Способ создания силовых высоковольтных транзисторов
Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.
Похожие патенты:
Способ изготовления биполярных транзисторов // 1010994
Способ изготовления свч-транзисторов // 897048
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления СИ на биполярных вертикальных PNP транзисторах
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для изготовления биполярных планарных транзисторов как в дискретном, так и в интегральном исполнении
Способ изготовления биполярного транзистора // 2110868
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах с использованием методов самосовмещенной технологии (ССТ)
Способ изготовления биполярного транзистора // 2262774
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники
Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов
Способ изготовления биполярного транзистора // 2351036
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов
Изобретение относится к микроэлектронике
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния