Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур

 

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180o, измеряют интенсивность Ф разностного сигнала рекомбинационного излучения, а годность образца определяют по величине отношения при толщине слоя d (в микронах), равной диффузионной длине и при скорости поверхностной рекомбинации на гетерогранице S2 104 см/с, причем f(d) = K(S1) (d - 0,4), где K(S1) - функция скорости поверхностной рекомбинации на рабочей поверхности S1, которая равна 3,25 при S1 5 104 см/с, 6,6 при S1 106 см/с и lgS1tg 68o при S1 в пределах 5 104 S1 106 см/с.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх