Канал ввода информации для накопителя на цилиндрических магнитных доменах

 

КАНАЛ ВВОДА ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащий магнит00дноосную ,пленку, на которой расположены ферромагнитные элементы переключения и элементы связи в форме асимметричных шевронов, отличающийся тем, что, с целью расширения облас-Ий устойчивой раЬоты канала ввода информации, элементы переключения вьтолнены С-образной формы и расположены последовательно, а каждый элемент связи расположен между смежными элементами переключения , причем вершина его ь йгнитосвязана с одним концом одного элемента переключения, а конец соответ-. ствующей перемычки элемента связи магнитосвязан с другим концом смежного элемента переключения.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

NUHV

РЕСПУБЛИК (1% (11) 4(51) G 11 С 11 ч

Ъ ,с с

ОПИСАНЙЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, ", ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕВАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И (ЛЙРЫТИЙ

К ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3666702/24-24 (22) 25. I l . 83 (46) 30.01 85. Бюл. N 4 (72) Э.С.Зиборрв и Г.А.Гомзина (53) 681.327.66(088.8) (56) 1. IREE Trans. Nagn., V МАС

9, В 3, 1973, р. 285.

2. J.Àðð1.Phys., V 50, У 3, )979, р.2216 (прототип). (54)(57) КАНАЛ ВВОДА ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ

НАКОПИТЕЛЯ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащий магнитоодноосную,пленку, на которой расположены ферромагнитные элементы ереключения и элементы связи в форме асимметричных шевронов, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью расширения областей устойчивой работы канала ввода информации, элементы переключения выполнены C -образной формы и расположены последовательно, а каждый элемент связи расположен между смежными элементами переключения, причем вершина его магнитосвязана с одним концом одного элемента переключения, а конец соответ-. ствующей перемычки элемента связи

I магнитосвязан с другим концом смежного элемента переключения.

Ф 113753

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД).

Известен канал ввода информации для накопителя на ЦИД, содержащий расположенные на поверхности магнитной пленки с ЦИД пленочные магнитные аппликации, плоскость которых 1б параллельна плоскости пленки, например аппликации из пермвплоя, помещенные во вращающееся в плоскости аппликаций магнитное поле. Пленочные магнитные аппликации могут иметь различную форму, например Т-1-образную с элементами переключения в виде знака "доллара" (11.

Недостатками известного канала ввода информации являются уменьшение области устойчивой работы и уменьшение надежности с уменьшением размеров аппликаций.

Наиболее близким к предлагаемому является канал ввода информации для 2 накопителя на ЦИД, который содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены ферромагнитные элементы переключения и элементы связи в форме вссиметрнчных шевронов E2)."

Недостатками этого канала являются узкая область устойчивой работы и снижение надежности прн увеличении плотности записи информации °

Цель изобретения - расширение об- М ласти устойчивой работу канала ввода информации для накопителя на ЦИД.

Поставленная цель достигается тем, что в канале ввода информации для накопителя на Ц3Щ, содержащем магннтоодноосную пленку, на которой расположены ферромагнитные элементы переключения и элементы связи s форме асимметричных шевронов, элементы переключения выполнены С-образной форвз мы и расположены последовательно, а каждый элемент связи расположен между смежными элементами переключения, причем вершина его магнитосвязаиа с .одним концом одного элемента лере- 50 ключения, а конец соответствующей .перемычки элемента связи магннтосвязан с другим концом смежного элемента переключения, 6 3

На фиг.l схематически изображена конструкция предложенного канала ввода информации; на фиг.2 " расположение притягивающих магнитных полюсов в зависимости от положения вектора вращающегося магнитного поля Йу.

Канал ввода информации (фиг.1) содержит магнитоодноосную пленку 1, на. которой расположены ферромагнитные элементы 2 переключения н элементы 3 связи..

Канал ввода информации работает следующим образом.

Вращающееся магнитное поле Н намагничивает ферромагнитные элементы 2 и 3, создавая притягивающие и отталкивающие полюса. При положении вектора Н>, представленном на фнг.2а, ЦИД может занимать позицию у притягивающего полюса, например, для определенности в области 4. При изменении направления Н притягивающий поМ люс перемещается и ЦИД занимает соответствующее положение в области 4 (фнг.2б). При положении вектора Н„ представленном нв фиг.2в, область 4", в которой находится домен, охватывает два соседних элемента,.прн дальнейшем повороте вектора Н домен смещается на элемент 3. При направлении вектора Н>, представленном на фиг.2г, домен занимает положение, аналогичное показанному на фиг.2а, но уже на следующем элементе переключения..

Таким образом, зв два полных оборота вектора Н ЦИД переходит с од-

М ного элемента переключения на другой, соседний, занимая на нем аналогичное положение.

Предложенный канал ввода информации имеет большую область устойчнвой работы и более высокую надежность, чем известные, так как. элемент переключения имеет существенно большие геометрические размеры, чем в известных каналах при том же периоде схемы продвижения. В предложенном канале размер элементе переключения увеличен с 8 до 14 мкм, что приводит к уменьшению поля управления в 1,7 pasa, а это расширяет область устойчивой работы канала. l)37536

Составитель Ю.Розенталь

Техред Л.Мартяшова Корректор С. ерин

Редактор Л.Алексеенко

Заказ f0534/4Р Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Канал ввода информации для накопителя на цилиндрических магнитных доменах Канал ввода информации для накопителя на цилиндрических магнитных доменах Канал ввода информации для накопителя на цилиндрических магнитных доменах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх