Эмиттерный повторитель

 

ЭМИГЕЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, со- . держащий первый и второй транзисторь) имеющие разную структуру, базы .кото рых объединены и являются входом ; эмиттерного повторитиля, эмиттер первого транзистора через токостабилизирукяций двухполюсник соединен с первой шиной источника питания, выполг ненного со средней точкой, а кояйектор .-с входом отражателя тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания, а выход - с эмиттером второго транзистора и является выходом эмиттерного повторителя, о тличающийс. я тем, что, с целью повышения быстро;действия , введены дбполнительньй токостабилизирующий двухполюсник и первый и второй дополнительные транзисторы , имеющие одну структуру, коллекторы которых соединены с первой шиной источника питания., при этом база первого и эмиттер второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к эмиттеру первого ; транзистора, а эмиттер первого и база второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к коллектору второго Трайзистора, который через дсшолнительный токостабилизирукпдай двухполюсник соединение первой шиной источника питания. СО 00 0) СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

Н МОИ

РЕСПУБЛИК

1 А

4(51 Н 03 F 3/50

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Й АВТСРСНОМЗГ СВИЗФТОЪСТВМ

ГОСУДАРСТВЕННЬЙ КОМИТЕТ СССР

fO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3576747/24-09 ,(22) 08;04.83 (46) -07.01.85. Бюп. В ,:(72) Н.H.Ïðîêîïåíêî, В.И.Марчук, iS.Г.Ленев и А.В. Тернавский"

:(71) Шахтинский технологический ин-. .ститут бытового обслуживания . ((53) 621.375.026(088.8) (56) f. Авторское свидетельство СССР

В 785952, an. Н 03 F 3/50, 08.01.79.

2. Авторское свидетельство СССР

::;Ф 932593, кл. Н 03 Р 3/50, 20.12.77, (прототип).. (54) (57) ЭИИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый.и второй транзисторй имеющие разную структуру, базы, которых объединены и являются входом эмиттерного новторитиля, эмиттер пер-. вого транзистора через токостабили-: зирующнй двухполюсник соединен с пер" вой шиной источника питания,. выпол-, ненного со средней точкой, а коалектор — с входом отражателя тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания, а выход — с эмиттером второго транзистора и является выходом эмиттерного повторителя, о т л и ч а ю щ и и с.я тем, что, с целью повышения быстродействия, введены дополнительно токостабилизируннцнй двухполюсник и первый и второй дополнительные транзисторы, имеющие одну структуру, коллекторы которых соединены с первой шиной источника питания., при этом база первого н эмиттер второго дополнительных транзисторов обьедийены и подключены к эмиттеру первого транзистора,а эмиттер первого и база второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к коллектору второго трайзистора, который через дополнительный токостабипизирующий двухполюсннк соединен с первой шиной источника питания.

ro транзистора и является выходом эмиттерного повторителя, введены до" полннтельный токостабилизирующий двухполюсник и первый и второй дополнительные транзисторы, имеющие одну структуру, коллекторы которых соединены с первой шиной источника питания, при этом база первого н эмиттер второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к эмиттеру первого транзистора, а эмиттер первого и база второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к коллектору второго. транзистора, который через дополнительный токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой шиной источника питания.

На чертеже представлена электрическая принципиальная схема эмиттерного повторителя.

Эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, отражатель 3 тока, токостабилизирующий двухполюсник 4, дополнительный токостабилизирующий двухполюсник 5,. первый и второй дополнительные транзисторы 6 и 7, первую и вторую шины

8 и 9 источника питания.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом.

В статическом режиме (при нулевом входном напряжении Us„ =0) ток коллектора второго транзистора 21„ равен выходному току отражателя 3 ., который в свою очередь устанавливается равным коллекторному току первого. транзистора 1 и, следовательно, току токостабилизирующего двухполюсника 4 7> (1)

Ток токостабклизирующего двухполюсника 5 g выбирается несколько мень5

Т. су

5 4 ° (2)

Поэтому второй дополнительный транзистор 7 находится в рекиме отсечки, а эмиттерный ток первого дополнительного транзистора 6 равен разности .

Х,=Х,- I . (3)

Если входное напряжение получает положительное приращение, то это вызы- вает быстрый заряд емкостной нагрузки зарядным током, который передается в эмиттер первого дополнительного транзистора 6,. и далее закорачивается на первую шину 8 источника питания. В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор — база

1 1133651 2

Изобретение относится к радиотех-, нике и может быть использовано в выходных каскадах усилителей, рабо,таюших на емкостную нагрузку.

Известен повторитель, содержащий

:первый и второй входные транзисторы, имеющие разную структуру, к эмнттеру каждого иэ которых через отражатель тока подключен непосредственно нсточ;ник стабильного тока и через диод 1л кооиектор дРугого траиаистора (1).

Однако в таком устройстве необходимым условием для повышения быстродействия является наличие симметричного выхода, соединенного с емкостной нагрузкой. При несимметричном выходе выигрыша в быстродействии не будет.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, ймеющие разную структуру, базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторителя, эмиттер первого транзистора через токостабилизирующий двух,полюсиик соединен с первой шиной источника питания, выполненного со средней точкой, а коллектор — с входом отражателя тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания, а выход — с эмит. тером второго транзистора и является выходом эмиттерного повторителя, а также формирующий конденсатор, шунтирующий токостабилизирующий двухполюс.М ê С23;

Однако в известном устройстве высокое быстродействие обеспечивается . только при определенных соотношениях между емкостью нагрузки и емкостью формирующего конденсатора, а также при большой скважности входных импульсных сигналов.

Цель изобретения — повышение быстродействия.. фЯ

Для этого в эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную струк. туру, базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторите- 50 ля, эмиттер первого трайзистора чеpea токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой шиной источника питания, выполненного со средней точкой, а коллектор — с входом отра- 55 жателя тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания; а выход — с эмиттером второ3 113365 второго транзистора 2 не изменяется благодаря передаче входного напряже- j ния в эмиттерную цепь первого транзистора 1, а затем в коллекторную цепь второго транзистора 2. Это увеличивает входное сопротивление эмиттерного повторителя (ЭП) и уменьшает влияние емкости коллектор --база второго транзистора 2 на R

Таким образом, при положительном приращении U „время установления переходного процесса в ЭП минимально.

Еслй U „óìåíümàåòñÿ до некоторо- 15

ro отрицательного значения U<, то это вызывает уменьшение колпекторного тока второго транзистора 2. Как только коллекторный ток .станет меньше чем,35, происходит запирание 20 первого дополнительного транзисто:, ра 6, а второй дополнительный тран, зистор 7 переходит в активный режим. Как следствие разностный ток Э, .усиленный в Д . раз, поступает в 25 эмиттерную цепь первого транзисто1 4 ра 1 и через отражатель 3 тока начи.нает разряжать емкостную нагрузку дЪ 1 т < 5 К2) рдъ ,() . (41

Р53 тех 57 5. где р - коэффициент усиления тока базы второго дополнительного транзистора 7. При достаточно большом значении р второй транзистор 2 не . запирается, т.е. напряжение на емкостной нагрузке с малой погрешнос,.тью отслеживает изменение Па„ .

Разрядный ток:.i о, может дости- . гать весьма больших значений. Это уменьшает время установления переходного процесса в десятки-сотни раэ ! и повышает быстродействие ЭП. Указанный эффект достигается без каких-либо дополнительных конденсаторов и в широком диапазоне изменения скважности выходных импульсных сигналов.

За счет введения новых связей в змиттерном повторителе компенсирует ся влияние емкости коллектор " база не только второго транзистора, но и первого транзистора 1.

ЗНИИПИ Заказ 9959/43 Тшраж 871 дрдпшс® ш

©нлшай ППП "Патеит", Г.узГОРод, ул.Вроажтшшш ° 4

Эмиттерный повторитель Эмиттерный повторитель Эмиттерный повторитель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в качестве буферного усилителя напряжения, а также элемента дифференциального каскада

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в аналоговых микросхемах различного применения

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве входных, выходных и промежуточных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения (высокочастотных и сверхвысокочастотных усилителей, широкополосных операционных усилителей, быстродействующих непрерывных стабилизаторов напряжения, перемножителей сигналов и т.д.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя - БУ), в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях, драйверов линий связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве буферного усилителя аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, повторителях сигналов с высоким кпд и повышенным петлевым усилением, драйверов линий связи и т.п.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве буферного усилителя аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, прецизионных повторителях сигналов, драйверов линий связи и т.п.)

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя), в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного устройства для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности, в структуре входных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов)
Наверх