Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

 

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и прилегающим к ней широкозонным слоем расположен второй дополнительный слой с параметрами, удовлетворяющими требованиям, предъявляемым к параметрам первого дополнительного слоя, при этом параметры каждого из дополнительных слоев и области излучательной рекомбинации связаны соотношением

где d_i, τ_i, P_i, S_i (i=1 или 2) - толщина, время жизни неосновных носителей, концентрация основных носителей, скорость поверхностной рекомбинации на всех гетерограницах - соответственно параметры, относящиеся к первому или второму дополнительному слою, d, τ, p - те же параметры для области излучательной рекомбинации, L_эф - эффективная диффузионная длина неосновных носителей в области излучательной рекомбинации, Δ_i - разница ширин запрещенных зон между i-тым дополнительным слоем и областью излучательной рекомбинации.