Устройство для испытания силовых транзисторов

 

1.УЬТРОЙСТВО ДОЯ ИСПЫТАНИЯ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник питания и схемную ячейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода и клемм для подключения транзистора, в которой первая клемма для подключения транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицатель о/е 4f J3 17 /tC.-;,. 111 ным полюсом источника питайия, а вторая клемма для.подключения транзистора соединена с положительным i полюсом источника питания, о т л. ичающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, оно снабжено N ячейками, из которьпс (N-fc) идентичны первой, а в янейках первая клемма для подключения транзистора соединена с анодом дирда , катод которого соединен с положительным полюсом источника питания, вторая клемма дЯя подключения транзистора соединена с отрицательным полюсом источника питания, источник питания снабжен дополнительным выводом от средней точки, с которым (Л соединены вторые выводы накопительные реакторов N ячеек, при этом N равно числу испытываемых транзисторов, а К 1.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК!!9! (!!!.

G 01 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

67,:-.;. „

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3504867/18-21 (22) 25.10.82 (46) 07,12„84, Бюл. М 45 (72) M.È.Àáðàìoâè÷, В.Е.Либер и А.А.Сакович (53) 621.382.3.026.439(088.8) (56) 1. АвтОрское свидетельство СССР

Ф 338217, кл. G 01 Я 31/26, 1982.

2. "Elektronique et applications

industrilles", 1979, 267, р. 23-25. ( (54) (57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ

СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, содержащее источник питания и схемную ячейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода и клемм для подключения транзистора, в которой первая клемма для подключения транзистора соединена с первым выводом накопи" тельного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника питания, а вторая клемма для подключения транзистора соединена с положительным. полюсом источника питания, о т л.и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, оно снабжено М ячейками, из которых (К - k) идентичны первой, а в h ячей« ках первая клемма для подключения транзистора соединена с анодом диода, катод которого соединен с положительным полюсом источника питания, вторая клемма для подключения транзистора соединена с отрицательным полюсом источника питания, источник питания снабжен дополнительным вы- Е водом от средней точки, с которым соединены вторые выводы накопительных. Ц ф реакторов Й ячеек, при этом Й равно числу испытываемых транзисторов, а k>1. И

2. Устройство по п. 1, о т л и-. ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности задания режима испытаний, последовательно. с диодом ячейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополни1128203 тельный диод подключен по отношению к полюсам источника питания идентично диоду ячейки.

3. Устройство по пп. 1 и 2, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что при испытании транзисторов одинаковым током К = М /2 .

Изобретение относится к силовой электронике и может быть использовано для нагрузочных испытаний си. ловых транзисторов в режиме насы-, щения - одном из основных режимов их ,работы. !

Известно устройство для нагрузоч. ных испытаний силовых транзистороВ в режиме насыщения, содержащее два .источника испытательного тока, один 1О источник испытательного напряжения и одинаковые схемные ячейки, соединенные между собой последовательно и образующие четыре контура из диодов и испытываемых транзисторов (1) . 15

К недостаткам такого .устройства можно отнести то, что одновременно должны испытываться не менее 12-16 транзисторов, транзисторы и диоды, входящие в каждый контур, должны под 20 бираться по прямому падению напряжения, на всех транзисторах может быть задан один. режим испытаний.

Ь

Наиболее близким техническим решением к изобретению является - 25 устройство, содержащее источник питания постоянным напряжением, нагрузочное сопротивление и схемную ячейку.из соединенных в общей точке накопительного реактора, диода и 30 испытываемого транзистора, первая клемма для подключения транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицатель" З ным полюсом источника питания (2j .

Такое устройство имеет черезмерный расход электроэнергии и значительную массу и габариты, так как источник питания и нагрузочное сопротивление должны соответствовать суммарной мощности испытываемых тран зисторов.

Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для испытания силовых транзисторов, содержащее источник питания и схемную ячейку, выполненную в виде накопительного реактора, диода к клемм для подключения транзистора, в которой первая клемма для подключения транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и

Ъ катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника питания, а вторая клемма для подключения транзистора соединена с положительным полюсом -источника питания,снабжено 8 ячейками, из которых (Й-K) идентичны первой, а в К ячейках первая клемма для подключения транзистора соединена с анодом диода, катод которого соединен с положительным полюсом источника питания, вторая клемма для подключения транзистора соединена с отрицательным . полюсом источника питания, источник питания снабжен дополнительным выводом от средней точки с которым соединены вторые выводы накопительных реакторов М ячеек, при этом и равно числу испытываемых транзисторов, а К 1.

Кроме того, с целью повьппенйя точности задания режима испытаний, последовательно с диодом ячейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополнительный диод подключен по отношению к полюсам источника питания идентично диоду ячейки.

Кроме того, при йснытании транзисторов одинаковым током К =М/2.

3 11282

На фиг. 1 показана принципиальная схема устройства;,на фиг. 2 — принципиальная схема устройства с дополнительными диодами и реакторами; на фиг. 3 — эпюры токов и напряжений на испытываемых транзисторах, эпюры токов накопительных реакторов и эпюры тока, потребляемого от источника питания.

Устройство для испытания силовых 10 транзисторов (фиг. 1) содержит источник 1 питания и четыре ячейки, каждая ячейка содержит накопительный реактор 2-5, диод 6-9 и клеммы для подключения транзистора. В двух ячей- f5 ках первая клемма 10, 11 для подключения транзистора соединена с первым выводом накопительного реактора и катодом диода, анод которого соединен с отрицательным полюсом источника 1 питания, а вторая клемма 12, 13 для подключения транзистора„- с положительным полюсом источника 1 питания.

В двух других ячейках первая клемма для подключения транзистора .14, 15 щ соединена с анодом диода, катод которого соединен с положительным полюсом источника 1 питания, а вторая клемма 16, 17 для подключения транзистора — с отрицательным полюсом источника 1 питания, источник

1 питания снабжен дополнительным выводом 18 от средней точки, с которым соединены вторые выводы накопительных реакторов ячеек.

f.

На фиг. 2, кроме того, последовательно с диодами 6-9 включены соединенные попарно параллельно дополни.тельные диоды 19-22 и реакторы

23-26 °

Работа устройства приведена на примере первой ячейки. В момент 11 отпирается транзистор и через него и накопительный реактор .2 начинает постепенно нарастать испытательный ток с, (фиг. 3 а).

В момент tg транзистор аапирается, ток (.6 обрывается, а ток 1, накопительного реактора 2 (ток сброса) качи нает убывать, протекая в том же нап- 50 равлении по цепи: диод 6 - накопитель-, ный реактор 2 и вывод 18. При этом на интервале 1 — 1 через диод 6 к транзистору прикладывается испыта тельное напряжение 11 источника 1 питания (фиг„ 3 б).

В момент, когда убывающий ток

1,О становится равным нулю, снова отпирается транзистор, ток Ь начинает нарастать и цикл работы повторяется с периодом Т = (1-t;<.

В описанном режиме ток транзистора в момент отпирания равен нулю, а следовательно, и потери при включении можно принять равными нулю.

Если требуется испытывать транзисторы с учетом как коммутационных потерь при.выключении, так и потерь при включении, то транзистор отпирают в моменты 1„., 1 и т.д. (фиг. 3 в), о да убыв ющий ток 1 накопительного реактора 2 не достиг нулевого значения.

В последнем режиме при отпирании транзистор может испытывать значитель" ное дополнительное воздействие за счет обратного тока диода 6, например при испытании. мощных высоковольт. ных транзисторов, когда в качестве диода 6 не может быть использован диод Шоттки или быстродействующий .диод, имеющие относительно небольшой выброс обратного тока. Для ограничения такого воздействия .последовательно в цепь диода 6 включены соединен" ные попарно параллельно дополнительные диод 9 и реактор 23 (фиг. 2).

На интервале E, - tZ устройство работает так, как описано.

В момент 1 транзистор запирается и ток сброса, начинает протекать по соединенным последовательно диодам 6 и 19, а в реакторе 23 появляется постепенно нарастающий ток который, достигая величины щ, приводит к выключению диода 19. Запирающая способность диода 19 восстанавливается и в момент 1, когда транзистор вновь включается, обратный ток диода 6 протекает через реактор 23 и ограничен.

Устройство позволяет проводить ис" пытания при как больших, так и меньших напряжениях источника питания.

Первое обеспечивае1:ся, если обмотка реактора 2 имеет отпайку„ к которой подключвн диод 6, второе — если к отпайке обмотки подключен силовой электрод испытываемого транзистора.

Остальные ячейки работают так..:же, как и первая ячейка. Переключение ячеек производится поочередно с интервалом времени Т/К. При этом токи сброса накопительных реакторов 2 и 4 (to и, ) первой группы ячеек (фиг. 3 д) в значительной мере ком1128203

Пенсируют потребляемые транзисторами других ячеек испытательные токи. Ток .у источника 1 питания равен разности мгновенных значений токов сброса и йспытательных токов. Источник 1 питания может быть выполнен в виде выпрямителя с емкостным фильтром, емкость которого пропускает переменную составляющую тока < . Мощность, потребляемая от источника 1 питания, мала по сравнению с мощностью испытываемых транзисторов и в основном определяется мощностью активных потерь в полупроводниковых и реактивных элементах устройства. Это определяет малый расход электроэнергии и малые массу и габариты. Это особенно важ5 но при одновременном испытании на надежность большого числа приборов °

В устройстве одновременно может использоваться любое число транзис» торов. Для каждого транзистора режим испытаний может быть задан.незавил симо от режимов испытаний других транзисторов..1128203

It

ЗНИИПИ Заказ 9024/34 Тирам 710 . ПоЛП®© оа

Устройство для испытания силовых транзисторов Устройство для испытания силовых транзисторов Устройство для испытания силовых транзисторов Устройство для испытания силовых транзисторов Устройство для испытания силовых транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх