Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений

Авторы патента:

H01L21/36 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Способ получения изображения // 775761

Способ изготовления полупроводниковых структур // 774476

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия // 774462

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых монокристаллов с градиентом состава // 646389

Способ получения полупроводниковых структур // 588851

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников // 525380

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков // 524492

Фотошаблон // 508974

Эталонный фотошаблон // 508973

Способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках // 2139596

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457

Изобретение относится к области технической физики

Способ получения эпитаксиального слоя полупроводника iii- нитрида на чужеродной подложке // 2187172

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов, точнее к способам эпитаксиального наращивания, а именно получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, A1N, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС), и может найти применение при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов и т

Способ формирования слоев поликристаллического кремния // 2191847

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем

Способ формирования диоксида кремния // 2191848

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем

Способ получения квазибикристаллических структур оксида цинка // 2202138

Изобретение относится к области электронного материаловедения

Способ создания нанотрубок // 2238239

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах

Способ формирования слоев поликристаллического кремния // 2261937

Способ получения тонких пленок теллурида кадмия // 2298251

Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2318269

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия