Устройство для моделирования биполярного транзистора

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, .эмиттер которого подключен к первому выходу переменного резистора, блок моделирования коллекторного тока, вьтолненный в виде усилительного транзистора, кoллeкfop которого является коллекторным выводом устройства, базовый вьшод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моф делирования тока базы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности моделирования, в него введен блок моделирования изменения коэффициента усиления по току, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого подключен к второму, выводу переменного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усилительHoi:o транзистора блока моделирования коллекторного тока, эмиттер котот iporo является эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора блока моделирования тока базы сое (Л динен с базой усилительного транзистора блока моделирования изменения коэффициента усиления по току, эмиттер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока. со 4 СО to

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) 4 (51) G 06 G 7/62

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOhAV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) . 3645423/24-24 (22) 28.09.83 (46) 30.01 ° 85. Бюл. ¹ 4 (72) 10.В,Хара (53) 681. 333 (088. 8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР

9631944,,кл. С 06 С 7/62, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР № 963005, кл. С 06 G 7/62, 1982 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, содержащее переменный резистор, блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, эмиттер которого подключен к первому выходу переменного резистора, блок моделиро" вания коллекторного тока, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого является коллекторным выводом устройства, базовый вывод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования тока базы, о т л и ч а— ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности моделирования, в него введен блок моделирования изменения коэффициента усиления по току, выполненный в ниде усилительного транзистора, коллектор которого подключен к. второму. выводу перемен- ного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока, эмнттер кото рого является эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора блока моделирования тока. базы соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования изменения коэффициента усиления по току, эмит" тер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока. г

137492

30

1 I

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь"

Зовано для анализа работоспособности устройств н условиях повышенной температуры и технологического разброса параметров транзисторон.

Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащего операционные усилители, переменный резистор и транзистор Щ

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для моделирования полулроводникового элемента, содержащее входной усилительный транзистор, эмиттер которого подключен к первому выводу переменного резистора, и дополнительный транзистор, позволяющее моделировать изменение коэффициен та передачи по току транзистора 12)

Однако известные устройства характеризуются недостаточной точностью моделирования эмиттерного перехода кремниевого транзистора при больших токах базы, на которую оказывают влияние многие факторы, в том числе вид входных характеристик германиевых усилительных транзисторов, точность подбора компенсирующего резистора.и ныпрямительного диода, положение движка переменного резистора, в связи с чем устройства оказываются неработоспособными н условиях, свя занных с необходимостью регулировки в больших пределах коэффициента усиления по току и одновременно точного моделирования характеристик эмиттерного перехода транзистора при больших токах базы, а также запирающем смещении на эмиттерном переходе.

Цель изобретения — повышение точности моделирования.

Поставленная цель достигается тем, что н устройство для моделирования биполярного транзистора, содержащее переменный резистор, блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, эмиттер которого подключен к первому выводу переменного резистора, блок моделирования коллекторного тока, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого является коллекторным выводом устройства, базовый вывод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделиронания тока базы, введен блок моделирования иэменения коэффициента усиления по то ку, выполненный н виде усилительного транзистора, коллектор KQTopoi подключен к второму выводу переменного резистора, подвижный контакт которого соединен с базой усили-. тельного транзистора блока моделирования коллекторного тока, эмиттер которого является эмиттерным выводом устройства и подключен к первому выводу переменного резистора, коллектор усилительного транзистора блока моделирования тока базы соединен с базой усилительного транзистора блока моделирования изменения коэффициента по току, эмиттер которого соединен с коллектором усилительного транзистора блока моделирования коллекторного тока, На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.

Устройство одержит блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора 1, блок моделирования коллекторного тока, выполненный в виде усилительного транзистора 2, блок моделирования коэффициента усиления по току, выполненный н виде усилительного транзистора 3, и переменный резистор 4.

Устройство работает следующим образом.

Усилительные транзисторы 1,2 и 3 служат для имитации увеличения коэффициента усиления транзистора по току с ростом температуры. Транзистор

3 выполняет также фукцию элемента развязки. Введение в схему устройстна транзистора 3 и связанное с этим изменение схемы включения входного транзистора 1 впервые позволило исключить необходимость применения и подбора элементов,. выравнивающих входную характеристику устройства, и достичь максимально возможной точности моделирования входной характеристики транзистора при любых, и том числе больших значениях тока, а также при запирающем смещении на эмиттерном переходе, В зависимости от положения движка переменного резистора 4 меняются величины колпекторного тока транзистора 3 и базового тока транзистора 2, а следовательно, и величины эмиттерного тока транзистора 3, что при неизменном базовом токе устройства эквивалентно изменению коэффициента

Составитель В.Рыбин

Редактор M,ÖHòêèíà Техред Т.Дубинчак Корректор С.Черни

Заказ 10527/38 Тираж 710 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д,4/5

«филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4

3 11 усиления ло току устройства щ .

Обозначим коэффициенты усиления по току транзисторов 1,2 и 3 соответственно „, и, Тогда при верхнем положении движка переменно го резистора 4 Ц, Щ 3з . При нижнем положении движка переменного резистора 4 Д, =P„.

Устройство можно использовать в условиях, связанных с необходимостью регулировки в больших пределах коэффициента усиления по току и одновременно точного моделирования характеристик эмиттерного перехода транзистора при больших токах базы, а также запирающем смещении на змиттерном переходе, например при оценке влияния изменения и технологического разброса величины коэффициента усиления по току транзисторов на работоспособность

37492 4 переключательных транзисторов схем.

Для создания устройства могут быть использованы серийные транзисторы.

Использование предлагаемого устройства позволяет упростить аппаратуру, предназначенную для проведения экспериментальных исследова1п ний, и проводить оценку влияния на работоспособность переключательных транзисторных схем технологического разброса величины коэффициента усиле ния транзисторов по току без использования специально подобранных транзисторов с граничными значе;ниями P, а также температурного

:изменения коэффициента усиления по току транзисторов без .проведения климатических испытаний в камере тепла.