. сложная, требующая спекания в вакууме. 15

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистивный материал 2 на основе метаплюмбата бария (ВаРЬО ), содержащий оксиды бария и свинца при сле- . 20 дующем количестненном соотношении компонентов, мас.%:

ВаО . 29,99-49,02

РЬ О 50,98-70,01

Недостатком известного материала является то, что при соотношении исходных компонентов Ва0 и РЬО с молярным отношением Pb/Ba>1 материал имеет значительный положительный TKC.

При молярном соотношении РЬ/Ва(1 ТКС становится отрицательным, но вместе с тем на несколько порядков возрастает удельное сопротивление и материал становится влагойеустойчивым.

Кроме того, недостатком известного резистивного.материала является то, что относительная плотность керамики в процентах от теоретической — рентгенографической плотности при оптимальном режиме синтеза достигает не более 90%. 40

Цель изобретения — уменьшение температурного коэффициента сопротивления и повышение относительной плотности.

Поставленная цель достигается 45 тем, что.резистивный материал, включающий оксиды свинца и бария, дополнительно содержит оксид ниобия при ,следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 50

Оксид бария 39,60-42,51

Оксид ниобия 1,12-11,06

Оксид снинца Остальное

Резистннный материал приготовляют следующим образом.

Смешивание и измельчение исходных компонентов шихты производят в шаровых агатовых мельницах в среде этилового спирта до размера частиц

0,5 мкм в течение 8-18 ч. После высушивания при 390-420 К шихту прессуют в брикеты и подвергают первому обжигу при 1070 К с выдержкой при этой температуре и течение 24,ч. 3атем брикеты измельчают и размалыва ют повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении

10 H.ì прессуют заготовки в виде дискон диаметром 2:10 2 м и толщиной

5 10 зм. Второй обжиг проводят при

1290-1370 К с выдержкой при этой температуре в течение 3 ч. Обжиг . проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери оксида свинца, и получают образцы резистивного материала стехиометрического состава

ВаРЬ „ „ Nb „0, 0,05ix+0,30, где х молярная доля компонента.

Плотность материала определяют пнкнометрически, теоретическую плотность рассчитывают по данным рентгеноструктурного анализа. Электропроводность определяют четырехконтактным методом в квазистатическом режиме.

Значения температуры обжига, относительная плотность, удельное сопротивление при T= 293 К и ТКС в интервале температур 230-370 К для предлагаемых резистивных материалов приведены в табл. 1.

Сравнительные свойства предлагаемого и известного резистивных материалов приведены в табл. 2.

Л

Изобретение позволяет повысить относительную плотность резистивного материала на 3-5% и снизить абсолютное значение температурного коэффициента сопротивления в 2-3 раза.

Комбинируя образцы разного состава с разным знаком ТКС можно получить термокомпенсированные резисторы.

1125662

Таблица 1

ЯЪ О г

TKC. 10 град."

ВаО, г"

Темпера- Относитура об- тельная жига, К плотность

РЬ О г х, мол.

94 1,1 10 3,1

58,68 1,72 1290

53 37 3,48 1320

51,54 7,16 1.350

0,05 95 1,4 10

2,2

0,10

94 1,7 10 -0,8

0,20

93 2 2. 10,42,51 46,43 11,06 1370

-2,5

0,30

1 >

Таблица 2

Температу- Время обра обжига, жига, ч, К

Относитель- ТКС 10 ная плот- град ность, В

Материал

Предлагаемый. ВарЪ1„ Hbõоз

0,054х40,30 1290-1370

93-95

-2 5

+3 f .

1220-1270

Известный ВаРЪО

5-10

-5 --10

Составитель Ю.Герасичкин

Техред N. Кузьма . КорРектоР С.Черни

Редактор О.Юрковецкая

Заказ 8549/39 Тираж 682 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

39,60

40,15

41,30

Удельное сопротивление Ом.м

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх