Способ записи информации в магнитопленочный запоминающий элемент

Авторы патента:

СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В МАГ НИТОПЛЕНОЧНЫЙ ЗАПОМИНАЮШИЙ ЭЛЕМЕНТ, основанный на последовательной подаче в разрядную шину основного импульса тока и дополнительного импульса тока обратной полярности амплитуды, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия способа записи информации, подачу дополнительного импульса тока в разрядную шину осушествляют в течение времени доп.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Я0„„1156137 А

4(59 G ll C 11 14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ = !

22.1 (21) 3569685/24-24 (22) 31.03.83 (46) 15.05.85. Бюл. № 18 (72) А. Т. Казаченко (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США № 3478336, кл. G 11 В 5/74, опублик. 1969.

Патент США № 3753251, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1973. (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В МА1 НИТОПЛЕНОЧНЫй ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, основанный на последовательной подаче в разрядную шину основного импульса тока и дополнительного импульса тока обратной полярности амплитуды, отличающийся тем, .что, с целью повышения быстродействия способа записи информации, подачу дополнительного импульса тока в разрядную шину осуществляют в течение времени, оп.= (0,2вЂ” вЂ” 1,0) осн, где C < . вЂ” длительность основного импульса тока.

1156137

ВНИИПИ Заказ 3183/49

Филиал ППП «Патент», г.

Тираж 584 Подписное

Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитопленочных запоминающих устройствах.

Цель изобретения вЂ” повышение быстродействия способа записи информации.

На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, реализующего способ; на фиг. 2 вЂ” временная диаграмма импульсов тока.

Устройство содержит цилиндрическую магнитную пленку 1 на подложке 2, выполняющей роль разрядной шины, адресную шину 3, формирователь 4 импульса тока в адресной шине, формирователь 5 основного импульса тока в разрядной шине, 15 формирователь 6 дополнительного импульса тока в разрядной шине.

Устройство работает следующим образом.

При записи информации в формирователе 4, выход которого подключен к одному из концов адресной шины 3, формируют импульс тока I© (фиг. 1 и 2), под действием которого вектор намагниченности разворачивается к оси трудного намагничивания.

В формирователе 5, выход которого подключен к одному из концов подложки 2, являющейся разрядной шиной, формируют основной импульс тока 1ро той или иной полярности, в зависимости от значения записываемой информации, который накладывается во времени на задний фронт импульса тока 1о. Под действием магнитных полей, которые созданы импульсом тока I в адресной шине и основным импульсом тока Ip.o в разрядной шине, вектор намагниченности поворачивается в зависимоти от полярности тока Ip.o в ту или иную сторону к оси легкого намагничивания, где и происходит хранение записанной информации.

После окончания основного импульса тока Ip.о в формирователе 6, выход которого подключен к тому же концу подложки 2, что и выход формирователя 5, формируют дополнительный импульс тока I p, дол обратной полярности в разрядной шине, который имеет ту же амплитуду, что и 1р.о, ио по длительности меньше, чем длительность основного импульса тока Ip.î .

Этот дополнительный импульс тока обратной полярности в разрядной шине создает магнитное поле вдоль оси легкого намагничивания, обратное по знаку магнитному полю, которое создал основной импульс тока 1р.о в разрядной шине. Под действием этого магнитного поля происходит выпрямление доменных границ данного

МЗЭ и размагничивание области между границами данного МЗЭ и соседних с ним запоминающих элементов, т. е. уменьшает подвижность доменных границ и предотвращает «сползание» их при последующих дестабилизирующих воздействиях. После окончания дополнительного импульса тока в разрядной шине закончена запись информации по предлагаемому способу.

Дополнительный импульс тока 1р дон должен удовлетворять следующим условиям.

Амплитуда Ip.л.ол должна быть примерно равна амплитуде 1р.о н должна быть не меньше порогового тока записи и не больше. половины амплитуды тока, эквивалентного коэрцитивной силе материала цилиндрической магнитной пленки. Длительность дополнительного импульса 1рдоп. должна быть не меньше собственного времени перемагничивания конкретной цилиндрической магнитной пленки.

Конкретная амплитуда и минимальная длительность тока 1рдоп, дающие максимальный эффект, определяются конкретной конструкцией МЗЭ, оптимальным значением амплитуды импульса тока Iо, в адресной шине и технологией изготовления цилиндрической магнитной пленки.

Способ записи информации в магнитопленочный запоминающий элемент

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов // 1144152

Устройство для осаждения цилиндрических магнитных пленок на подложку // 1140170

Канал ввода информации для накопителя на цилиндрических магнитных доменах // 1137536

Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках // 1133619

Накопитель информации // 1133618

Способ выявления дефектов в интегральных магнитных схемах на цилиндрических магнитных доменах // 1130899

Накопитель информации // 1130898

Элемент памяти // 1129653

Источник вращающегося магнитного поля для доменного запоминающего устройства // 1129652

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)